专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质轻金属拼接板挤压成形装置及成形方法-CN202010620482.6有效
  • 李峰;高磊;杜华秋;霍鹏达;臧云琦 - 哈尔滨理工大学
  • 2020-07-01 - 2022-02-18 - B21C23/22
  • 本发明公开了一种异质轻金属拼接板挤压成形装置及成形方法,装置方案:挤出模沿挤压套筒上下滑动,挤出模上设有矩形模口,挤压套筒内设有坯料,挤压套筒内壁远离坯料的位置和冲头的外周侧滑动密封连接;方法方案:在挤出过程中、冷却液从冷却液通孔流出,对挤出的异质轻合金结合板进行冷却;移除和异质轻合金结合板所接触的部件,取出异质轻金属拼接板制品。本异质轻金属拼接板挤压成形装置及成形方法,采用“以挤代焊”方式实现不同材质轻合金板材沿厚度方向的接合,坯料受到三向压应力作用并从挤出模模口顺次挤出成形,拼接板厚度方向界面的连接强度显著提升,在单道次挤压成形过程中即可达到连接成形异质轻金属拼接板的功效
  • 一种轻金属拼接挤压成形装置方法
  • [发明专利]异质复合型光催化剂及其制备方法-CN201510083742.X在审
  • 刘宏;于欣;张健 - 北京纳米能源与系统研究所
  • 2015-02-16 - 2016-10-05 - B01J23/755
  • 本发明公开了一种异质复合型光催化剂及其制备方法。该光催化剂包括:核,所述核的材料为n型半导体材料或p型半导体材料;中间层,包覆在核的外周,所述中间层的材料为还原氧化石墨烯;外层,包覆在中间层的外周,所述外层的材料为与核类型不同的n型半导体材料或上述异质复合型光催化剂具有p-r-n结构或者n-r-p结构的异质复合型光催化剂,这种异质复合型光催化剂在光的照射下,光生载流子可以实现由核向外层的径向分离,进而缩短了载流子的分离距离。
  • 复合型光催化剂及其制备方法
  • [实用新型]一种新型异质结太阳电池的封装结构-CN202120786196.7有效
  • 李晓昱 - 李晓昱
  • 2021-04-16 - 2021-11-16 - H01L31/0224
  • 本实用新型涉及一种新型异质结太阳电池的封装结构,所述的封装结构包括自下而上设置的带可导电TCO层的异质结电池元件、电导线、胶膜、封装玻璃。其中电导线凸出布置在异质结电池可导电的TCO层表面上方,与传统丝网印刷技术相比,减少了光损耗。电导线结构包括金属线和表面包覆层,金属线选用圆形或多边形截面。电导线表面包覆层填充在TCO层表面起伏不平的金字塔结构和金属线之间,与金属线和TCO层均能形成良好的面接触,对金属线的包覆方式可以是全包覆或者是部分包覆,包覆层所使用的材料本身具有良好的导电性能,本实用新型中所述的一种新型异质结太阳电池的封装结构既增加了HIT电池的发电效率,又降低了原料成本。
  • 一种新型异质结太阳电池封装结构
  • [发明专利]异质结电池、光伏组件及该异质结电池的制备方法-CN202111053914.0在审
  • 吴新正;马建伟 - 南京苏煜新能源科技有限公司
  • 2021-09-09 - 2021-12-03 - H01L31/0224
  • 本申请提供了一种异质结电池、光伏组件及该异质结电池的制备方法,所述异质结电池包括硅基底、依次层叠设置在所述硅基底一侧表面的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层与第一金属电极,所述第一金属电极包括第一主栅及第一副栅,所述第一主栅设置为银主栅;所述第一副栅包括复合导电颗粒,所述复合导电颗粒包括体及包覆在所述体外周表面上的壳体,所述体采用石墨或由铜、镍、锌、铝中的至少一种构成的金属材料制得,所述壳体采用银或氧化铟锡制得本申请通过对异质结电池的电极结构及金属化的材料与制程进行创新设计,保持电流传输性能及电池效率的同时,降低银浆耗量与材料成本,有助于异质结电池的产业化发展。
  • 异质结电池组件制备方法
  • [发明专利]一种全光纤传感器-CN201711075723.8在审
  • 刘长波;李海清 - 武汉长进激光技术有限公司
  • 2017-11-06 - 2018-03-13 - G01K11/32
  • 本发明公开了一种全光纤传感器,其包括一ASE宽带光源、第一单模光纤、异质包层结构光子晶体光纤、第二单模光纤及光谱仪,所述第一单模光纤一端与所述ASE宽带光源连接,所述第一单模光纤的另一端与所述异质包层结构光子晶体光纤的一端熔接,所述第二单模光纤的一端与所述光谱仪连接,所述第二单模光纤的另一端与所述异质包层结构光子晶体光纤的另一端熔接,所述异质包层结构光子晶体光纤包括一外包层、一纯石英及若干掺锗棒,所述纯石英包裹着所述掺锗棒,所述外包层包裹着所述纯石英
  • 一种光纤传感器

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