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[发明专利]基于缺陷地结构的阵列天线-CN201910067800.8有效
发明人：许锋;羌静霞;樊文君 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：基于缺陷地结构的阵列天线，包括介质基片、顶层金属层、及底层金属层，顶层金属层包括两个相对设置的天线单元贴片；介质基片的一侧设置有两个馈电端口，每个馈电端口对应于一个天线单元贴片，每个天线单元贴片均通过一微带线与一馈电端口相连接；底层金属层设置有缺陷地结构，缺陷地结构在介质基片上的投影位于两个天线单元贴片在介质基片上的投影之间；缺陷地结构包括多个相互连接、且呈直线排列的第一六芒星形槽，每个第一六芒星形槽的每个顶点处均设置有一个第二六芒星形槽本发明优化了传统的阵列天线，设计结构简单，降低了天线单元间的互耦，提升了天线的增益，更适合应用于现代微波毫米波天线的低耦合、高增益的要求。
基于缺陷结构阵列天线

[实用新型]一种delta形缺陷地结构-CN201520546053.3有效
发明人：喇东升;贾守卿;马雪莲 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种delta形缺陷地结构，缺陷地结构的接地板上刻蚀有δ形缺陷结构。本实用新型通过在接地板上刻蚀δ形缺陷结构，形成δ形缺陷地结构，再利用该δ形缺陷地结构设计得到阻带滤波器，由于所述的δ形缺陷地结构相对于M形、π形、U形或T形缺陷结构更小，因而设计所得的阻带滤波器可以更好的满足滤波器小型化的要求此外，本实用新型中所述的δ形缺陷地结构的带阻特性较好，利用该δ形缺陷地结构设计所得的双频带带阻滤波器，在每一个阻带外都具有反射零点，从而有效提高了双频带带阻滤波器的选择特性。
一种 delta 缺陷结构

[发明专利]一种基于缺陷地结构的移相器-CN202310492848.X在审
发明人：李璐;钱慧珍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种基于缺陷地结构的移相器，该移相器包括介质基板、缺陷地结构以及微带结构；缺陷地结构设置在介质基板的一侧；微带结构设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，所述微带结构为边缘耦合结构；所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配；由于缺陷地结构能够改变微带线的分布电感和分布电容，具有慢波效应，可实现移相器的小型化；同时微带结构为形成边缘耦合结构，能够优化工作频率下的阻抗匹配，实现较宽的带宽范围，以实现移相器的良好的S参数。
一种基于缺陷结构移相器

[实用新型]一种具有宽阻带的双通带带通滤波器-CN202120546049.2有效
发明人：刘晨风 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有宽阻带的双通带带通滤波器，包括谐振结构、缺陷地和空气桥，所述谐振结构由位于底层上的二分之一波长的阶跃阻抗缺陷地结构谐振器和位于顶层上的四分之一波长的微带阶跃阻抗谐振器组成，所述阶跃阻抗缺陷地结构谐振器包括一对阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅰ和一对阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅱ，一对所述阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅰ对称设置，一对所述阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅱ对称，所述阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅱ位于阶跃阻抗缺陷地结构谐振器Ⅰ的中间位置；本实用新型包括两个通带，每一个通带由位于底层的二分之一波长阶跃阻抗缺陷地结构谐振器和位于顶层的四分之一波长微带阶跃阻抗谐振器共同形成。
一种具有宽阻带双通带带通滤波器

[发明专利]基于缺陷地结构的微带延迟线-CN201110441316.0有效
发明人：吕翼;李伟;张龙;唐盘良;朱勇;董姝 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01P9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于缺陷地结构的微带延迟线，包括微带延迟线结构，该结构包括介质板，所述介质板的正面为任意结构的左手延迟线或左右手复合结构延迟线，所述介质板的背面为去掉了部分本体的金属面，去掉的部分与正面延迟线相匹配构成的缺陷地结构等效于并联电感；还包括设置于电路板两侧的电极，以及设置于微带延迟线两侧且与微带延迟线电连接的射频接头，本发明充分利用了左手或左右手延迟线的高时延低插损特性，以及缺陷地结构的易实现、易调谐和易加工的特性，相比于常规的微带延迟线
基于缺陷结构微带延迟线

