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[发明专利]存储器控制器及存储器控制器的操作方法-CN201811626931.7有效
发明人：李周映 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：存储器控制器包括：主机接口层，用于接收主机编程请求和主机读取请求；闪存转换层，用于响应于主机编程请求生成并输出编程命令和多个编程地址，当与主机读取请求相对应的目标读取地址包括在编程地址中时检查与目标读取地址相对应的编程地址的编程进度状态，并根据与目标读取地址相对应的编程地址上的编程操作是否已完成来控制目标读取地址上的读取操作；以及闪存接口层，用于将从闪存转换层输出的命令和地址传输到存储器装置。
存储器控制器操作方法

[发明专利]一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672500.X在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端，先将施加到地址线的电压切换到低压，然后遍历所有需要编程的数据的验证，验证完毕后找到flash内需要编程的地址，再将施加到地址线的电压切换到高压，对flash内需要编程的地址执行编程操作；虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时，也需要在不同的地址间进行切换，还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程，但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换，从而提高了编程的效率，在需要编程的数据的量足够大时，编程效率的提高效果非常明显。
一种提高闪存编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端-CN202110558508.3在审
发明人：徐明揆;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端，读取一定长度编程数据，判断芯片内与该编程数据对应地址中需要编程的地址数量，若地址数量足够，编程模块发送一次编程脉冲，位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流；若地址数量不足，则再读取一定长度编程数据，直至芯片内与读取的实际编程数据对应的地址中需要编程的地址数足够，且读取的实际编程数据长度不大于芯片最大编程长度，编程模块才会发送一次编程脉冲，位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流，这样可减小位线电荷泵功耗；而且位线电荷泵分为多个驱动电流能力较小的位线电荷泵单元，根据每次需要编程的地址个数控制位线电荷泵单元启闭数量，以减少输出波纹和进一步减小能耗。
一种降低编程功耗方法装置存储介质终端

[发明专利]存储器数据编程装置-CN96120313.7无效
发明人：林先明 -专利权人：合泰半导体股份有限公司
申请日： 1996-10-11 - 公布日： 1998-04-22 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器数据编程装置,该数据编程装置在操作时可编程任意的存储器地址,不需从地址“0”开始,同时,在程序编程及验证时产生地址自动增量之功能,以在连续地址的编程验证时不需输入新的地址值;同时采用了串联式及并联式的存储器读取的特性,以提供一种有效增加编程速率的存储器数据编程装置。
存储器数据编程装置

[发明专利]一种反熔丝地址解码电路、操作方法以及存储器-CN202210350507.4在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种反熔丝地址解码电路、操作方法以及存储器，其中，所述反熔丝地址解码电路包括：预解码模块，用于解码反熔丝存储阵列的编程地址并输出编程地址预解码信号；电平位移模块，耦接到所述预解码模块，用于将所述编程地址预解码信号进行升压，并输出升压信号；编程地址解码模块，接收所述升压信号，用于对所述升压信号解码并输出编程地址信号。
一种反熔丝地址解码电路操作方法以及存储器

[发明专利]一种改善编程性能的方法和装置-CN201611249262.7有效
发明人：舒清明;胡洪;张建军;张赛 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种改善编程性能的方法和装置，方法包括：获取编程地址；根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压；设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压本发明实施例可以补偿编程地址对应非易失性存储器单元的漏端串联电阻压降，有效提高了编程性能，节省了编程时间。
一种改善编程性能方法装置

[发明专利]一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672609.3在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端，每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据，将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较，若小于编程带宽，将对芯片内对应的地址执行一次编程，而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散，极大缩短整个编程时间，提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽，则将编程数据按照编程带宽分成多段，根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数，只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可，既保证芯片编程正常进行，还提高编程效率。
一种提高编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]一种控制FPGA编程新地址的方法、装置及编程电路-CN201210495922.5有效
发明人：朱璟辉;高三达;闫丽菲 -专利权人：艺伦半导体技术股份有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：本发明提供一种控制FPGA编程新地址的方法、装置及编程电路，该控制FPGA编程新地址的方法包括通过配置接口模块或串行外围设备接口flash向FPGA芯片的寄存器中写入新的编程地址；重新编程时，将写入所述寄存器的所述新的编程地址作为高位地址送入串行所述的外围设备接口flash中；所述的外围设备接口flash根据所述的高位地址向所述的FPGA芯片发送数据流，以使所述的FPGA芯片进行新的编程。通过本发明，用户无需等到正在进行的编程完毕之后再重新选择新的编程，可以在编程过程中预先确定下一程序进行重新编程，也可以随着不同的应用结果确定下一程序进行重新编程。
一种控制 fpga 编程地址方法装置电路

