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[发明专利]一种双电桥式薄膜磁阻传感器-CN201910022171.7在审
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种双电桥式薄膜磁阻传感器，各向异性磁阻层由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D头尾顺序连接组成一个电桥，由另一组四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A’、B’、C’、D’头尾顺序连接组成另一个电桥，该两电桥相并联组成所述双电桥式薄膜磁阻传感器；其中，磁阻薄膜条A、B、C、D相位各相差90°，磁阻薄膜条A’B’C’D’排列方式与磁阻薄膜条ABCD相同，并且磁阻薄膜条A’、B’、C’、D’上都应用了与磁阻薄膜长轴方向成该薄膜磁阻传感器的结构新颖，首次采用了双电桥形式设计磁阻传感器，扩大了磁阻传感器的线性工作区，提高了灵敏度。
磁阻薄膜薄膜磁阻传感器双电桥各向异性磁阻电桥磁阻传感器头尾顺序薄膜条线性工作区并联组成排列方式形式设计摘要附图灵敏度电极长轴应用

[发明专利]一种简易各向异性薄膜磁阻传感器-CN201910022172.1有效
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种简易各向异性薄膜磁阻传感器。该薄膜磁阻传感器包括由两条完全一样的各向异性第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)连接而成，第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)的相位差为45°。所述第一磁阻薄膜条(A)或第二磁阻薄膜条(B)的形状为连续的S形状。本发明的简易各向异性薄膜磁阻传感器具有结构简单，实施便捷的优点，并且因为两条磁阻薄膜呈45°摆放，更加灵敏，能测出较小的磁场角度变化。
一种简易各向异性薄膜磁阻传感器

[发明专利]一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器-CN201910022216.0在审
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用Barber电极的桥式薄膜磁阻传感器。包括由四条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条按串并联方式连接，第一磁阻薄膜条(A)与第二磁阻薄膜条(B)相差的相位为90°，第二磁阻薄膜条(B)与第三磁阻薄膜条(C)相位相差90°，第三磁阻薄膜条(C)与第四磁阻薄膜条(D)相差的相位为90°，第四磁阻薄膜条(D)与第一磁阻薄膜条(A)相差的相位为90°；磁阻膜条上都应用了Barber电极结构，该薄膜磁阻传感器的结构简单，应用Barber电极之后，能改变电流方向和易磁化轴的夹角，扩展了磁阻传感器的线性区，使得测量更加准确。
磁阻薄膜薄膜磁阻传感器电极桥式应用各向异性磁阻串并联方式磁阻传感器电极结构电流方向相位相差磁化轴磁阻膜线性区测量

[实用新型]具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路-CN201220292348.9有效
发明人：王建国 -专利权人：宁波瑞纳森电子科技有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路，属于半导体的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，包括衬底；磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上本实用新型磁阻传感器本体上设置聚磁层，在聚磁层上方或下方设置电流导线，聚磁层能够将电流导线产生的感应磁场及待测外磁场进行放大，从而提高薄膜磁阻传感器的灵敏度及测量范围；精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单
具有聚磁层线性薄膜磁阻传感器电路

[发明专利]具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器-CN201210205370.X有效
发明人：王建国 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，包括衬底；磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上本发明磁阻传感器本体上设置聚磁层，在聚磁层上方或下方设置电流导线，聚磁层能够将电流导线产生的感应磁场及待测外磁场进行放大，从而提高薄膜磁阻传感器的灵敏度及测量范围；精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单
具有聚磁层线性薄膜磁阻传感器

[发明专利]一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器-CN201910022165.1在审
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器。由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D按照头尾顺序连接方式构成惠斯通电桥，磁阻薄膜条A和B相差的相位为135°，磁阻薄膜条B、C相位相差45°，其中A、C平行，B、D平行。其等效电路图如附图3所示，外加磁场与薄膜平面平行，与磁阻薄膜条B电流方向夹角为θ。该薄膜磁阻传感器的结构简单、功耗小、实施便捷，由于改进了电桥的摆放方式，使得传感器能测得更小的磁场角度变化，并且具有温度补偿效应。
薄膜磁阻传感器磁阻薄膜平行惠斯通电桥式各向异性磁阻温度补偿效应等效电路图惠斯通电桥改进薄膜平面电流方向角度变化连接方式头尾顺序外加磁场相位相差薄膜条夹角为传感器电桥功耗磁场摆放

[发明专利]磁传感器及其制造方法-CN200580001595.1无效
发明人：野口直之;百濑正吾;有贺英吉;竹村政夫 -专利权人：日本电产三协株式会社
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G01D5/245 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器，使磁传感器动作时为了提高识别精度，使用多个磁阻薄膜，但是为了防止这些磁阻薄膜的间隔狭窄化引起的配置自由度的下降，可以灵活地调整磁阻元件之间的间隔同时在不造成制造上的困难的程度上增加消除各高次谐波的磁阻元件的个数所述磁传感器，具有磁阻薄膜形成在基板上的磁阻图案，该磁阻图案由输出相位相差90°的两个信号的A相磁阻图案和B相磁阻图案构成，其中，所述磁阻图案是将两个基板组合形成的。
传感器及其制造方法

