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[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法-CN202110394727.2有效
发明人：张跃;于慧慧;张铮;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
基于纳米二维范德华双极型晶体管及其构筑方法

[发明专利]基于范德华接触垂直p-n结二极管及制备方法、半导体器件-CN202211509516.X在审
发明人：周兴;王浩云;宋星宇;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华接触垂直p‑n结二极管及制备方法、半导体器件。所述二维材料垂直p‑n结二极管，包括自上而下垂直堆叠的金属顶电极、p型二维材料、n型二维材料和底电极，其中，相邻两层的材料之间通过范德华力形成范德华接触，使得相邻两层的材料相互贴合不脱落。基于范德华接触的垂直p‑n结二极管界面平整而无缺陷和晶格破坏，避免了传统蒸镀方法对二维材料晶格产生的破坏，使得器件中费米钉扎导致的肖特基势垒和隧穿电流显著降低，从而大大提升该器件的整流性能。
基于范德华接触垂直二极管制备方法半导体器件

[发明专利]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法-CN202111128166.8在审
发明人：胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。利用光电三极管能带结构实现双波段红外信号探测，同时利用Si材料高吸光率作为近红外光敏材料和长波通滤波片来降低串扰，提升器件双波段红外响应。本发明的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
混合维度范德华异质结室温红外探测器制备方法

[实用新型]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器-CN202122332477.8有效
发明人：胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本专利公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。利用光电三极管能带结构实现双波段红外信号探测，同时利用Si材料高吸光率作为近红外光敏材料和长波通滤波片来降低串扰，提升器件双波段红外响应。本专利的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
混合维度范德华异质结室温红外探测器

[发明专利]一种表征纳米级厚度的范德华晶体光学各向异性的方法-CN201710956650.7有效
发明人：戴庆;胡德波;杨晓霞;李驰;刘瑞娜;胡海;刘梦昆 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种表征纳米级厚度的范德华晶体光学各向异性的方法，通过使用散射型扫描近场光学显微镜(s‑SNOM)在范德华晶体中激发寻常及非寻常波导模式，并对这些波导模式进行近场成像，进而通过对近场图像的分析求得所测范德华晶体的光学各向异性这一方法克服了传统表征手段对样品大小的限制，能够对单轴及双轴范德华晶体材料的光学各向异性进行精准的表征。
一种表征纳米厚度范德华晶体光学各向异性方法

[发明专利]双色光电探测器及其制备方法-CN201910800279.4有效
发明人：张晓东;张凯;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明揭示了一种双色光电探测器及其制备方法，所述双色光电探测器包括衬底、位于衬底上的pn异质结、及位于pn异质结上的电极，所述pn异质结包括位于衬底上的n型半导体层及位于n型半导体层上的p型半导体层，所述电极包括与n型半导体层电连接的第一电极及与p型半导体层电连接的第二电极，n型半导体层和p型半导体层通过范德华力形成pn异质结。本发明的双色光电探测器采用n型材料和p型材料通过范德华力形成pn异质结，优选地采用BP二维材料和β‑Ga2O3材料通过范德华力形成BP/β‑Ga2O3异质结，p型的BP材料进行中红外探测，n型的β‑Ga2O
色光探测器及其制备方法

[发明专利]基于有机-无机范德华异质结的双极性场效应晶体管-CN201810888485.0有效
发明人：闫婕;孙祎萌;徐伟;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机‑无机范德华异质结的双极性场效应晶体管。该有机‑无机范德华异质结器件，由下至上依次为有机聚合物薄膜层、无机半导体层和上电极，且所述上电极位于所述无机半导体层两端的上方；构成所述有机聚合物薄膜层的材料为PDVT‑10；所述无机半导体层的材料为MoS该器件具有双极性晶体管特性，n型迁移率最高可达2.45cm2V‑1S‑1，p型迁移率最高可达0.80cm2V‑1S‑1，开关比可达10极管特性明显，击穿电压为5V，整流比约78，理想因子6.4。
基于有机无机范德华异质结极性场效应晶体管

