专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种胶合板连续输送装置-CN202122301463.X有效
  • 胡现营;张永尚 - 夏邑县金展木业有限责任公司
  • 2021-09-18 - 2022-01-28 - B65G45/18
  • 本实用新型实施例涉及胶合板生产技术领域,具体涉及一种胶合板连续输送装置,其包括设置在地面上的基架、以及设置在基架上用于输送胶合板的输送机构,所述基架上设置有用于清理链条上残留以及载杆上残留的清理机构本实用新型的有益效果为:在实际使用时,当粘合滴落在链条以及载杆的端部形成残留后,清理机构上的第二电机带动刷辊转动对链条以及载杆上的残留进行刷除,从而将残留进行清理,清理后的残留附着在刷辊上,随着刷辊的转动,刷板上的刷毛将刷辊上的残留清理,从而使刷辊上保持无残留附着或少量残留附着的状态,即本申请通过刷辊来对残留进行清理,通过刷板对刷辊进行清理以保证刷辊的正常使用。
  • 一种胶合板连续输送装置
  • [实用新型]针头清洁装置-CN201420110628.2有效
  • 何选民 - 何选民
  • 2014-03-12 - 2014-11-12 - B08B5/02
  • 一种点针头清洁装置,包括回收桶,还包括吹气结构,当残留有胶水的点针头伸入到回收桶内,从吹气结构的吹气管流出的气体使残留胶水脱离点针头,并滴落入回收桶中。本实用新型中从出气孔流出的气体在不同的方向上对残留胶水施力,使残留胶水受力均衡,残留胶水脱离点针头后,基本垂直地滴落入回收内胆中;具有结构简单、使用方便、生产成本低、清洗点针头和收集残留胶水效果好等优点
  • 针头清洁装置
  • [发明专利]一种光刻去除方法及装置-CN201911359995.X在审
  • 周飞;仰庶;张晓燕;陈福平;王晖 - 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2021-06-25 - G03F7/42
  • 本发明提供一种光刻去除方法及装置,该方法包括:湿法去胶步骤:采用基板片传送装置将基板片传送到湿法去胶腔体中以去除基板片表面的光刻;缺陷检测步骤:采用缺陷检测装置检测基板片表面的光刻残留量,若光刻残留量低于预设值,则进行下一基板片的湿法去胶步骤及缺陷检测步骤;若光刻残留量高于预设值,则进行去胶返工步骤,并重复所述缺陷检测步骤;其中,所述去胶返工步骤包括:采用基板片传送装置将所述基板片再次传送到所述湿法去胶腔体中以去除所述基板片表面残留的光刻本发明可以在线检测基板片是否存在光刻残留,根据光刻残留区域的分布及光刻残留量自动选择返工时间和喷液管摆臂程序,从而提升返工效率。
  • 一种光刻去除方法装置
  • [发明专利]去除光刻显影后残留缺陷的方法-CN201711178203.X有效
  • 吴杰 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-11-23 - 2019-11-19 - H01L21/027
  • 本发明公开了一种去除光刻显影后残留缺陷的方法,包括如下:步骤一、在晶圆上形成光刻并进行曝光和显影形成光刻图形,通过曝光对光刻图形的尺寸进行预先定义;步骤二、进行光刻预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻残留,同时光刻预处理工艺使光刻图形的尺寸缩小,结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明能实现去除光刻显影后的残留,从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留
  • 去除光刻显影残留缺陷方法
  • [发明专利]一种高压去除晶体表面残留光刻的方法-CN201510285479.2在审
  • 李红伟 - 青岛蓝农谷农产品研究开发有限公司
  • 2015-05-29 - 2017-01-04 - G03F7/42
  • 本发明公开了一种高压去除晶体表面残留光刻的方法,其特征在于,具体包括如下工艺步骤:(1)表面预处理;(2)配备脱胶液;(3)CO2高压处理;(4)清洗溶胶;(5)烘干。特殊的脱胶液有利于光刻的溶解,可有效的去除残留于半导体晶片表面的含锑的盐类以及研磨剂颗粒等污染物残留,减少或消除了由于残留带来的光刻工艺中套刻量测的误差以及残留物对金属锑的腐蚀,提高了器件的可靠性及稳定性高压CO2在脱胶液釜内萃取光刻残留,极大缩短了残留光刻脱除的时间,提高了脱除效率,降低了能源浪费;控制脱胶液釜的操作参数,能够快速的保持脱胶液的溶解环境,使残留光刻去除的更为彻底,保证了半导体晶片的良率
  • 一种高压去除晶体表面残留光刻方法
  • [发明专利]一种封装方法和LED灯板-CN202010262305.5有效
  • 米智;廖加成;白耀平 - 深圳市洲明科技股份有限公司
  • 2020-04-06 - 2021-04-13 - H01L33/48
  • 封装方法包括以下步骤:将黑色封装到灯板上形成黑层,灯板包括板体和焊接在板体上的若干发光芯片单元,灯板上封装形成的黑层高于发光芯片单元;使用有机溶剂浸泡灯板使得若干发光芯片单元间隙中形成残留层;LED灯板包括板体、若干发光芯片单元和残留层,残留层通过所述的封装方法所得。通过先封装黑层,然后经有机溶剂刻蚀使得若干发光芯片单元间隙中形成残留层,利用该残留层可以有效地减少背景的发光,提高Mini LED显示画面的对比度,且整个封面是一体结构,可以有效地提高显示地稳定性
  • 一种封装方法led灯板
  • [发明专利]光刻去除方法及半导体器件制造方法-CN202210411034.4在审
  • 于良成;杨国文;惠利省 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2022-04-19 - 2022-07-29 - G03F7/42
  • 本发明提供一种光刻去除方法及半导体器件制造方法,涉及半导体器件制备技术领域。该光刻去除方法包括:将器件的光刻剥离,得到附着有残留光刻的器件;将附着有残留光刻的器件置于腔室内,再将腔室内的环境温度调节至第一温度,环境压力调节至第一压力,并向腔室内通入第一流量的含氢气体以软化器件的残留光刻;将腔室内的环境温度调高至第二温度,环境压力调高至第二压力,并向腔室内通入第二流量的含氢气体以去除残留光刻;第二流量小于第一流量。该光刻去除方法利用含氢气体先在较低的第一温度下软化残留光刻再在较高的第二温度下去除残留光刻,不仅可以提升处理速率,且可以防止器件因长时间处于高温环境而被损伤。
  • 光刻去除方法半导体器件制造

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