专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示器件及其制作方法-CN202010223420.1在审
  • 王雷 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-03-26 - 2020-07-10 - H01L21/77
  • 本发明提供一种显示器件及其制作方法,包括:形成一器件板;在所述器件板上形成色阻层,所述色阻层中的色阻块以阵列形式排列;在所述器件板上形成黑矩阵层,其中,所述色阻块的至少一分限定于所述黑矩阵层的一网格区域内,且所述色阻块在所述器件板上的正投影的至少一分覆盖相邻的所述黑矩阵层在所述器件板上的正投影的至少一分;形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述色阻块和所述黑矩阵层。
  • 显示器件及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201880075691.8在审
  • 日笠旭纮 - 罗姆股份有限公司
  • 2018-11-26 - 2020-07-03 - H01L29/78
  • 半导体装置包括:半导体层,其具有形成有沟槽的主面;第一导电型的主体区域,其在上述半导体层的上述主面的表层沿上述沟槽的侧壁形成;第二导电型的杂质区域,其在上述主体区域的表层沿上述沟槽的侧壁形成;栅极绝缘层,其形成于上述沟槽的内壁;栅极电极,其埋入于上述沟槽,隔着上述栅极绝缘层而与上述主体区域以及上述杂质区域对置;接触电极,其从上述沟槽内贯通上述沟槽的侧壁并被引出至上述半导体层的上述主面的表层,且与上述主体区域以及上述杂质区域电连接
  • 半导体装置
  • [发明专利]移动终端-CN201880091941.7在审
  • 权宁培;金棋焕;金东辰 - LG电子株式会社
  • 2018-05-02 - 2020-11-13 - H04M1/02
  • 本发明提供一种移动终端,其特征在于,包括:终端主体,具备用于处理第一无线信号和第二无线信号的电路基板;侧壁,露出于所述终端主体的外部以形成所述终端主体的外观,并且具备形成于多个切槽之间且由金属材料形成的天线构件;第一供电,从所述电路基板延伸并向所述天线构件供应电流,以经由所述天线构件收发所述第一无线信号;多个缝隙,形成于所述天线构件;以及第二供电,向多个所述缝隙供应电流,以经由多个所述缝隙收发频段与所述第一无线信号不同的第二无线信号
  • 移动终端
  • [发明专利]车辆用轮毂-CN201880069756.8在审
  • 神山洋一 - 本田技研工业株式会社
  • 2018-10-25 - 2020-06-12 - B60B21/12
  • 车辆用轮毂包括:第1侧壁(25c),其设置于轮辋(11)的形成凹下部(11c)的一个立起;以及第2侧壁(25d),其设置于轮辋(11)的形成凹下部(11c)的另一立起,副气室部件(10)在内侧具有副气室(SC)和形成有使副气室(SC)与轮胎空气室连通的连通孔(18a)的管体(18),管体(18)分别配置在副气室部件(10)的沿着车辆用轮毂的周向的两个端,在连通孔(18a)与凹下部(11c)的外周面(11d)之间形成有间隙(42)。
  • 车辆轮毂
  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202010310485.X在审
  • 李南宰 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-04-20 - 2021-02-26 - H01L27/1157
  • 半导体存储器装置的制造方法包括:形成包括栅极层叠结构和沟道结构的初步存储器单元阵列,其中栅极层叠结构包括交替地层叠在第一基板上的层间绝缘层和导电图案,并且其中沟道结构具有贯穿栅极层叠结构并延伸到第一基板中的第一端形成公共源极线以与沟道结构的第二端接触,公共源极线形成在栅极层叠结构的第一表面上;去除第一基板;以及在栅极层叠结构的与栅极层叠结构的第一表面相对的第二表面上形成连接至沟道结构的第一端的位线。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构的制造方法-CN201911093280.4在审
  • 陈骏盛 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2019-11-11 - 2021-04-16 - H01L21/762
  • 在基底上形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层的上视形状为网状。以图案化硬掩模层作为掩模,移除部分基底,而形成多个沟槽与位于多个沟槽之间的突出,且使得基底包括基部与突出于基部的突出。在SOI区的图案化硬掩模层的侧壁上与SOI区的突出的侧壁上形成间隙壁。在SOI区中,以图案化硬掩模层与间隙壁作为掩模,对沟槽所暴露出的基底进行热氧化制作工艺,而在SOI区的基底中形成贯穿氧化物层。
  • 半导体结构制造方法

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