[发明专利]一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构-CN202011162691.7有效
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构，属于半导体技术领域，包括：源极：空穴注入的单层硼烯，漏极：电子注入的单层C4N4，光敏结构：包括本征单层硼烯与本征单层C4N4垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与本征单层硼烯和C4N4连接的源漏极；其中硼烯和C4N4双门压调控发光二极管电子传输的非对称性；本发明的结构能够解决现有技术中无法有效调控范德华异质结层间肖特基势垒的问题。
一种表面吸附锂离子范德华异质结光电二极管器件结构

[发明专利]基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管及其制备方法-CN202311011249.8在审
发明人：魏钟鸣;辛凯耀;杨珏晗;翟慎强;刘岳阳;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
基于云母介质二维场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于范德华界面的柔性透明铁电晶体管-CN202211186849.3在审
发明人：杨琼;李乐;姜杰 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华界面的柔性透明铁电晶体管及制备方法，所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。包括在衬底上依次由上到下竖直分布的半导体沟道层、栅绝缘层、底部缓冲层、底栅电极、分别位于半导体沟道层两侧的源极、漏极。半导体沟道层、底部缓冲层采用二维材料，栅绝缘层采用铁电薄膜材料，底栅电极、源极和漏极均采用氧化铟锡材料，衬底采用单晶云母材料。本发明通过在栅绝缘层与底栅电极之间引入二维材料作为缓冲层，实现了各组成部分之间均由范德华力连接的晶体管结构。
一种基于范德华界面柔性透明晶体管

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN201911196921.9在审
发明人：秦胜妍;屈军毅 -专利权人：深圳市立洋光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件及其制备方法，光电器件包括第一电极、第二电极、n型层和p型层，所述p型层层叠在所述n型层上并且形成范德华异质结构，所述第一电极与所述n型层电连接，所述第二电极与所述p型层电连接；所述n型层的材料为SnS2，所述p型层的材料为GaSe。上述光电器件通过SnS2和GaSe形成范德华异质结构，将这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构设置在柔性衬底上进行光电特性检测时，发现这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构具有较佳的光电特性。应用了这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的光电器件会由于p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的较佳的光电特性而具有更好的性能
光电器件及其制备方法

[发明专利]一种范德华异质结器件及其制备方法和应用-CN201811014583.8有效
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;王振兴;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的基底、二碲化钼纳米片、二硫化钼纳米片和金属电极，所述二碲化钼纳米片的横截面积大于所述二硫化钼纳米片的横截面积。本发明的范德华异质结器件可以实现导电极性的动态调节。在不同的偏压条件下，基于该范德华异质结器件的场效应晶体管可分别实现双极性和N型导电极性，并展现出超高电流开关比(～107)、电流整流比(～10
一种范德华异质结器件及其制备方法应用

[发明专利]一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法-CN202010409014.4有效
发明人：陈晓龙;王琳;王太宏;宗新荣 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。
一种具有异质结红外发光二极管及其制备方法

[发明专利]自对准外延生长的双极型晶体管-CN200580036080.5无效
发明人：彼得·马格涅;韦伯·范诺尔特;约翰·唐克斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：公开了一种形成自对准双极型晶体管的方法，所述方法包括：使用第一双极型掩模在双极型区中限定双极型有源区和场区，双极型区和CMOS区由隔离区分开，其中，限定双极型有源区包括；将双极型有源区刻蚀到预定深度；将SiGe型基极层沉积到双极型有源区和场区中；以及在双极型有源区内的SiGe型基极层上形成内部隔板；在双极型有源区中的内部隔板之间形成发射极区，其中，形成发射极区包括；用掺杂硅填充发射极区；使用第二双极型掩模限定非本征基极区，由于第二双极型掩模提供的掩模保护作用，去除SiGe型基极层中的材料；对CMOS区内的集电极区进行注入；以及对于有源晶体管区的非本征基极区、发射极区和集电极区的每一个，限定至少一个接触区。
对准外延生长双极型晶体管

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