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[发明专利]一种紫外非线性晶体控温装置及其控温方法-CN202210848046.3在审
发明人：祝桂鹏;王家赞;杨军红;刘浩;孙涛;扈金富 -专利权人：广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外非线性晶体控温装置及其控温方法，所述紫外非线性晶体控温装置包括晶体安装单元、连接于所述晶体安装单元的气体传输模块、以及设置于所述气体传输模块的加热件，其中所述晶体安装单元用于安装紫外非线性晶体；所述气体传输模块用于向所述晶体安装单元通入气体；所述加热件用于加热所述气体传输模块中的气体，本发明通过采用流动高温气体包裹吹扫紫外非线性晶体的方式，能够实现对紫外非线性晶体的快速均匀加热，消除了温度梯度问题，而且高温流动气体能够对紫外非线性晶体进行保护，延长紫外非线性晶体的工作寿命，同时高温流动气体还能够带走紫外非线性晶体工作时产生的热量，提高紫外非线性晶体的工作稳定性。
一种紫外非线性晶体装置及其方法

[发明专利]一种大功率小型化腔内泵浦中红外激光器-CN202310599952.9在审
发明人：陈家康 -专利权人：南京亿高医疗科技股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率小型化腔内泵浦中红外激光器，包括：键合晶体、若干790nmLD半导体靶条和散热腔；所述键合晶体包括Tm:YAG晶体和Ho:YAG晶体；所述Tm:YAG晶体和Ho:YAG晶体均为圆柱形，两者直径一致，所述Tm:YAG晶体的长度为Ho:YAG晶体的两倍；所述Tm:YAG晶体和Ho:YAG晶体通过端面键合，构成所述键合晶体；所述790nmLD半导体靶条布置在所述Tm:YAG晶体的侧面；所述散热腔接触所述键合晶体和
一种大功率小型化腔内泵浦中红外激光器

[发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法-CN201010147972.5有效
发明人：朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 -专利权人：东海县海峰电子有限公司
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
硅酸晶体元件生产方法

[发明专利]一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法-CN201810163892.5有效
发明人：王东海;徐军;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽;吴锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，包括以下步骤：(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体，微孔晶体内径小于等于1mm，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体；(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上；(3)坩埚内装入1‑2g原料；(4)升温熔化坩埚内的原料；(5)籽晶杆上升，使微孔晶体接触坩埚底的小孔，坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
一种晶体包层生长纤纤方法

[发明专利]反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统-CN201710025411.X有效
发明人：朱允中;王彪;林少鹏;马德才 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种反馈晶体生长状态的方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态。本发明还涉及一种晶体生长控制方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，根据所述实时变化的电信号调整晶体生长的条件参数，从而控制晶体生长。本发明还涉及一种晶体生长控制系统，包括晶体生长控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以精确反馈晶体生长的整体状态，克服判断滞后的缺陷，实时控制晶体生长工作。
反馈晶体生长状态方法控制控制系统

[发明专利]一种LD侧面泵浦模块中晶体棒的调校系统及其操作方法-CN202010542936.2有效
发明人：王小发;刘启航;毛红炀 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G02B7/198 文献下载
摘要：本发明请求保护一种LD侧面泵浦模块中晶体棒的调校系统及其操作方法，所述的晶体棒调校系统与方法包括光学器件、晶体棒固定装置、晶体棒调节装置、LD侧面泵浦模块，晶体棒，所述光学器件包括氦氖激光器、光阑片、反射镜，所述晶体棒固定装置包括铁质套管、橡胶套管、手动旋转台，所述晶体棒调节装置包括三维调整架、直线滑轨滑台，所述晶体棒包括晶体棒(垂直面)、晶体棒(切面)。本发明的LD侧面泵浦模块中晶体棒调校系统与方法以便捷的方式将晶体棒放入LD侧面泵浦模块中，调节过程中操作简单，且有一定的精度保证，有效的解决了国内现阶段在加工LD侧面泵浦模块中晶体棒的安装与调节的问题。
一种 ld 侧面模块晶体调校系统及其操作方法

