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[发明专利]半导体电路及其制造方法-CN202111281081.3在审
发明人：冯宇翔;张土明;潘志坚;谢荣才;左安超 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体电路，该半导体电路包括基板和逆变模块，所述逆变模块包括U相单元、V相单元和W相单元，所述U相单元包括U相上桥臂和U相下桥臂，所述U相上桥臂包括第一驱动芯片和第一绝缘栅双极型晶体管，所述第一驱动芯片贴合布置在所述第一绝缘栅双极型晶体管的E极表面；所述U相下桥臂包括第二驱动芯片和第二绝缘栅双极型晶体管，所述第二驱动芯片贴合布置在所述第二绝缘栅双极型晶体管的E极表面，所述V相单元和W相单元均与所述U相单元结构一致。
半导体电路及其制造方法

[实用新型]一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路-CN201420413050.8有效
发明人：陈佩忠;陈春欢;陈波;唐永超 -专利权人：上海施能电器设备有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，其包括高频变压器，高频变压器初级连接由第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第一瞬间抑制二极管、第二瞬间抑制二极管和电容构成的大功率高频充电电路。本实用新型能够在脉冲负半周时，释放第一、第二绝缘栅双极型晶体管上结电容能量，解决了并联的第一、第二绝缘栅双极型晶体管承受电流不平衡的问题。
一种 igbt 并联组成大功率高频充电电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN202211197169.1在审
发明人：孙向东 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：提供第一基片及第二基片，第一基片包括第一表面；自第一基片的第一表面对其进行注入，形成绝缘栅双极型晶体管的背面结构；于第二基片上形成牺牲层；通过牺牲层，将第二基片键合至第一基片形成有背面结构的一侧；于第一基片的远离第二基片的一侧形成绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除牺牲层，将第二基片与第一基片分离。本申请使背面结构的制作工艺更简单，减少了用于制作绝缘栅双极型晶体管的背面结构的设备花费。
绝缘栅双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810137194.8有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
一种高速横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]电磁烹饪器具及其检测方法-CN201810375599.5有效
发明人：汪钊;肖小龙;王彪 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本发明公开一种电磁烹饪器具及其检测方法，其中，电磁烹饪器具包括绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管用于驱动所述电磁烹饪器具加热，所述电磁烹饪器具检测方法包括以下步骤：获取所述绝缘栅双极型晶体管当前的开通宽度和电流检测值；根据所述开通宽度，获取所述绝缘栅双极型晶体管的第一电流阈值；比对所述电流检测值和所述第一电流阈值；当所述电流检测值小于或等于所述第一电流阈值时，降低所述电磁烹饪器具的加热功率，和/或生成提示信号以提示所述电磁烹饪器具存在异常
电磁烹饪器具及其检测方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备-CN201811464344.2在审
发明人：廖勇波;史波;肖婷;何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外
绝缘栅双极型晶体管电流路径电气设备多晶硅层制备沟槽底部侧壁沟道电流通电能力宽沟槽沟道刻蚀增设

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管、制造方法及器件-CN202310689700.5在审
发明人：段湘艳;方敏 -专利权人：广东巨风半导体有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管、制造方法及器件。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：集成在衬底上的二极管部和与所述二极管部连接的绝缘栅双极型晶体管部；其中，所述二极管部包括：第一正面金属区；与所述第一正面金属区底部连接的多个侧翼注入沟槽；设置在各个所述侧翼注入沟槽顶部两侧的第一P+型发射区；依次叠层设置在所述第一正面金属区下方的第一P型基区、第一N型漂移区、第一N型缓冲区、N型集电区以及第一背面金属区。本发明通过在逆导型绝缘栅双极型晶体管的二极管部中引入侧翼注入沟槽，通过在沟槽侧翼或侧壁注入杂质离子，以改变二极管区域的电场分布等，达到提高器件击穿电压鲁棒性的效果。
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管制造方法器件

[发明专利]一种异步电机定子电阻的测量方法-CN201110189990.4有效
发明人：陈乐萌 -专利权人：索肯和平（上海）电气有限公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明同现有技术相比，采用电角度差为180°的两项矢量电压在相等时间交替工作，使异步电机定子电阻的测量不受绝缘栅双极型晶体管的管压降UIGBT、绝缘栅双极型晶体管的开通时间ton和绝缘栅双极型晶体管的关断时间
一种异步电机定子电阻测量方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路-CN201010568165.0无效
发明人：赵明宇 -专利权人：深圳市蓝韵实业有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路，其利用迟滞比较器可以实现在过流下，关闭驱动，当电流减小到规定数值时，恢复驱动，实现自动保护功能。在过流时，本发明利用迟滞比较器，合理设置窗口空间可以使绝缘栅双极型晶体管过流保护后，电流下降到一定数值时，绝缘栅双极型晶体管驱动恢复正常，设备恢复正常工作，而且电路具备一定的抗干扰能力。
一种绝缘栅双极型晶体管保护恢复电路

[实用新型]半导体器件-CN202121162035.7有效
发明人：韩健;顾悦吉;黄示;吕梦凡;张瑞丽;周琼琼;何火军 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管包括元胞区和终端区，终端区位于元胞区外围；钳位结构，位于终端区，钳位结构包括多个无源半导体器件，多个无源半导体器件设置在绝缘栅双极型晶体管的栅极电极和集电极电极之间
半导体器件

[实用新型]一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件-CN202320268062.5有效
发明人：史志伟;牟晋力;门殿卿;岳峰;陈庆旭;吴焱;吴凯 -专利权人：南京国电南自电网自动化有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了开出模件技术领域的一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，包括：微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与所述微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管分别与防护电路和所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接
一种用于电力二次设备 soe 分辨率测试快速开出模件

[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备-CN201711034355.2有效
发明人：何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备，以改善逆导型绝缘栅双极型晶体管的负阻效应，提高器件的可靠性。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法电力电子设备

[发明专利]一种半桥型功率模块动静态一体化测试装置及其测试方法-CN202111017738.5有效
发明人：岳菁鹏;马凯;肖祥;赵伟;金莉;雷二涛 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半桥型功率模块动静态一体化测试装置及其测试方法，涉及电力电子技术领域。半桥型功率模块动静态一体化测试装置包括半桥功率模块、电容模块和电感模块；所述半桥功率模块包括串联的上绝缘栅双极型晶体管和下绝缘栅双极型晶体管；所述电容模块包括若干串联的电容器；所述电感模块包括串联的第一电感器和第二电感器，所述第一电感器与所述上绝缘栅双极型晶体管并联，所述第二电感器与所述下绝缘栅双极型晶体管并联；所述半桥功率模块与所述电容模块并联。
一种半桥型功率模块静态一体化测试装置及其方法

[发明专利]具备具有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的半导体装置-CN201080065840.6有效
发明人：岩崎真也;添野明高 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其能够抑制绝缘栅双极性晶体管区和二极管区之间的载流子移动，从而抑制绝缘栅双极性晶体管动作时的通态电压的上升，且改善二极管的恢复特性在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低
具备具有二极管区绝缘极性晶体半导体装置

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202111487931.5在审
发明人：李立;王耀华;金锐;汪玉;王鑫 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：漂移层；位于所述漂移层一侧的集电层，所述集电层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层和所述集电层之间的缓冲层，所述缓冲层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，且所述缓冲层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度所述缓冲层与所述浮置层的界面处形成结势垒，阻碍载流子的扩散，改变了绝缘栅双极型晶体管集电极一侧的载流子分布，降低了发射极漏电流，提高了绝缘栅双极型晶体管的正向击穿电压。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法