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[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法-CN201810266191.4有效
发明人：周兴雨 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法，该像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容及有机发光二极管，还包括设置于第一薄膜晶体管第二端与第一节点之间的第七薄膜晶体管和设置于第一薄膜晶体管第二端与第三薄膜晶体管之间的第六薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第六薄膜晶体管对称设置且阈值相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，该像素驱动电路能够减少面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
一种 amoled 像素驱动电路时序控制方法

[发明专利]像素驱动电路及像素驱动方法-CN201911406540.9有效
发明人：程江坤 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：本发明提供一种像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第一电容以及有机发光二极管；第七薄膜晶体管和第八薄膜晶体管的栅极分别输入第一扫描信号和第二扫描信号
像素驱动电路方法

[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置-CN201710125363.1在审
发明人：胡思明;杨楠;朱晖;宋艳芹 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-03-04 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明提供了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，该像素电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件。本发明对第一薄膜晶体管(驱动薄膜晶体管)的阈值电压进行补偿，使流过发光器件的电流变得与第一薄膜晶体管的阈值电压无关，改善画面的显示效果。
薄膜晶体管像素电路发光器件显示装置阈值电压驱动薄膜晶体管驱动显示效果电流变电容

[发明专利]一种AMOLED像素电路-CN201910193254.2有效
发明人：尚飞;向勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：所述AMOLED像素电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、存储电容C和发光器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为三栅极晶体管，第一薄膜晶体管为“口”字形走线，第二薄膜晶体管为叉状走线。本发明通过对第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的布局进行优化，采用“口字型走线”或“叉状走线”，在同样的空间中有效增加了连接驱动TFT栅极的薄膜晶体管的栅极数量，进而减小了漏电流，改善了像素电学特性。
一种 amoled 像素电路

[发明专利]像素结构、阵列基板和显示装置-CN201710330628.1有效
发明人：刘庭良;曹中林;李挺;臧鹏程;黄炜赟;孟佳 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极，第一组薄膜晶体管和第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管，第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接，第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接，第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与像素电极连接，第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。
像素结构阵列显示装置

[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器、阵列基板及显示装置-CN201110301288.2有效
发明人：黄应龙;吕敬;孙阳;张玉亭;彭宽军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种移位寄存器单元、移位寄存器、阵列基板及显示装置，包括：电平控制模块，与栅极信号生成模块相连接，电平控制模块包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、以及第五薄膜晶体管；其中，第一薄膜晶体管的漏极分别与第二薄膜晶体管的源极及第四薄膜晶体管的栅极相连接，第二薄膜晶体管的栅极与第三薄膜晶体管的栅极相连接，第三薄膜晶体管的漏极分别与第四薄膜晶体管的源极及第五薄膜晶体管的栅极相连接，第五薄膜晶体管的源极分别与第二薄膜晶体管的漏极及第三薄膜晶体管的源极相连接。
移位寄存器单元阵列显示装置

[发明专利]一种显示基板及显示装置-CN201710393775.3有效
发明人：王迎;李红敏;廖力勍;孙丽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示基板及显示装置，包括位于显示基板显示区的信号线，以及边框区的静电导出线和包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的静电释放单元；第一薄膜晶体管的漏极和栅极与信号线连接；第二薄膜晶体管的漏极和栅极与静电导出线连接；第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极和第四薄膜晶体管的栅极与第一节点连接；第三薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极与信号线连接；第三薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的源极与静电导出线连接。由于静电释放单元包含四个体积较小的薄膜晶体管，并通过第三、第四薄膜晶体管释放静电，因此，减小了其布线空间，提高了其可靠性。
一种显示显示装置

[发明专利]薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置-CN201610867849.8在审
发明人：张婷婷 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置，解决了现有技术中因驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的制程相同而导致的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅大小相等的问题。其中的薄膜晶体管装置制备方法可包括在基板上制备至少两个薄膜晶体管半成品，其中所述薄膜晶体管半成品包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述至少两个薄膜晶体管半成品包括至少一个起驱动作用的薄膜晶体管半成品和至少一个起开关作用的薄膜晶体管半成品；在所述至少两个薄膜晶体管半成品表面制备层间介质层；减薄所述起驱动作用的薄膜晶体管半成品表面的层间介质层；以及在每个所述薄膜晶体管半成品表面制备源极和漏极。
薄膜晶体管装置制备方法

[发明专利]一种阵列基板以及制作方法-CN201710153697.X在审
发明人：林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法，所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区，第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。
一种阵列以及制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板-CN201710010837.8在审
发明人：唐叶 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，使开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管具有不同的电特性。包括：采用非晶化半导体形成有源区；在形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的过程中，使开关薄膜晶体管沟道形成区域与基板间的绝缘层厚度大于驱动薄膜晶体管沟道形成区域与基板间绝缘层的厚度；将开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区由非晶化转变为晶化本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，通过控制开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管沟道下方的绝缘层的厚度，改变不同类型薄膜晶体管在晶化过程中的晶粒结构从而改变迁移率，进而控制相应类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅，最终实现不同特性的薄膜晶体管，提升显示器件的品质。
驱动薄膜晶体管开关薄膜晶体管薄膜晶体管绝缘层薄膜晶体管阵列基板显示面板沟道形成区域非晶化基板源区制造半导体形成亚阈值摆幅晶化过程晶粒结构显示器件电特性迁移率沟道晶化

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202011171343.6在审
发明人：艾飞;舒照伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板，阵列基板的显示区包括多个第一薄膜晶体管组件和多个第二薄膜晶体管组件，第一薄膜晶体管组件包括至少一个多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管组件包括至少一个非晶氧化物半导体薄膜晶体管；多个第一薄膜晶体管组件和第二薄膜晶体管组件在显示区交替分布本申请实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板显示区采用第一薄膜晶体管组件和和第二薄膜晶体管组件交替设置，而第一薄膜晶体管组件包括至少一个多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管组件包括至少一个非晶氧化物半导体薄膜晶体管
阵列及其制备方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910149465.6有效
发明人：张卿;姚绮君;苏晓越 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多个像素单元，各像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件；在沿垂直于衬底基板所在平面的方向，开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧，重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧；开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接，重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接，驱动薄膜晶体管的漏极与有机发光器件耦接。如此方案，有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积，有利于实现高PPI设计。
显示面板显示装置

[发明专利]一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法-CN201810267217.7有效
发明人：周兴雨 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法，该时序控制电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管电容及有机发光二极管，还包括设置于第一薄膜晶体管第二端与第一节点之间的第七薄膜晶体管和设置于第一薄膜晶体管第二端与第三节点之间的第八薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第八薄膜晶体管对称设置且阈值相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压
一种 amoled 时序控制电路控制方法

[发明专利]像素驱动方法及显示面板-CN202111449558.4在审
发明人：张丽君 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容以及发光器件，将第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管分别接入第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、数据信号线、复位信号线和控制信号线。该像素驱动电路能够有效补偿有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决由阈值电压漂移导致的流过发光器件的电流不稳定的问题，使发光器件的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
像素驱动方法显示面板

[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法-CN201810265245.5有效
发明人：周兴雨 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法，该像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容及有机发光二极管，还包括设置于第一薄膜晶体管第二端与第一节点之间的第七薄膜晶体管和设置于第一薄膜晶体管第二端与第三节点之间的第六薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第六薄膜晶体管对称设置且阈值相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，该时序控制电路能够减少面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
一种 amoled 像素驱动电路时序控制方法