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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202111057034.0在审
  • 小泽航大;中西翔 - 瑞萨电子株式会社
  • 2021-09-09 - 2022-05-06 - H01L29/861
  • 该半导体器件包括：具有主表面和形成在主表面上的第一杂质区域的半导体衬底、形成在具有第一杂质区域的主表面上的第一电极、形成在主表面上以包围第一电极的绝缘膜、形成在绝缘膜上以与第一电极间隔开并且环形地包围第一电极的第二电极、以及半绝缘膜。第一电极具有外周边缘部分。从外周边缘部分上到第二电极上连续形成半绝缘膜。外周边缘部分包括第一角部。第二电极具有面向第一角部的第二角部。在第一角部与第二角部之间的绝缘膜上的半绝缘膜被去除。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610071447.3有效
  • 石田裕康 - 三洋电机株式会社
  • 2006-03-28 - 2006-11-01 - H01L27/04
  • 本发明涉及一种半导体装置，是在周边区域层叠有绝缘膜、Al配线层、表面保护膜、树脂层的结构。当由于来自外部的热应力而使树脂层收缩时，Al产生滑移，产生栅极－漏极间的泄漏及栅极－源极间的泄漏等不良的问题。在周边区域的周边绝缘膜上设置凹部。至少一个凹部开设成与Al配线层接触的接触孔，也可以设置多个。由此，由于Al配线层和周边绝缘膜之间的摩擦变大，而可抑制Al滑移的产生。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]触摸屏-CN200910305804.1有效
  • 黄柏山;赵志涵;施博盛;郑嘉雄 - 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
  • 2009-08-19 - 2011-03-30 - G06F3/041
  • 本发明涉及一种触摸屏，该触摸屏包括一第一绝缘基板、一第一导电膜、一第一绝缘层、多个第一导电线路、一第二绝缘基板、一第二导电膜和多个第二导电线路。第一导电膜配置在第一绝缘基板上，而第一绝缘层覆盖第一导电膜的部分周边，并使该第一导电膜具有一暴露区。第一导电线路配置在第一导电膜的周边且各个第一导电线路包括一电极段及一延伸段。电极段与第一导电膜电性连接而延伸段与第一导电膜电性隔离。第二导电膜配置在第二绝缘基板上。第二导电线路配置在第二导电膜的周边。本发明的触摸屏具有厚度较薄、制造成本较低、制造良率较高和可靠度较高的优点。
  • 触摸屏
  • [发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN200810128539.X无效
  • 日高宪一;儿玉典昭 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2008-06-27 - 2008-12-31 - H01L29/788
  • 该非易失性存储器在存储器单元(MC)中，在N型阱(3a)中形成P型扩散区域(7a)、P型扩散区域(7b)以及P型扩散区域(7c)，在P型扩散区域(7a)和P型扩散区域(7b)之间的沟道上经由选择栅绝缘膜(4a)形成选择栅(6a)，在P型扩散区域(7b)和P型扩散区域(7c)之间的沟道上经由浮栅绝缘膜(5)形成浮栅(6b)。在周边电路(PT)中，在N型阱(3b)中，形成P型扩散区域(7d)以及P型扩散区域(7e)，在P型扩散区域(7d)和P型扩散区域(7e)之间的沟道上经由周边电路栅极绝缘膜(4b)形成周边电路栅极(6c)浮栅绝缘膜(5)的膜厚构成为比选择栅绝缘膜(4a)和周边电路栅极绝缘膜(4b)的膜厚厚。
  • 非易失性存储器及其制造方法
  • [发明专利]快闪存储器件及其制造方法-CN200710145274.X无效
  • 黄畴元 - 海力士半导体有限公司
  • 2007-08-17 - 2008-02-20 - H01L21/8247
  • 所述方法包括如下步骤：在半导体衬底的周边区域上形成栅极保护图案；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘膜；在相邻的栅极保护图案之间的所述隧道绝缘膜上形成第一导电膜；在所述第一导电膜和所述栅极保护图案上形成介电膜；蚀刻所述周边区域中的所述介电膜的一部分，以暴露出相邻栅极保护图案之间的所述第一导电膜的一部分；在所述介电膜和所述第一导电膜上形成第二导电膜；和蚀刻所述第二导电膜、所述介电膜、所述第一导电膜、所述隧道绝缘膜和所述栅极保护图案以形成栅极，其中所述栅极保护图案保留在所述周边区域中的所述第一导电膜和所述隧道绝缘膜二者的侧壁上。
  • 闪存器件及其制造方法
  • [实用新型]一种绝缘薄膜-CN201020506450.5有效
  • 沈佐承 - 苏州佳值电子工业有限公司
  • 2010-08-26 - 2011-02-09 - H01B17/62
  • 本实用新型涉及一种绝缘薄膜，包含绝缘层、胶层、保护膜；所述绝缘层的周边设置有胶层，所述胶层上设置有保护膜；本实用新型的绝缘薄膜，所述绝缘层的两侧设置有胶层，所述胶层上设置有保护膜，在使用时，可以先将保护膜撕下，在将绝缘薄膜设置在需要绝缘连接的元件上，用胶层将绝缘薄膜与需要绝缘连接的元件连接在一起；由于在绝缘层的周边上设置胶层，可以使绝缘层更充分的粘贴在需要绝缘连接的元件上。
  • 一种绝缘薄膜
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910981835.2在审
  • 大川峰司 - 株式会社电装
  • 2019-10-16 - 2020-05-15 - H01L29/06
  • 本发明提供半导体装置及其制造方法，抑制绝缘保护膜的表面处的电场集中并抑制由绝缘保护膜捕获的电荷的影响。在半导体装置中，半导体基板具有元件区域和周边耐压区域。绝缘保护膜配置在所述周边耐压区域的上部。所述周边耐压区域具有与所述绝缘保护膜相接的多个p型的护圈区域和将所述多个p型的护圈区域相互分离的n型的漂移区。各所述护圈区域具有：与所述绝缘保护膜相接的护圈低浓度区域；及具有所述护圈低浓度区域的p型杂质浓度的10倍以上的p型杂质浓度的护圈高浓度区域。所述护圈高浓度区域配置在所述护圈低浓度区域的下侧，通过所述护圈低浓度区域而与所述绝缘保护膜分离。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]制造快闪存储器件的方法-CN200710129991.3无效
  • 玄灿顺 - 海力士半导体有限公司
  • 2007-07-20 - 2008-05-07 - H01L21/8247
  • 所述制造快闪存储器件的方法包括如下步骤：在限定有单元区域和周边区域的半导体衬底上形成栅极绝缘膜、第一导电膜和氮化物膜；蚀刻氮化物膜、第一导电膜、栅极绝缘膜和部分半导体衬底以形成沟槽；在蚀刻的沟槽中形成隔离膜，第一蚀刻单元区域和周边区域的隔离膜，去除氮化物膜，第二蚀刻单元区域的隔离膜，第三蚀刻单元区域和周边区域的隔离膜；以及在包括隔离膜的整个表面上形成介电膜和第二导电膜。
  • 制造闪存器件方法
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