[发明专利]带缺陷地结构的Doherty放大器-CN201611175442.5有效
发明人：宋亮;尹利娟;宋贺伦;张耀辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带缺陷地结构的Doherty放大器，包括信号分离器、主放大电路、至少一个辅助放大电路及信号合路器；信号分离器对输入信号进行分离后发送至主放大电路和辅助放大电路；主放大电路和辅助放大电路将信号分离器分离后的信号分别放大后输入到信号合路器；信号合路器将主放大电路和辅助放大电路放大后的信号合路后输出；辅助放大电路包括峰值放大器，峰值放大器输出端传输线的下方设置有第一缺陷地结构。本发明提供的带缺陷地结构的Doherty放大器，在峰值放大器输出端传输线的下方设置第一缺陷地结构，从而抑制辅助放大电路输出信号的谐波分量，提升了Doherty放大器的输出功率、功率附加效率及线性度，同时，通过设置第一缺陷地结构可以缩小电路尺寸，降低制作成本。
缺陷结构 doherty 放大器

[发明专利]改进的缺陷地结构低通滤波器-CN201811085973.4有效
发明人：黄鹏;李良荣;金海焱;黄永茂 -专利权人：贵州大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的缺陷地结构低通滤波器。本发明采用了特殊的两阶阶跃阻抗结构单元，该阶跃阻抗单元采用窄矩形连接六边形结构单元的结构模式，可以在不减小荷载Q的情况下缩短阶跃阻抗结构单元的长度，在结构和设计上有很大的自由度，容易实现微波器件的小型化此外，本发明优化了底部的缺陷地结构，改变可衬底材料的有效介电常数分布，进而影响接地板的电流分布和微带传输线的传输特性。发明的这种缺陷地结构通过提高低通滤波器的高阻抗频率宽度和带外抑制强度，来改善低通滤波器的低通滤波特性。而且，这种缺陷地结构，结构比较简单，便于电磁场理论分析和等效电路建模分析，更适合集成电路实际应用的优点。
改进缺陷结构滤波器

[实用新型]基于缺陷地结构的微带延迟线-CN201120550798.9有效
发明人：吕翼;李伟;张龙;唐盘良;朱勇;董姝 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01P9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于缺陷地结构的微带延迟线，包括微带延迟线结构，该结构包括介质板，介质板的正面为任意结构的左手延迟线或左右手复合结构延迟线，所述介质板的背面为去掉了部分本体的金属面，去掉的部分与正面延迟线相匹配构成的缺陷地结构等效于并联电感；还包括设置于电路板两侧的电极，以及设置于微带延迟线两侧且与微带延迟线电连接的射频接头，本实用新型充分利用了左手或左右手延迟线的高时延低插损特性，以及缺陷地结构的易实现、易调谐和易加工的特性，相比于常规的微带延迟线
基于缺陷结构微带延迟线

[发明专利]融合式共面波导介质集成缺陷地结构及差分功率分配器-CN202310901670.X在审
发明人：罗琪琪;饶云博;罗讯 -专利权人：电子科技大学（深圳）高等研究院
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种融合式共面波导介质集成缺陷地结构及差分功率分配器，涉及无源器件技术领域，包括：共面波导层和介质集成缺陷地结构及中间一层介质层，所述介质集成缺陷地结构为多层结构，所述介质集成缺陷地结构的顶层为去除部分金属形成的缺陷结构金属层，底层为一层完整金属层，作为介质集成缺陷地结构的参考地，中间填充介质层；从顶层至底层通过多个金属过孔相连接。采用融合式共面波导介质集成缺陷地结构，使泄露到空气中的电磁辐射减少，进而提升器件、电路的自身性能，减小对其他器件、电路的干扰，利于信号传输系统的集成。
融合式共面波导介质集成缺陷结构功率分配器

[发明专利]基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器-CN201510435497.4有效
发明人：喇东升;贾守卿;马雪莲 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3)，接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。本发明通过利用刻蚀有δ形缺陷结构的接地板和微带线构成双频带带阻滤波器，从而可以有效提高双频带带阻滤波器的选择特性；此外，本发明双频带带阻滤波器的两个阻带的中心频率可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的长度实现独立调节，两个带宽可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的缝隙宽度实现独立调节。
带阻滤波器双频带缺陷地结构微带结构介质基板接地板独立调节缺陷结构微带线刻蚀金属微带线金属镀层中心频率阻带带宽