[发明专利]一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法-CN201810597724.7在审
发明人：顾文彬;陶永斌;蒋乐跃;金羊华;刘海东 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
通孔磁阻传感器磁性感应介质层集成电路钝化层互连金属层薄膜图形感应磁阻金属连线单芯片传感器单轴多轴晶圆薄膜薄膜覆盖接触电阻图形连接下层斜坡制造保留贯穿

[发明专利]一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法-CN201610170027.4有效
发明人：唐晓莉;余尤;苏桦;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种线性各向异性磁阻传感器的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括以下步骤：a)在基片上制备绝缘层，然后采用光刻工艺曝光出线性各向异性磁阻传感器的单元图形；b)采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，在步骤1处理后的基片上依次沉积铁磁层、反铁磁层，铁磁层和反铁磁层的沉积气压为0.004Pa～0.08Pa，沉积功率为30W～50W，铁磁层的厚度为30～50nm，反铁磁层的厚度为10～15nm；c)制备各向异性磁阻传感器单元电极，得到所述线性各向异性磁阻传感器。本发明采用铁磁/反铁磁双层薄膜作为磁阻薄膜、并在超低气压氛围下溅射磁阻薄膜，可实现扩大线性各向异性磁阻传感器测量范围的目的。
一种线性各向异性磁阻传感器制备方法

[发明专利]磁传感器、磁传感器的制备方法及电子设备-CN202110227059.4在审
发明人：赵海轮;冷群文;安琪;邹泉波;周汪洋;丁凯文;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开一种磁传感器、磁传感器的制作方法及电子设备，该磁传感器包括衬底和多个磁阻模组，多个所述磁阻模组设于所述衬底，并形成惠斯通电桥，每一所述磁阻模组背离所述衬底的一侧设有至少一个金属薄膜片。本发明通过所述磁阻模组背离所述衬底的一侧覆盖金属薄膜片的设计，可以减少外部磁场的干扰，减少磁传感器的噪声。
传感器制备方法电子设备

[发明专利]一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法-CN202110247124.X有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;周志敏 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法，该装置包括：依次层叠设置的衬底、磁阻传感器和热控制层，磁阻传感器与热控制层之间设置有用于电隔离的非磁性绝缘层，磁阻传感器由磁阻传感单元构成，磁阻传感单元为具有反铁磁层的多层薄膜堆叠结构；激光编程写入装置用于在激光编程写入阶段，改变热控制层和/或磁阻传感器的膜层参数，以调节磁阻传感器的温度随激光功率的变化率，并增加或减小同一激光功率写入磁阻传感器的温度，膜层参数包括膜层材料和膜层厚度中的至少一种本发明实施例，实现了磁阻传感器的高精度激光写编程，改善磁阻传感器的制造缺陷，提高了磁阻传感器的性能，进而改善磁阻传感器的检测精度。
一种用于磁阻器件激光编程写入装置方法

[发明专利]一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法-CN201811308918.7在审
发明人：金立川;何昱杰;张岱南;贾侃成;张怀武;唐晓莉;钟智勇;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]_n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。
各向异性磁阻传感器可调控磁场探测制备传感器技术领域磁电阻变化率智能控制领域磁阻传感器非磁性金属传感特性磁性响应多层薄膜角度控制氧化薄膜转速控制自旋电子磁开关调控层非磁性可调的重金属薄膜应用

[发明专利]一种正八边形薄膜磁阻传感器-CN201910022159.6在审
发明人：陈洁;黄旭庭 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种正八边形薄膜磁阻传感器。该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I按头尾顺序连接的方式正八边形排列组成外加磁场与薄膜平面平行，与膜条C电流方向夹角为θ。该正八边形薄膜磁阻传感器工作电流低，输出电压高，测量结果更加精确。
正八边形薄膜磁阻传感器各向异性磁阻绝缘层磁场传感器薄膜平面电流方向顶层电极工作电流输出电压头尾顺序外加磁场依次叠加薄膜条夹角为相邻膜衬底膜条平行

[发明专利]一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥-CN201210205391.1有效
发明人：王建国 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜磁阻传感器元件，包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。本发明还涉及包含本发明的薄膜磁阻传感器元件的电桥。本发明的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电桥的特点是：磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。
一种薄膜磁阻传感器元件电桥

[发明专利]一种基于巨磁阻技术的高精度弱磁场传感器及其制备方法-CN200810020450.1无效
发明人：王莹;李素云 -专利权人：安徽大学
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向结构的巨磁阻传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有三明治结构巨磁阻薄膜(4)，特别是巨磁阻薄膜(4)外套装有线圈(8)，线圈(8)和巨磁阻薄膜(4)均由外层绝缘柱(7)裹覆；方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈金属环(5)、金属短棒(6)，金属环(5)、金属短棒(6)周期性排列构成巨磁阻薄膜(4)外置线圈，工作时，恒定电流从电流流入端I流入微线圈，从电流流出端II流出，从而为巨磁阻薄膜(4)提供高精度的偏置磁场，结合巨磁阻薄膜(4)相应度高的特点，利用上述原理制备的纵向结构的巨磁阻传感器具有高的精度和灵敏度
一种基于磁阻技术高精度磁场传感器及其制备方法

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