[发明专利]一种晶体炉可视化清洁方法及设备-CN202110580342.5有效
发明人：薛传艺;张开端;高立志;史建伟;张健 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶体炉可视化清洁方法及设备，方法包括：采集晶体炉内壁在洁净状态下的若干图像以及在非洁净状态下的若干图像，以得到晶体炉内壁图像特征库；基于预设程序，控制晶体炉清洁装置旋转升降组件以及套设在旋转升降组件上的清洁箱进行升降或旋转，以对晶体炉内壁进行清洁；其中，清洁箱顶部和侧面安装有清洁刷；清洁完毕后，采集晶体炉内壁的实时图像；对晶体炉内壁的实时图像进行特征提取，并与晶体炉内壁图像特征库中的若干图像进行特征匹配，以确定晶体炉内壁的洁净状态解决了现有晶体炉清洁方法无法实现自动清洁且不能自动检测晶体炉是否清洁干净的问题。降低了晶体炉清洁的成本，提高了晶体炉清洁的效率。
一种晶体可视化清洁方法设备

[发明专利]基于光子晶体微腔的动态调Q装置和方法-CN201810487958.6有效
发明人：吴俊芳;李潮;王博 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明公开了基于光子晶体微腔的动态调Q装置，包括波长可调谐脉冲激光器、p‑i‑n结电光调制器以及光子晶体微腔‑波导结构；所述光子晶体微腔‑波导结构由前侧光子晶体波导、多模光子晶体微腔、后侧光子晶体波导组成；所述前侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的左侧，后侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的右侧。本发明还公开了基于光子晶体微腔的动态调Q方法。本发明结构简单，易于实现和集成，可以通过对多模光子晶体微腔的形状、结构和尺寸的精细设计来自由操控低Q值腔模和超高Q值腔模的谐振频率和Q值大小，使多模光子晶体微腔具有较大的动态调Q范围及较大的工作带宽。
基于光子晶体动态装置方法

[发明专利]一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法-CN201811325021.5有效
发明人：丁雨憧;刘军;屈菁菁 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂的温场结构及其生长方法，温场结构包括晶体生长腔室，晶体生长腔室上方设有盖板，盖板中心设有提拉操作通孔；在晶体生长腔室内底部中心设有坩埚，中频感应线圈环设于晶体生长腔室外部并与坩埚对应的位置，中频感应线圈接中频感应电源以在交变电流作用下对坩埚加热；在晶体生长腔室内位于坩埚正上方设有电阻加热元件，电阻加热元件与电源连接以为晶体降温阶段提供热量补偿。本发明中频感应线圈可以满足晶体生长所需的温场条件，电阻加热元件可为晶体降温阶段提供热量补偿，可在晶体拉脱后对晶体进行原位退火，并能降低晶体的冷却速度和温度梯度，可以有效抑制晶体开裂。
一种抑制石榴石结构闪烁晶体开裂及其生长方法

[发明专利]基于光子晶体非对易单向波导的高效率通道下路滤波器-CN201110133573.8无效
发明人：任宏亮;温浩;覃亚丽;刘恺;吴哲夫 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2011-05-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：一种基于光子晶体非对易单向波导的高效率通道下路滤波器，包括一个光子晶体下路波导和一个用以通过在上层的介质光子晶体中改变某个介质柱的半径而形成的光子晶体下路微腔，所述一个光子晶体下路微腔与一个光子晶体下路波导连接，所述高效率通道下路滤波器还包括一个用以控制光仅仅沿入射的方向流动传播而不会发生后向反射的光子晶体非对易单向波导，所述光子晶体非对易单向波导由在一种上层为一般介质光子晶体和下层为磁性光子晶体的界面形成，所述光子晶体下路微腔位于光子晶体非对易单向波导和光子晶体下路波导之间。
基于光子晶体单向波导高效率通道滤波器

