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[发明专利]一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法-CN200910199045.5无效
发明人：吴东平;张世理;王鹏飞;仇志军;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。
一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法-CN201010023067.9有效
发明人：吴东平;张世理;葛亮;仇志军 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法-CN200910196982.5有效
发明人：吴东平;张世理;仇志军 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-10-10 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。
一种混合场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种肖特基结源漏CMOS finFET及其制作方法-CN202111671684.4有效
发明人：刘战峰 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制作技术领域，具体公开了一种肖特基结源漏CMOS finFET，其中，包括：底层电路和设置在底层电路上的至少一层顶层电路，底层电路与顶层电路之间、以及每相邻两层顶层电路之间均设置第一介质层，每层顶层电路均包括源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属和漏极金属分别位于栅极金属的两侧，源极金属和漏极金属形成肖特基结，栅极金属的表面设置第二介质层，第二介质层、源极金属和漏极金属的表面均设置第一绝缘层本发明还公开了一种肖特基结源漏CMOS finFET的制作方法。本发明提供的肖特基结源漏CMOS finFET能够优化CMOS电路的性能。
一种肖特基结源漏 cmos finfet 及其制作方法

[发明专利]一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法-CN201010132084.6无效
发明人：吴东平;张世理;朴颖华 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该不对称型源漏场效应晶体管是指晶体管的源区和漏区之一是由PN结构成而另一个是由PN结和肖特基结组成的混合结构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法-CN201510518302.2在审
发明人：贾仁需;彭博;吕红亮;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：6H-SiC漏区、6H-SiC源区、6H-SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H-SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层；6H-SiC漏区、6H-SiC源区、6H-SiC沟道区位于4H-SiC衬底上；源极位于6H-SiC源区上，肖特基接触栅电极位于6H-SiC沟道区上，漏极位于6H-SiC漏区上；SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极，以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度，从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。
异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管制造方法

[发明专利]异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法-CN201510518311.1有效
发明人：贾仁需;彭博;吕红亮;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H‑SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区位于4H‑SiC衬底上；源极位于3C‑SiC源区上，肖特基接触栅电极位于3C‑SiC沟道区上，漏极位于3C‑SiC漏区上；SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极，以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度，从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。
异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管制造方法

[发明专利]异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法-CN201510518723.5有效
发明人：贾仁需;彭博;吕红亮;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、Si衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区位于S i衬底上；源极位于3C‑SiC源区上，肖特基接触栅电极位于3C‑SiC沟道区上，漏极位于3C‑SiC漏区上；SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极，以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度，从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。
异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种基于锗的杂质分凝源漏的场效应晶体管及其制备方法-CN202211348373.9在审
发明人：张睿;闫婧 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锗的杂质分凝源漏的场效应晶体管及其制备方法。首先在锗衬底上沉积栅氧化层和金属栅层，通过光刻和刻蚀形成场效应晶体管的栅极结构；其次在栅极两侧形成场效应晶体管的肖特基结源漏区域，形成场效应晶体管器件。在制备源端时，采用与衬底掺杂相反的杂质分凝肖特基结，以提高源端的载流子注入电流速度，进一步提高沟道载流子的速度，提高器件的工作电流。同时在制备漏端时，采用与衬底掺杂相同的杂质分凝肖特基结，以减小漏端的电场强度，进一步减小高速载流子对晶格的碰撞，减少热电子效应，增强器件可靠性。本发明能够通过调节源漏肖特基势垒高度，有效提升器件的驱动电流，提高器件的可靠性。
一种基于杂质分凝源漏场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS-CN201910055794.4有效
发明人：祝靖;田甜;李少红;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。
一种反向恢复电荷功率 vdmos

[实用新型]超结金属栅场效应晶体管-CN201720464754.1有效
发明人：任留涛 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管，包括肖特基二极管和超结MOSFET；所述超结MOSFET包括由上至下依次设置的N+源区外延层、P+体区外延层、N‑耐压漂移层和N+衬底层，所述N+源区外延层的边缘处开设有肖特基沟槽，所述N+源区外延层的中心开有栅极沟槽，所述肖特基沟槽的底部和所述栅极沟槽的底部均位于所述N‑耐压漂移层内；所述N‑耐压漂移层的边缘设有P‑电荷补偿区，所述P‑电荷补偿区位于所述肖特基沟槽的底部；所述超结MOSFET的漏极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的源极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的漏极的铝线和源极的铝线之间交叉布线。
金属场效应晶体管

[发明专利]使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法-CN200480028742.X无效
发明人： J·P·斯奈德;J·M·拉森 -专利权人：斯平内克半导体股份有限公司
申请日： 2004-10-04 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种制造用于调整电流量的晶体管器件的方法，其中，该器件具有肖特基势垒金属源极—漏极接触。在一个实施例中，该方法在形成金属源极—漏极接触之前采用各向同性蚀刻工艺，以对相对于沟道区域的肖特基势垒结位置提供更好的控制。对于肖特基势垒10结位置的可控制性的改进使得驱动电流增加和器件性能优化，从而显著改进可制造性。
使用各向同性蚀刻工艺肖特基势垒 mosfet 制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111351374.4有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底以及设置在衬底上的半导体层，半导体层划分有有源区和位于有源区外围的无源区；有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，无源区内的半导体层上设有漏极焊盘和栅极焊盘，漏极与漏极焊盘电连接，栅极的一端通过源场板与栅极焊盘连接、另一端位于源极和漏极之间，栅极焊盘至少部分设置于无源区，源极通过接地背孔接地，有源区内的半导体层上还设有肖特基结，肖特基结的正极与栅极焊盘电连接、负极与源极通过二维电子气实现电连接，肖特基结的正向开启电压大于栅极的正向开启电压。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01122374.X有效
发明人：八木下淳史;松尾浩司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-07-11 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在侧壁由侧壁绝缘膜和层间绝缘膜构成的沟的底部的硅衬底上,形成硅化物构成的肖特基结和源/漏。在肖特基结和源/漏上形成源极/漏极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]动态肖特基势垒MOSFET器件及其制造方法-CN200480035196.2无效
发明人： J·P·斯奈德;J·M·拉森 -专利权人：斯平内克半导体股份有限公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该器件包括与半导体衬底形成肖特基势垒或类肖特基结的金属—绝缘体—半导体的源极—漏极接触。该器件包括在半导体衬底和金属源极和/或漏极电极之间的界面层，从而可通过施加不同的偏置条件来动态地调节肖特基势垒的高度。动态的肖特基势垒调节为低的漏极偏置条件提供了增加的电流，降低了肖特基势垒MOSFET器件的亚线性导通特性并改善了器件性能。
动态肖特基势垒 mosfet 器件及其制造方法

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