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[发明专利]半导体存储器的制造方法-CN200610004794.4无效
发明人：小林康孝;猪股大介 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明的目的在于：以简化了的工序形成具有精度好的铁电电容的半导体存储器。接着，在其上依次形成构成铁电电容的Pt膜、铁电薄膜以及Pt膜。而且，通过一并刻蚀对这些Pt膜、铁电薄膜以及Pt膜进行构图，形成以铂电极(32、34)夹持铁电薄膜(33)的结构的铁电电容。
半导体存储器制造方法

[发明专利]自支撑铁电薄膜的制备方法及其室温下产生铁电性的方法-CN202310621640.3在审
发明人：张军;马建春;王玲 -专利权人：吕梁学院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑铁电薄膜的制备方法，涉及铁电存储器件技术领域，包括：在具有牺牲层的衬底上沉积BaTiO3薄膜；b.通过溶解牺牲层使BaTiO3薄膜与衬底分离，并转移至柔性载体；c.将附着于柔性载体上的自支撑BaTiO3铁电薄膜转移到Si基衬底上。还公开一种利用该自支撑铁电薄实现室温下铁电性的方法。利用Si基衬底上实现的BaTiO3室温铁电效应在高密度、低功耗、可集成铁电相关器件方面具有重要的应用前景。
支撑薄膜制备方法及其室温生铁

[发明专利]一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法-CN202310338732.0在审
发明人：卢红亮;刘胤池;刘文军 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在Si/SiO2衬底上采用磁控溅射沉积形成底电极，然后，采用原子层沉积技术生长ZrO2籽晶层，在籽晶层上依次生长氧化铪基铁电薄膜和氧化铝覆盖层，并采用快速热退火形成铁电相，最后利用光刻、电子束蒸发、剥离制备顶电极得到铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过添加氧化锆ZrO2作为氧化铪基铁电薄膜的籽晶层，来优化氧化铪基铁电薄膜与底电极之间的界面，增加了退火后铁电薄膜中铁电相的成分，实现高性能的电容存储功能
一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法

[发明专利]一种铁电单晶薄膜及其制备方法-CN202111484387.9在审
发明人：丑修建;毕开西;薛刚;梅林玉;穆继亮;何剑;侯晓娟 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电单晶薄膜及其制备方法，包括：清洗铁电单晶与衬底表面；将衬底与铁电单晶进行间接键合，同时与基板进行临时键合；采用不同粒径的磨料对铁电单晶进行减薄抛光；将抛光后的铁电单晶从基板表面剥离，清洗铁电单晶表面，得到铁电单晶薄膜。本申请通过间接键合与化学机械抛光方法代替离子注入方法，可以避免由离子注入引起的薄膜表面晶格损伤，进而获得低厚度、高平整度、低损伤的铁电单晶薄膜，满足高精度器件制备需求，可应用于集成电路制造，微传感器、微执行器等功能元件的制造；可以实现常温环境下制备，减少了在低温—高温—低温的变换过程中铁电单晶由于热失配原因而产生的变形、碎裂等问题，提高产物的成品率。
一种铁电单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法-CN200710168367.4无效
发明人：于军;李佳;李建军;杨斌;王耘波;高俊雄;周文利 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储器技术，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、底电极金属层、缓冲层、铁电薄膜层和顶电极金属层构成，缓冲层的材料为TiO₂，厚度为10－30nm。采用磁控溅射法在底电极金属层上制备10－30nm厚度的TiO₂缓冲层，溅射工艺条件为：溅射气压1～3Pa，溅射基片温度为200－400℃，溅射气氛为O₂和Ar的混合气体；本发明铁电薄膜结晶性能良好、非c轴取向度高、电滞回线饱满、剩余极化值大。
一种存储器用薄膜电容及其制备方法

