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[发明专利]用以阻滞神经通信的耗尽阻滞-CN201580014615.2在审
发明人：曼弗雷德·弗兰克;戴维·J·特恩斯;胡安·加布里埃尔·因卡皮耶·奥多内滋;斯蒂芬·B·鲁布尔;詹森·J·哈曼;阿尔琼·沙玛 -专利权人：心脏起搏器股份公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：系统的一个实例可以包括耗尽阻滞神经刺激器和耗尽阻滞控制器。耗尽阻滞神经刺激器可以被配置为递送耗尽阻滞刺激到神经。耗尽阻滞刺激可以包括在约100Hz至约1000Hz之间的范围内的脉冲频率处的一连串脉冲。所述耗尽阻滞控制器可以被配置为与耗尽阻滞神经刺激器进行通信和控制耗尽阻滞刺激。耗尽阻滞控制器可被配置为接收开始耗尽阻滞信号并通过启动对神经递送耗尽阻滞刺激来响应于所接收到的开始耗尽阻滞信号，而且耗尽阻滞控制器可被配置成接收停止耗尽阻滞信号并通过终止对神经递送耗尽阻滞刺激来响应于所接收到的停止耗尽阻滞信号
用以阻滞神经通信耗尽

[发明专利]一种耗尽型功率电路及级联型漏电流匹配电路-CN202111569794.X在审
发明人：李继华;章涛;朱廷刚;宋亮 -专利权人：科能芯（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种耗尽型功率电路及级联型漏电流匹配电路，属于电子技术领域，耗尽型功率电路包括：四个耗尽型功率器件，第二耗尽型功率器件的漏极与第一耗尽型功率器件的漏极连接，源极与第一耗尽型功率器件的源极连接，栅极与第四耗尽型功率器件的源极连接；第三耗尽型功率器件的源极与第一耗尽型功率器件的栅极连接，漏极与第四耗尽型功率器件的源极连接，栅极与第三耗尽型功率器件的源极短接；第四耗尽型功率器件的漏极与第一耗尽型功率器件的源极连接，栅极与第四耗尽型功率器件的源极短接；耗尽型功率电路能与各种Si MOS器件搭配使用，形成级联型结构，并实现级联型漏电流匹配电路的漏电流平衡，提高了电路的稳定性。
一种耗尽功率电路级联漏电匹配

[发明专利]将内存耗尽处理流程卸载到用户空间的方法和装置-CN201610320045.6有效
发明人：袁林思;王柏生;孙栋;李志勇 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本申请公开了将内存耗尽处理流程卸载到用户空间的方法和装置。所述方法的一具体实施方式包括：当进程触发内存耗尽事件时，将所述内存耗尽事件的相关信息写入用户空间与内核空间共享的内存页面；所述用户空间的内存耗尽服务进程通过所述内存页面获取所述内存耗尽事件的相关信息；所述用户空间的内存耗尽服务进程利用所述内存耗尽事件的相关信息处理所述内存耗尽事件该实施方式实现了将内核态的内存耗尽处理卸载到用户态执行，将整个内存耗尽处理过程交由一个用户态进程来完成，降低内存耗尽处理执行的复杂度，也易于内存耗尽处理策略的调整及业务的升级替换。
耗尽内存用户空间卸载方法和装置处理流程服务进程内存页面相关信息用户态处理策略处理执行内核空间信息处理复杂度内核态触发替换写入进程共享升级申请

[发明专利]耗尽型开关管电路-CN201510130783.X有效
发明人：雷顺辉 -专利权人：帝奥微电子有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种耗尽型开关管电路，用以控制第一端及第二端之间的讯号传输，包括耗尽型开关管模块，其包含第一耗尽型开关管、第二耗尽型开关管以及第三耗尽型开关管，其中，该第一耗尽型开关管的漏极与该第三耗尽型开关管的漏极、该第一端相连接；该第一耗尽型开关管的源极与该第二耗尽型开关管的漏极、该第二端相连接；以及该第一耗尽型开关管的栅极与该第二耗尽型开关管的源极、该第二耗尽型开关管的源极相连接。
耗尽开关电路

[发明专利]一种动态电阻及芯片及电路-CN201811002311.6在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端；具有电路损耗小，对浪涌电流完全隔离
耗尽型器件动态电阻电路漏极源极芯片电流输出端电流输入端电路损耗浪涌电流完全隔离电隔离发热串联响应

[发明专利]液体产品耗尽报警系统和方法-CN201780041757.7有效
发明人： H·伊斯梅尔;K·T·杜比茨尔;L·M·霍尔兹曼;S·S·沙尔佩;J·A·卡尔哈梅尔;M·F·祖尔贝伊 -专利权人：艺康美国股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： D06F39/02 文献下载
摘要：一种产品耗尽报警系统(100A，200A)和产品耗尽报警过程，包含：通过从连接到用于将产品输送到流体分配部位(105，105A‑105N)的流体输送介质(120)的光学传感器组合件(200，206)发送信号到控制器(104，258)来开始产品耗尽检查；执行产品耗尽检查；在接收到产品耗尽信号之后以所述控制器(104，258)运行报警循环；以及执行校正动作，因而执行所述产品耗尽检查包含：将光导引到所述流体输送介质(120)中；基于所述流体输送介质(120)内检测到的光来生成检测器输出；基于所述检测器输出与产品耗尽阈值的比较确定所述流体输送介质内的产品耗尽状态；当确定所述产品耗尽状态时启动产品耗尽计时器；以及当所述产品耗尽计时器达到阈值产品耗尽时间段时确定产品耗尽事件
液体产品耗尽报警系统方法

