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[发明专利]一种透明钙钛矿薄膜晶体管-CN202210376487.8在审
发明人：胡袁源;夏江南;仇鑫灿 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明钙钛矿薄膜晶体管，其包括透明衬底、源电极、漏电极、栅电极、插入层、半导体层，铁电介电层；所述插入层为透明金属氧化物，置于源、漏电极与半导体层之间；铁电介电层位于栅电极与半导体层之间；所述半导体层为透明钙钛矿薄膜。通过在源、漏电极与透明钙钛矿薄膜间插入一层金属氧化物薄膜作为电子注入层以降低电子注入势垒，提升电子注入效率；同时采用铁电材料作为介电层以抑制透明钙钛矿薄膜的离子迁移引起的栅电压屏蔽效应；在此基础上制备的透明钙钛矿薄膜晶体管能在室温下工作
一种透明钙钛矿薄膜晶体管

[发明专利]一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器及其制备方法-CN201410041726.X有效
发明人：王守宇;刘卫芳;席晓鹃;王海菊;王旭;郭峰 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：该阻变存储器是由压电基板、导电下电极、铁电薄膜层、上电极薄膜层和门电极组成；其中所述的压电基板为PMN‑PT单晶；所述的导电下电极为锰氧化物薄膜；所述的铁电薄膜层为BaTiO3或BiFeO3铁电薄膜；所述的上电极层和门电极是Pt、Au或Al导电薄膜。本发明的存储器的制备过程为，在压电基板上沉积导电下电极薄膜层，然后沉积铁电薄膜单层或异质结，最后再沉积上电极薄膜和门电极。该结构的存储器具有优异电致阻变效应，且利用压电基板构建的场效应结构，可动态地调节电致阻变，实现了存储器件电阻态的多场调控，可提高存储器设计灵活度，该发明将对提高我国数据存储器件的制造具有重要的意义。
一种多层膜结构调控存储器及其制备方法

[实用新型]一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器-CN201420055422.4有效
发明人：王守宇;刘卫芳;席晓鹃;王海菊;王旭;郭峰 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：该阻变存储器是由压电基板、导电下电极、铁电薄膜层、上电极薄膜层和门电极组成；其中所述的压电基板为PMN-PT单晶；所述的导电下电极为锰氧化物薄膜；所述的铁电薄膜层为BaTiO₃或BiFeO₃铁电薄膜；所述的上电极层和门电极是Pt、Au或Al导电薄膜。本实用新型的存储器的制备过程为，在压电基板上沉积导电下电极薄膜层，然后沉积铁电薄膜单层或异质结，最后再沉积上电极薄膜和门电极。该结构的存储器具有优异电致阻变效应，且利用压电基板构建的场效应结构，可动态地调节电致阻变，实现了存储器件电阻态的多场调控，可提高存储器设计灵活度，该发明将对提高我国数据存储器件的制造具有重要的意义。
一种多层膜结构调控存储器

[发明专利]一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法-CN201510950012.5在审
发明人：朱国栋 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法。本发明的三元复合阻变薄膜是对铁电/半导体复合薄膜进行聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂而得到，PMMA的掺杂量与铁电聚合物的质量比为0.1:10-0.3:10。该三元复合薄膜的表面粗糙度、抗电疲劳特性和阻态保持性能都得到明显改善。由于PMMA与铁电聚合物P(VDF-TrFE)互溶性佳，可有效降低铁电相的漏电特性；而PMMA与有机半导体，如P3HT，形成层状相分离结构，可有效抑制半导体相的漏电，降低半导体相电击穿的风险。
一种电学稳定性半导体 pmma 三元复合薄膜及其制备方法

[发明专利]铁电存储器以及电子设备-CN202080090641.4在审
发明人：张岩;杨喜超;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种铁电存储器(100)和电子设备，该铁电存储器(100)包括铁电存储单元(10)、第一电压线(m)和第二电压线(n)，铁电存储单元(10)包括铁电薄膜层(101)、第一电极(102)和第二电极(103)；所述第一电极(102)与所述第一电压线(m)连接，所述第二电极(103)与所述第二电压线(n)连接；所述第一电极(102)和所述第二电极(103)之间由所述铁电薄膜层(101)间隔开；沿所述铁电薄膜层从而可以增强第一电极(102)和第二电极(103)之间的铁电薄膜层(101)所形成的电畴壁(104)的电导率，提高铁电存储器(100)的读写速度。
存储器以及电子设备

[发明专利]一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法-CN202010834538.8在审
发明人：门阔;魏峰;沈宇鑫;连紫薇;王国治;金庆喜 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括：衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好
一种稀土掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法

[实用新型]铁电薄膜移相器-CN200720090846.4无效
发明人：孟庆端;马建伟;孙立功;田葳;周鲁英;刘跃敏;普杰信 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01P1/19 文献下载
摘要：本实用新型属于微波工程技术领域的一种铁电薄膜移相器，包括共面线结构，共面线结构包括常规导电薄膜构成的传输线及其两侧的接地面，接地面与传输线之间是等宽的缝，传输线和其两侧的接地面上相互周期性地设置有叉指状电容结构，所述导电薄膜直接设附于衬底基片上，在传输线和接地面的相互叉指之间的夹缝内设有铁电薄膜。本实用新型交叉指状电容结构兼顾了常规交叉指状电容制作工艺简单的优点及平行板电容器结构能够把外加电场高度集中在铁电薄膜当中，从而在小电压下实现大移相能力的优点，具有潜在的广泛的实用前景。
薄膜移相器