[发明专利]一种铁电薄膜电容器及其制备方法-CN202110615418.3在审
发明人：唐振华;姚帝杰;李泽丽;胡松程;张莉;唐新桂;刘秋香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电薄膜电容器及其制备方法。本发明公开了一种铁电薄膜电容器，该铁电薄膜电容器中使用无铅、对环境友好的铁酸铋(BFO)掺杂的钛酸铋钠‑钛酸钡(NBT‑BT)薄膜，有利于后续电子器件的回收与再利用；该薄膜材料的使用使铁电薄膜电容器获得高的放电能量密度与储能效率，其储能性能表现出高温稳定性，通过充放电特性表明薄膜电容器具有更快的微秒放电和较大的介电强度，有望成为一种环保型无铅材料，可用于储能电容器的应用。
一种薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法-CN201510332231.7有效
发明人：钟向丽;黄健;王金斌;李山;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：发明名称一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法摘要本发明公开了一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法，主要包含以下步骤：(1)将小面积基片放在大面积基片架的镂空方格基片位上；(2)在基片背面放置一块与基片架相同尺寸的硅晶圆片挡板；(3)采用物理气相沉积方法在基片上依次制备铁电薄膜绝缘层和氧化物半导体薄膜沟道层；(4)采用物理气相沉积方法结合掩膜技术在沟道层之上制备源极和漏极，形成大面积铁电薄膜晶体管阵列；(5)对大面积铁电薄膜晶体管阵列的性能进行测试，根据晶体管单元性能以及阵列性能的一致性，优化大面积铁电薄膜晶体管阵列制备过程中的工艺参数，得到性能满足要求且一致性好的大面积铁电薄膜晶体管阵列及其制备工艺。
一种获得大面积薄膜晶体管阵列制备工艺方法

[发明专利]一种铁电存储器的制造方法-CN201410037023.X有效
发明人：常琦 -专利权人：江苏巨邦环境工程集团股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。
一种存储器制造方法

[发明专利]一种提升铪基铁电薄膜性能的方法和应用-CN202010757391.7在审
发明人：陆旭兵;邹正淼 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜材料技术领域，公开了一种提升铪基铁电薄膜性能的方法，包括以下步骤：(1)在清洗干净的衬底上生长TiN底电极；(2)在TiN底电极上通过原子沉积法沉积一层氧化铪‑氧化锆薄膜；(3)在氧化铪‑氧化锆薄膜上沉积氧化锆盖层；(4)退火即可。本发明采用原子层沉积一层氧化锆盖层提升铪基铁电薄膜的方法控制精准，形成的薄膜均匀性好，有利于大面积生产。采以氧化锆作为盖层明显降低了铪基铁电薄膜中非铁电相的比例，提高了正交相的比例，剩余极化强度值提升一倍，同时薄膜的漏电流减少，更不容易发生击穿，薄膜的可靠性得到了提升，在104
一种提升铪基铁电薄膜性能方法应用

[发明专利]一种原位应力加载的柔性铁电薄膜的制备方法-CN202011449292.9在审
发明人：姜杰;莫圣涛;姜楠;张彪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位应力加载的柔性铁电薄膜的制备方法，包括：将柔性单晶云母片固定在支撑件的表面上；所述支撑件具有预设的曲率半径；在所述柔性单晶云母片的表面上形成预设厚度的铁电薄膜；将生长有所述铁电薄膜的所述柔性单晶云母片，在自然条件下恢复至平整状态，进而在所述铁电薄膜上引入内应力。本发明实施例提供的一种柔性铁电薄膜的制备方法，该方法采用柔性单晶云母片作为基板，能够避免传统的利用不同基板进行应力引入的方法同时引入不同的界面效应，避免了其它条件的影响。
一种原位应力加载柔性薄膜制备方法

[发明专利]一种长程可塑性具有高对称性、高线性度的铁电隧道结神经突触器件及其制备方法和应用-CN202110993182.7在审
发明人：郑立梅;杨淑婷;王杰;房红;赵乐 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种长程可塑性具有高对称性、高线性度的铁电隧道结神经突触器件及其制备方法和应用，由下自上依次包括单晶Nb:STO衬底、BTO铁电薄膜及金属电极；BTO铁电薄膜的厚度为3‑4u.c.。超薄的BTO铁电薄膜，有利于电子的隧穿，使得电压调控肖特基势垒引起的电导变化效果更好。低氧压下外延生长铁电薄膜，增加了薄膜中的氧空位，使得器件电导随正负脉冲的变化对称性、线性度更高。
一种长程可塑性具有对称性线性隧道神经突触器件及其制备方法应用