[发明专利]一种TBU电路-CN202310634791.2在审
发明人：张少锋;赵兴杰;邓琪 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏极连接P沟道耗尽型MOSFET的栅极，限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极。本发明采用P沟道耗尽型MOSFET作为高压器件，既能限流，也能够抑制高压。
一种 tbu 电路

[发明专利]半导体装置以及相关联的方法-CN201610685412.2有效
发明人：马塞厄斯·罗斯;简·雄斯基 -专利权人：耐智亚有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：半导体装置(200)包括管芯源极端(222)、管芯漏极端(224)和管芯栅极端(226)；半导体管芯(202)；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管(203)，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端(204)、耗尽漏极端(206)和耗尽栅极端(208)，其中该耗尽漏极端耦合到该管芯漏极端且该耗尽栅极端耦合到该管芯源极端；增强型晶体管(213)，该增强型晶体管(213)包括增强源极端(214)、增强漏极端(216)和增强栅极端(218)，其中该增强源极端耦合到该管芯源极端，该增强栅极端耦合到该管芯栅极端并且该增强漏极端耦合到该耗尽源极端；以及箝位电路(230)，该箝位电路(230)耦合在该耗尽源极端与该耗尽栅极端之间
半导体装置以及相关方法

[发明专利]基准电压产生电路和振荡器-CN202110393980.6在审
发明人：王红义;陈帅谦 -专利权人：拓尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。
基准电压产生电路振荡器

[实用新型]基准电压产生电路和振荡器-CN202120751339.0有效
发明人：王红义;陈帅谦 -专利权人：西安拓尔微电子有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。
基准电压产生电路振荡器

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201210211463.3有效
发明人：黄仁俊;吴在浚;李在垣;崔孝枝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据示例实施方式，一种晶体管包括形成在基板上的沟道层、沟道上的第一沟道供应层、耗尽层、第二沟道供应层、第一沟道供应层上的源电极和漏电极、以及耗尽层上的栅电极。沟道层包括2DEG沟道以及耗尽区，2DEG沟道配置为产生二维电子气；第一沟道供应层对应于所述2DEG沟道，并限定暴露所述耗尽区的开口。耗尽层在沟道层的所述耗尽区上。第二沟道供应层在所述耗尽层和所述耗尽区之间。
晶体管及其制造方法

[发明专利]基准电压电路-CN201310077421.X有效
发明人：宇都宫文靖 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：通过使栅极与源极连接且有恒定电流流过的第一耗尽型晶体管的恒定电流流过具有与第一耗尽型晶体管相同的阈值的第二耗尽型晶体管，从而在第二耗尽型晶体管的栅极和源极之间产生第一电压。使第一耗尽型晶体管的恒定电流以及栅极与源极连接且有恒定电流流过的第三耗尽型晶体管的恒定电流流过第四耗尽型晶体管。第四耗尽型晶体管具有与第三耗尽型晶体管相同的阈值，由于与第一耗尽型晶体管的阈值不同，所以在栅极和源极之间产生第二电压。基于与这两个电压的电压差来产生基准电压。
基准电压电路

[发明专利]恒流电路-CN201910794631.8有效
发明人：松田贵志;前谷文彦 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：构成为具备串联连接在第一端子与第二端子之间的高耐压的耗尽型NMOS晶体管和低耐压的耗尽型NMOS晶体管，低耐压的耗尽型NMOS晶体管具备串联连接的第一耗尽型NMOS晶体管和第二耗尽型NMOS晶体管，高耐压的耗尽型NMOS晶体管的栅极连接于第一耗尽型NMOS晶体管与第二耗尽型NMOS晶体管的连接点。
流电

[发明专利]耗尽电压获取方法-CN202111367378.1在审
发明人：柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压
耗尽电压获取方法

[发明专利]电池耗尽防止装置及其方法和电池耗尽防止系统-CN202010945235.3在审
发明人：大久保谕;藤泽滉树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本发明提供电池耗尽防止装置及其方法和电池耗尽防止系统。电池耗尽防止装置具备：用户信息登记部(341)，其登记用户的信息；电池余量取得部(343)，其取得车辆(1)的电池余量；电池耗尽预测部(344)，其根据电池余量取得部(343)取得的电池余量，预测车辆(1)的电池耗尽的可能性；使用请求指令部(345)，其根据电池耗尽预测部(344)预测到的电池耗尽的可能性，向用户具有的终端(20)发送使用请求指令，该使用请求指令请求使用车辆(1)以进行电池充电。
电池耗尽防止装置及其方法系统

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