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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811364991.6有效
发明人：井上真雄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：在半导体衬底之上，经由用于存储器元件的栅极绝缘膜的整个绝缘膜形成用于存储器元件的栅电极。整个绝缘膜具有第一绝缘膜、在第一绝缘膜之上的第二绝缘膜、在第二绝缘膜之上的第三绝缘膜、在第三绝缘膜之上的第四绝缘膜和在第四绝缘膜之上的第五绝缘膜。第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每个绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第三绝缘膜是包括包含金属元素和氧的高介电常数材料的多晶膜。第五绝缘膜是包括与用于第三绝缘膜的材料相同的材料的多晶膜。第四绝缘膜包括与用于第三绝缘膜的材料不同的材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202111281567.7在审
发明人：王彦哲 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：存储器栅极经由作为存储器元件的栅极绝缘体的绝缘膜形成在半导体衬底上。绝缘膜包括第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在第二绝缘膜上的第三绝缘膜和在第三绝缘膜上的第四绝缘膜。第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每个的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第三绝缘膜由包含金属元素和氧的高介电常数材料形成。第四绝缘膜是氧化硅膜或氮氧化硅膜并且与存储器栅极电极相邻。
半导体器件

[发明专利]有机电致发光装置和电子设备-CN202110001887.6有效
发明人：深川刚史;色部润;山本哲也 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：有机电致发光装置具有：有机电致发光元件；以及保护层，其保护所述有机电致发光元件，所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜，所述第2绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高，所述第4绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高，所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含含有硅和氮的无机材料
有机电致发光装置电子设备

[实用新型]电池的绝缘膜和电池-CN202123025326.4有效
发明人：吴烜;陈思岚;牟晓文;覃思成;卜良辉 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池的绝缘膜和电池，电池的绝缘膜包括：绝缘底膜；绝缘侧膜，所述绝缘侧膜设置于所述绝缘底膜的相对两侧且相对所述绝缘底膜向上弯折设置，所述绝缘侧膜为与所述绝缘底膜材质不同的膜。由此，通过将绝缘侧膜设置成与绝缘底膜材质不同的膜，可以使电池的绝缘膜包覆在电池上后，对电池的底面和侧面起到不同的作用，可以提升电池的绝缘膜的可靠性，从而可以提升电池的工作性能。
电池绝缘

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510290946.0在审
发明人：井上真雄;丸山祥辉;齐藤朋也;吉富敦司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：在半导体衬底之上，经由作为用于存储器元件的栅极绝缘膜的绝缘膜，形成用于存储器元件的栅极电极。绝缘膜包括依次远离衬底的第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜。第二绝缘膜具有电荷存储功能。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每一个绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第四绝缘膜的带隙小于第三绝缘膜的带隙。第五绝缘膜的带隙小于第四绝缘膜的带隙。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]手机中框绝缘膜压持装置及其加工设备-CN201920584846.2有效
发明人：何海波 -专利权人：惠州市华辉信达电子有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B29C63/00 文献下载
摘要：一种手机中框绝缘膜压持装置及其加工设备，手机中框绝缘膜压持装置包括：绝缘膜压持支撑组件、绝缘膜压持滑动组件、绝缘膜压持升降组件及绝缘膜热压组件，绝缘膜压持升降组件包括绝缘膜压持纵向移动轨道、绝缘膜压持升降板及绝缘膜压持升降件，绝缘膜热压组件包括热压安装块、热压凸块、发热管及热压片。本实用新型的手机中框绝缘膜压持装置通过设置绝缘膜压持支撑组件、绝缘膜压持滑动组件、绝缘膜压持升降组件及绝缘膜热压组件，从而能过采用热压的方式对手机中框上的绝缘膜进行快速压持固定，由此能够代替人工的操作方式
绝缘膜压持热压手机热压组件升降组件压持装置滑动组件支撑组件纵向移动轨道本实用新型加工设备生产效率安装块发热管人工的升降板升降件凸块加工

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710662161.0在审
发明人：矶贝达典;野口将希 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够使针对成膜时可能产生的缺陷的对策得以优化的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：积层体，由绝缘层与导电层交替地积层而成；阻挡绝缘膜，设置在绝缘层表面及导电层表面；电荷蓄积膜，设置在阻挡绝缘膜表面；隧道绝缘膜，具有设置在电荷蓄积膜表面的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜表面的第2绝缘膜、及设置在第2绝缘膜表面的第3绝缘膜；以及通道膜，设置在第3绝缘膜表面。至少在第1绝缘膜或第3绝缘膜中包含缺陷终止元素，且第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜的缺陷终止元素含有浓度各不相同。
绝缘膜半导体装置绝缘膜表面阻挡绝缘膜电荷蓄积缺陷终止绝缘层导电层表面绝缘层表面隧道绝缘膜导电层积层体膜表面通道膜成膜制造优化