[实用新型]基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器-CN201520533104.9有效
发明人：喇东升;贾守卿;马雪莲 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器，包括：介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3)，接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。本实用新型通过利用刻蚀有δ形缺陷结构的接地板和微带线构成双频带带阻滤波器，从而可以有效提高双频带带阻滤波器的选择特性；此外，本实用新型双频带带阻滤波器的两个阻带的中心频率可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的长度实现独立调节，两个带宽可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的缝隙宽度实现独立调节。
基于缺陷微带结构双频带阻滤波器

[实用新型]基于螺旋缺陷地结构的小型化双频带带通微波滤波器-CN201420701910.8有效
发明人：肖谧;孙国亮 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：一种基于螺旋缺陷地结构的小型化双频带带通微波滤波器，包括有基板和覆盖在接地板上的介质层，所述的接地板上形成有对称设置或同向设置的Z型缺陷地，所述的介质层上还设置有T型微带线，所述的T型微带线与所述的Z型缺陷地为对应且相耦合的设置所述的接地板上的Z型缺陷地为双螺旋缺陷地结构，所述的双螺旋缺陷地结构是所述Z型缺陷地两端的支路分别延长构成螺旋结构。所述的T型微带线位于Z型缺陷地的正上方，所述的Z型缺陷地与所述的T型微带线具有相同的对称中心。本实用新型实现了两种不同类型双频带带通滤波器具有良好的选择性，较宽的带宽以及通带衰减小等性能，有效解决了传统双频带带通滤波器制作尺寸大，成本高的缺陷。
基于螺旋缺陷结构小型化双频带带通微波滤波器

[发明专利]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201410567302.7有效
发明人：汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 -专利权人：浙江中烟工业有限责任公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器，该滤波器包括介质板、导带、互补型矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃型缺陷地结构，互补型矩形开口缺陷微带结构包括第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构，第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧，每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙和外侧环型缝隙构成；开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节，脊线包括第一脊线和第二脊线，哑铃型缺陷地结构包括第一哑铃型缺陷地结构和第二哑铃型缺陷地结构，本发明改善了阻带宽度，通带内的损耗低。
一种具有陡峭过渡改善滤波器

[发明专利]确定缺陷的几何结构的方法以及确定负荷能力极限的方法-CN201880078530.4在审
发明人： A·达尼洛夫;J·帕尔默 -专利权人：罗森瑞士股份公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用可磁化的对象的参考数据集来确定该对象的多个缺陷的几何结构的方法，该方法包括确定初始的缺陷几何结构作为起始缺陷几何结构；基于起始缺陷几何结构确定第一MFL预测数据集作为起始预测数据集；以及借助于EDV单元和相互竞争地运行的且优选地彼此并行运行的多个专家例程(11)将起始缺陷几何结构迭代地匹配于一个或多个实际缺陷的几何结构。
确定缺陷几何结构方法以及负荷能力极限

[实用新型]一种具有新型缺陷地结构的微带天线阵-CN201420492435.8有效
发明人：于彦涛;易礼君;赵明;熊欢;刘兆旸 -专利权人：重庆大学
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有新型缺陷地结构的微带天线阵，属于天线设计领域。该天线阵包括介质基板、微带天线单元和缺陷地结构，所述缺陷地结构包括两个共圆心圆环槽；两个圆环槽上设置有位置对应且宽度相同的开口，且每一个圆环形槽对应一个阻带频率。所述微带天线单元通过接地板对称设置在介质基板两侧，所述缺陷地结构刻蚀在介质基板中间的接地板上，且缺陷地结构的开口在水平方向上。提出了一种针对双频天线阵的新型缺陷地结构以降低天线阵元间的互耦效应。该缺陷地结构简单、紧凑、易实现。将该结构应用于双频微带天线阵中，仿真结果表明天线阵端口的耦合度可以降低12dB以上。
一种具有新型缺陷结构微带天线阵

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