[发明专利]基于挠曲电极化增强力电耦合机制的PZT基石墨烯复合压感薄膜结构-CN202210751516.4在审
发明人：韩树棋;毕开西;丑修建;耿文平;穆继亮;梅林玉;周思源;付文潇;牛耀凯;栗倩男;张帅;张慧毅 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明属于NEMS微压力敏传感设计领域，具体为基于挠曲电极化增强力电耦合机制的PZT基石墨烯复合压感薄膜结构，包括Si/SiO2基片，Si/SiO2基片上设有背腔，Si/SiO2基片正面溅射有pt/Ti的金属层，pt/Ti的金属层上面溅射有PZT铁电薄膜，PZT铁电薄膜上有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜两边溅射有金属电极，Si/SiO2基片背面有封装基板。本发明通过PZT铁电薄膜弯曲产生的极化电压对石墨烯薄膜进行调控，施加偏压给石墨烯薄膜，通过电路的输出电流间接表征石墨烯载流子的输运情况，进而表征石墨烯薄膜能带的变化，完成对PZT挠曲电极化调控石墨烯能带结构及电输运机制的探究，完成对高灵敏度力电耦合PZT基石墨烯复合压感薄膜结构的设计。
基于挠曲极化增强耦合机制 pzt 基石复合薄膜结构

[发明专利]铁电氧化物与MAxFA1-CN202010366737.0在审
发明人：吕兴杰;赵泽恩;袁国亮 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI3 0‑3复合的薄膜材料，以平均粒径12~18 nm的0维铁电材料，将该0维铁电材料均匀分布于MAxFA1‑xPbI3形成的3维连通的骨架之中，得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比，铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI30‑3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴空穴对的复合，提高材料的光伏性能，形成了一类全新的MAxFA1‑xPbI3铁电半导体材料
氧化物 maxfa base sub

[发明专利]铁电薄膜材料介电性能多频率自动测试方法及装置-CN200310106478.4无效
发明人：褚家如;李磊;鲁健 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2003-12-01 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：铁电薄膜材料介电性能多频率自动测试方法及装置是一种铁电功能陶瓷材料的测试方法及装置，其测试方法为：将待测铁电薄膜的任意一端与信号发生器的输出端的负电极相连，将该待测铁电薄膜的另一端的电极与一个已知阻值的电阻的任意一端串联得到待测铁电薄膜的等效电容量C_p和等效电阻值R_p；得到待测铁电薄膜的相对介电常数ε_r和介质损耗tgδ；
薄膜材料性能频率自动测试方法装置

[发明专利]在玻璃基板上制备BiFeO₃铁电薄膜光伏电池的方法-CN201210009273.3无效
发明人：郭益平;郭兵;李华;刘河洲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法，选择玻璃作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构BiFeO3铁电薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备0.5mm*0.5mm顶部电极即可。与现有技术相比，本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的具有钙钛矿结构的BiFeO3铁电光伏薄膜。所制备的薄膜具有优越的光伏特性并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BiFeO3铁电薄膜在光伏电池及光电子器件领域中获得应用。
玻璃基板上制备 bifeo sub 薄膜电池方法

[发明专利]一种提高反铁电膜材料负电卡制冷方法-CN201610535039.2在审
发明人：郝喜红;高洪成;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提出一种锆酸铅基反铁电材料和锆酸铅基反铁电薄膜的制备方法，所述锆酸铅基反铁电材料，其化学通式为Pb1‑xSrxZrO3，其中，x的取值范围：0＜x≤0.05。根据本发明实施例的锆酸铅基反铁电材料，包括化学通式为Pb1‑xSrxZrO3的材料，其中0＜x≤0.05，通过Sr的掺杂，能够提高负制冷值，提高制冷强度。在外加电场的作用下，Pb1‑xSrxZrO3反铁电薄膜随Sr含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(EAFE‑FE)，从而有利于负制冷的增加和制冷强度的提高。
一种提高反铁电膜材料负电制冷方法

[发明专利]磁电复合薄膜及其制备方法-CN200410041727.0无效
发明人：万建国;刘俊明;曾敏;王广厚 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20％～80％之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40％～60％之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。
磁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种纳米改性的介电储能聚合物薄膜及其制备方法-CN202211034210.3有效
发明人：王震宇;常峻玮 -专利权人：广东腐蚀科学与技术创新研究院
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C08K7/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米改性的介电储能聚合物薄膜及其制备方法，所述纳米铁电填料的化学式为BaTiO3‑BiMg0.5Zr0.5O3；所述纳米铁电填料为球状；所述纳米铁电填料粒径为100nm～150nm。该介电储能聚合物薄膜，具有击穿强度高、充放电效率高、能量密度高和耐蚀性强的特点；该方法将纳米改性介电储能聚合物薄膜的各组分搅拌分散，采用溶液浇筑配合拉膜方法制备厚度均匀的薄膜。
一种纳米改性介电储能聚合物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铁电存储器及电子设备-CN202080104665.0在审
发明人：江安全;杨喜超;张岩;江钧;汪超;魏侠;秦健鹰 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电存储器及电子设备，涉及铁电存储技术领域，用于对铁电存储元件(20)的开启电压进行调节。该铁电存储器包括基底(200)以及设置在基底(200)上的第一电压线、第二电压线以及铁电存储元件(20)；铁电存储元件(20)包括设置在基底(200)上的铁电薄膜层(201)；铁电薄膜层(201)包括向远离基底(200)一侧凸起的铁电存储单元(2011)；铁电存储元件(20)还包括相对设置于铁电存储单元(2011)两侧的第一电极(202)和第二电极(203)；第一电极(202)与铁电存储单元(2011)的第一表面和侧面均接触，第二电极(203)与铁电存储单元(2011)的第一表面和/或侧面接触；第一表面为铁电存储单元(2011)的与基底(200)平行且远离基底(200)的表面；其中，第一电极(202)与第一电压线电连接；第二电极(203)与第二电压线电连接。
一种存储器电子设备