[实用新型]一种激光晶体焊接装置-CN201520422003.4有效
发明人：许江珂;王戈;杜雪琴;孙铁民 -专利权人：大连淡宁实业发展有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光晶体焊接装置，属于光电技术领域。装置包括激光晶体焊接台、配重块、压盘连线、压盘、定位销钉、激光晶体焊接模具、激光晶体、金属焊片和激光晶体热沉；激光晶体焊接台固定连接在外部的固定基础上，激光晶体焊接台的表面上垂直固定连接定位销钉，压盘和激光晶体焊接模具通过其上的销钉孔与激光晶体焊接台上的定位销钉配合，激光晶体焊接模具位于压盘和激光晶体焊接台的上表面之间，并将重力直接作用在激光晶体、金属焊片和热沉上，配重块通过压盘连线连接在压盘上。本实用新型能够使激光晶体的金属焊接层实现厚度均且无气泡，热传导变得更加均匀可靠，从而提高激光器的输出能量、光束质量和使用寿命。
一种激光晶体焊接装置

[实用新型]湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置-CN201820576495.6有效
发明人：蒋新;刘礼勇;魏凯;施利君 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括水槽，所述水槽具有承托面和开口；晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；超声波组件，所述超声波组件用于驱动所述水槽中的水朝向所述晶体硅花篮流动进入双层晶体硅之间以分离晶体硅，所述超声波组件包括超声波发生器和与所述超声波发生器连接的至少一个超声波换能器超声波换能器驱动水槽中的水朝向晶体硅花篮流动，水进入双层叠合的晶体硅之间使得晶体硅分离，能使晶体硅柔性分离，碎片率低。
晶体硅水槽花篮超声波组件双层叠合超声波发生器超声波换能器湿法分离装置插置槽湿制程本实用新型并列设置分离晶体驱动承托面碎片率插置承托流动相叠置放开口

[实用新型]一种小型化梯型晶体滤波器-CN202020507142.8有效
发明人：彭胜春;阳皓;李亚飞;陈冬梅;陈仲涛;董姝;唐平 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H03H9/60 文献下载
摘要：本专利涉及晶体滤波器技术领域，具体涉及一种小型化梯型晶体滤波器，包括：串联晶片和并联晶片，所述串联晶片上设置有串联的多个性能参数相同的高频晶体谐振器，所述并联晶片上设置有并联的多个性能参数相同的低频晶体谐振器，高频晶体谐振器与低频晶体谐振器的连接关系包括：每串联的两个高频晶体谐振器之间并联一个低频晶体谐振器，低频晶体谐振器另一端接地。本专利将所有的高频晶体谐振器集成到一个晶片上，将所有的低频晶体谐振器集成到另一个晶片上，大大减小了体积；由于高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的电性能参数相同，便于规模化生产。
一种小型化晶体滤波器

[实用新型]一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚-CN202121031883.4有效
发明人：田野;顾跃;丁雨憧;李和新;刘军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽，籽晶槽与晶体生长槽连通，坩埚本体呈长方体结构，晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm，晶体生长槽整体由光滑的弧面构成，籽晶槽为长方体槽；通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度，解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险，还能使坩埚可以进行反复利用；并且通过坩埚晶体生长槽的设计解决坩埚晶体生长槽的折角处曲率半径小，导致此处晶体界面曲折率较大，容易引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等问题，使用本实用新型晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。
一种用于水平定向结晶晶体生长坩埚

[实用新型]一种晶体检测装置-CN202122230863.6有效
发明人：王光辉;陈悦清;邵国光 -专利权人：深圳优美创新科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：一种晶体检测装置，包括：检测盒，具有检测内腔，检测内腔侧壁开口；固定座，可拆卸设于检测内腔中；晶体卡槽，设于固定座上，用于承装待检测晶体；连接单元，贯穿检测盒并与晶体卡槽电性连接。通过从检测盒中抽出固定座，将待检测晶体放入固定座上的晶体卡槽中，再将固定座推入检测盒中，使待检测晶体通过晶体卡槽与连接单元电性连接，并通过连接单元进一步连接到主板，完成对待检测晶体的功能检测，检测完即抽出固定座，更换待检测晶体，推入固定座再次进行检测。使得在需要同时检测多个待检测晶体时，无需进行多次将待检测晶体焊接到主板上并拆卸的工作，实现了方便、快速更换待检测晶体的目的，极大的提高了检测效率。
一种晶体检测装置