[发明专利]一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置-CN201910356956.8在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述方法包括：NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据，将待编程数据输入到数据锁存器，控制编程验证单元对数据锁存器中多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到地址锁存器中，读取锁存的验证未通过的待编程数据对应的地址，NOR flash存储器控制编程验证单元对验证未通过的待编程数据执行第二次编程验证操作。本发明只对没有通过编程验证操作的待编程数据执行编程验证操作，由此缩短了NOR flash存储器编程操作的时间，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制 nor flash 存储器编程验证方法装置

[发明专利]闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质-CN202111398342.X在审
发明人：林朝明;张新展 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种闪存芯片编程方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，编程方法包括以下步骤：获取编程信息；根据所述编程信息配置单位编程信息；配置能遍历所述闪存芯片中所有地址的变化地址信息；根据所述变化地址信息和所述单位编程信息对所述闪存芯片进行编程；该编程方法结合变化地址信息和单位编程信息对所述闪存芯片进行编程，从而将闪存芯片的存储数据快速编程为具有区域性重复特点的数据，省去了针对闪存芯片每个地址重复建立并发送相应编程指令的过程，有效提高了闪存芯片的编程效率，并简化了整个编程过程。
闪存芯片编程方法装置系统电子设备存储介质

[发明专利]提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法-CN201210143456.4在审
发明人：肖军;黄碧;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：根据本发明的提高存储器可靠性的方法包括：记录坏扇区地址，并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区；利用校验和纠错码对存储器的扇区进行读取或编程；判断当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址；如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址，则对用于替换与被记录的坏扇区地址所对应的坏扇区的冗余扇区进行读取或编程。如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址，则对当前读取或编程的扇区进行读取或编程。
提高存储器可靠性方法以及闪存操作方法

[发明专利]用于数据更新的方法及装置、电子设备、存储介质-CN202210103934.2有效
发明人：武晓伟;马继荣;刘家齐 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及数据加密技术领域，公开一种用于数据更新的方法，该方法包括：获取第一编程数据和存储阵列中的目标地址；获取第一编程数据的数据长度；在数据长度小于预设的长度阈值的情况下，根据目标地址获取备选数据；将第一编程数据与备选数据进行组合，获得第二编程数据，并对目标地址对应的数据进行数据擦除操作；将第二编程数据编程到目标地址中。这样，通过将第一编程数据与备选数据进行组合，使得组合后的第二编程数据的长度满足最小编程单元的长度要求，将第二编程数据编程到目标地址中，从而实现对任意数据长度的秘钥数据的更新。
用于数据更新方法装置电子设备存储介质

[发明专利]存储器件以及存储器件和存储系统的操作方法-CN201310446955.5有效
发明人：尹贤洙;权奇昌 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种存储器件的操作方法包括以下步骤：进入修复模式；接收激活命令和故障地址，并且暂时储存接收的命令和地址；接收写入命令，并且判定是否执行编程操作；当判定出要执行编程操作时，将暂时储存的故障地址编程到可编程储存单元中；以及在暂时储存的故障地址的编程完成之前接收预充电命令。
存储器件以及存储系统操作方法

[发明专利]加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备-CN202110728044.6在审
发明人：陈慧;于文贤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备，其技术方案要点是：包括：获取对上一编程地址的编程过程中成功进行编程所需要的编程次数A；根据所述编程次数A，在对本次编程地址的编程过程中的第A次编程时进行编程校验，并将本次编程地址的编程过程中成功编程所需要的编程次数更新为A。本申请提供的一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备及存储介质具有减少传统编程流程中冗余的编程校验次数、提高编程效率的优点。
加快 nor flash 编程速度方法装置电子设备

[发明专利]用于对缺陷单元地址编程的缺陷单元地址编程电路和方法-CN03119863.5无效
发明人：金载勋;徐东一;吴孝镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-02-04 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种半导体存储器件以及其中可用的缺陷单元地址编程电路。已封装的半导体存储器件包括：存储单元阵列；多个冗余存储单元，用于修复缺陷存储单元；比较器，用于比较在测试已封装的半导体存储器件的测试过程中从存储单元输出的数据，并产生比较对应信号；模式设置寄存器，用于存储外部施加的缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，当比较一致信号指示检测到缺陷存储单元时，锁存来自地址产生电路的内部地址，并且对缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址解码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时
用于缺陷单元地址编程电路方法

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