[实用新型]线束组件及电池组-CN202221193863.1有效
发明人：赵冬 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01M50/507 文献下载
摘要：该线束组件包括第一绝缘膜；第二绝缘膜，第二绝缘膜位于第一绝缘膜的一侧；第三绝缘膜，第三绝缘膜位于第二绝缘膜的远离第一绝缘膜的一侧；信息采集组件，信息采集组件设置于第一绝缘膜与第二绝缘膜之间；汇流排，汇流排设置于第二绝缘膜与第三绝缘膜之间本实用新型提供的线束组件，将信息采集组件设置于第一绝缘膜与第二绝缘膜之间，将汇流排设置于第二绝缘膜与第三绝缘膜之间，其中，第二绝缘膜能够防止汇流排对信息采集组件造成磨损和划伤，提高了信息采集组件的绝缘强度；同时，信息采集组件、第二绝缘膜和汇流排位于第一绝缘膜与第三绝缘膜之间，提高了线束组件的整体结构强度。
组件电池组

[发明专利]有机电致发光装置和电子设备-CN202110001853.7有效
发明人：深川刚史 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：有机电致发光装置具有：有机电致发光元件；以及保护层，其保护所述有机电致发光元件，所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜，所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料，所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
有机电致发光装置电子设备

[实用新型]EPE膜自动供给装置和叠焊机-CN201520873162.6有效
发明人：刘文波 -专利权人：无锡市正罡自动化设备有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种EPE膜自动供给装置，EPE膜自动供给装置用于裁剪承载的绝缘膜带以获得绝缘膜条，该EPE膜自动供给装置包括：机架、供膜装置、绝缘膜条供给装置、控制装置；供膜装置、绝缘膜条供给装置设置在机架上，控制装置与供膜装置、绝缘膜条供给装置电性连接，供膜装置靠近绝缘膜条供给装置设置，并在控制装置的控制下将承载的绝缘膜带提供给绝缘膜条供给装置，绝缘膜条供给装置在控制装置的控制下将供膜装置提供的绝缘膜带裁切成第一预定尺寸的绝缘膜条、第二预定尺寸的绝缘膜条，并将第一预定尺寸的绝缘膜条、第二预定尺寸的绝缘膜条并排放置，以供外界的汇流带焊接装置取用。本实用新型还提供一种叠焊机及EPE膜自动供给方法。
epe 自动供给装置叠焊机

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410371208.4有效
发明人：水谷齐治;井上真雄;梅田浩司;门岛胜 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201910066184.4有效
发明人：永井孝一;中村亘;中村光宏;伊藤昭男 -专利权人：富士通半导体存储方案股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底；晶体管，形成在衬底的表面上；第一绝缘膜，形成在晶体管上方；第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上；第三绝缘膜，形成在第二绝缘膜上；第四绝缘膜，形成在第三绝缘膜上；以及铁电电容器，形成在第四绝缘膜上，其中第三绝缘膜的氢气渗透率高于第一绝缘膜的氢气渗透率，第二绝缘膜和第四绝缘膜的氢气渗透率和氧气渗透率高于第一绝缘膜和第三绝缘膜的氢气渗透率和氧气渗透率。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110564286.6在审
发明人：后藤洋太郎;永久克己;野村佳广 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜，并且在栅极电极的栅极长度方向上，第二绝缘膜位于n型源极区域侧，而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成，层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202010099230.3在审
发明人：曾铃君;李书铭;欧阳自明 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含基底、位线、第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜和接触件。位线设置于基底上方。第一绝缘膜设置于位线的侧壁上。第二绝缘膜设置于第一绝缘膜上，其中第二绝缘膜的材料与第一绝缘膜的材料不同，且第二绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。第三绝缘膜设置于第二绝缘膜上，其中第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同，且第三绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。接触件设置于基底上方且邻近位线，其中接触件具有下部低于第三绝缘膜的顶表面和上部高于第三绝缘膜的顶表面，且接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板和显示装置-CN201480017538.1在审
发明人：横井安弘;原田光徳 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：在有源矩阵基板(5)中，具备：第1无机绝缘膜(第1绝缘层)(22)，其设置在栅极绝缘膜(绝缘膜)(21)上；有机绝缘膜(第2绝缘层)(23)，其设置在第1无机绝缘膜(22)上，并且热膨胀系数与该第1无机绝缘膜(22)相互不同；以及第2无机绝缘膜(第3绝缘层)(24)，其以覆盖有机绝缘膜(23)的方式设置，并且其一部分与第1无机绝缘膜(22)接触。在栅极绝缘膜(21)上不存在有机绝缘膜(23)的第2无机绝缘膜(24)的部分设置有切口部(K1)。
有源矩阵显示装置

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