[发明专利]一种基于可调电容的可调谐振腔-CN201710086921.8有效
发明人：张继华;陈建男;郑懿;陈宏伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01P1/209 文献下载
摘要：本发明属于通信领域，提供一种基于可调电容的可调谐振腔，包括类同轴结构金属腔体、绝缘介质环、铁电薄膜、电容电极及调谐电极；类同轴结构金属腔体的顶部带有开口环，绝缘介质环填充入开口环处；铁电薄膜设置于金属腔体上方中心，且半径大于等于绝缘介质环的内半径；调谐电极设置于铁电薄膜上方中心；电容电极为环绕调谐电极设置的环形电极，且电容电极外边缘与金属腔体连接，电容电极内边缘与铁电薄膜及金属腔体形成平行电容板结构。本发明采用由铁电薄膜制成的可调电容；首先避免了机械疲劳问题，延长了谐振腔的使用寿命；其次调谐电压只需要达到三十伏特，使调谐更加简便；最后，由于铁电材料极快的反应速度，也增加了谐振腔的调谐速度。
一种基于可调电容谐振腔

[发明专利]一种基于铁电材料纳米压印的颗粒自组装方法-CN201010596306.X无效
发明人：沈臻魁;陈国平;刘冉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明属于工程技术领域，具体为一种基于纳米压印铁电材料来组装颗粒的方法。它通过纳米压印铁电材料改变铁电薄膜内部的电畴结构分布，从而在薄膜内部形成内电场。在紫外光照下，不同的内电场方向对电子与空穴的驱动方向不同，从而实现颗粒有选择性的组装沉淀到铁电薄膜表面。采用本发明的颗粒组装技术，简便且成本低，具有极大的应用价值。
一种基于材料纳米压印颗粒组装方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统-CN202310116745.3在审
发明人：曾斌建;刘瑞萍;廖敏;彭强祥;杨琼;郑帅至 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统，涉及铁电薄膜模拟分析技术领域，首先确定能量方程及体自由能、极化梯度能、静电能和退极化场能的密度方程表达式，构建氧化铪基铁电薄膜相场模型；确定极化演化方程、氧空位演化方程、氧化铪基铁电薄膜空间电荷密度方程，通过麦克斯韦方程建立氧空位和极化演化间的关联；推导出极化演化方程、氧空位扩散方程和麦克斯韦方程的弱形式，编译到软件当中；对极化演化方程和氧空位扩散方程以及麦克斯韦方程进行求解本发明提供的氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的分析方法及系统解决了现在难以简易分析氧化铪基铁电薄膜唤醒效应的问题。
一种氧化铪基铁电薄膜唤醒效应分析方法系统

[发明专利]铁电薄膜光伏效应调控方法、铁电薄膜和太阳能光伏电池-CN201610465599.5有效
发明人：赵世峰;白玉龙;陈介煜;唐哲红 -专利权人：内蒙古大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种Bi5Ti3FeO15铁电薄膜光伏效应调控方法，包括以下步骤步骤(1)，采用溶胶凝胶方法制备稀土元素掺杂的Bi5Ti3FeO15铁电薄膜；步骤(2)，向Bi5Ti3FeO15铁电薄膜两级施加周期性外电场调控其光学带隙通过稀土元素掺杂和周期性外电场的共同作用，实现了Bi5Ti3FeO15铁电薄膜光学带隙由3.01eV窄化为2.47eV，从而使得其光伏响应从紫外光区向可见光区出现移动，拓宽了光谱响应范围，同时还进一步提升了铁电薄膜极化性能，减少了疲劳现象的发生，大大提高了Bi5Ti3FeO15铁电薄膜作为太阳能光伏电池的光电转换效率和使用寿命。
薄膜效应调控方法太阳能电池