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[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720707435.9有效
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池。该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
硅异质结太阳电池

[实用新型]一种高效异质结太阳能电池-CN201920407283.X有效
发明人：宋广华;张杰;尤宇文;罗骞;黄家容 -专利权人：福建钜能电力有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高效异质结太阳能电池，其包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片正面和背面的本征非晶硅层；设在N型单晶硅片正面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层上的阻挡层；设在N型掺杂非晶硅层的ITO透明导电膜层上的铜栅线电极；设在阻挡层的铜栅线电极。其既降低了栅线电阻，又可以降低栅线宽度，提升电流密度；同时在背面使用了阻挡层来阻止铜离子迁移到PN中去，从而使异质结铜栅电池的转换效率和可靠性有了较大的提升。
本征非晶硅层阻挡层铜栅线电极背面异质结太阳能电池本实用新型铜离子迁移栅线电阻转换效率异质结栅线电池

[实用新型]一种HJT太阳能电池-CN202122031807.X有效
发明人：殷志豪;彭颖杰;陈娜娜;潘克菲;姜锴;高绪彬 -专利权人：苏州诺菲纳米科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜的银浆栅线电极，设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。本实用新型在栅线电极上方涂覆纳米银线层，可提高透明导电层的导电性，且在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度以及透明导电氧化物薄膜的厚度，以减少HJT电池中银浆、透明导电氧化物的使用量，达到增效
一种 hjt 太阳能电池

[发明专利]一种两端钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法-CN202310400091.7在审
发明人：董一昕;刘冬雪;杨静;孙天歌;贡永帅;颜步一;戴万雷;张鹭 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司;杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种两端钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法，其中两端钙钛矿/晶硅叠层电池包括：层叠且串联的晶硅电池和钙钛矿电池，所述钙钛矿电池包括第一栅线，所述第一栅线背离所述晶硅电池；所述钙钛矿电池中具有贯穿所述钙钛矿电池的光传输口，所述光传输口与所述第一栅线间隔设置，所述光传输口未延伸至所述晶硅电池。所述两端钙钛矿/晶硅叠层电池的发电效率高。
一种两端钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法

[发明专利]一种硅晶加工装置-CN201810131766.1有效
发明人：朱文志;李海威;林冬;黄田玉;林孝狮;许光先;梁兴华;林光展 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及了一种硅晶加工装置，包括底座、机架、开方装夹机构、硅晶截断装夹机构和线锯切割机；所述开方装夹机构用于夹持待进行开方的籽晶棒，所述硅晶截断装夹机构用于夹持待截断的单晶硅棒或者多晶硅块，所述线锯切割机用于籽晶棒的开方以及单晶硅棒、多晶硅块截断。本发明硅晶加工装置集硅晶的开方与截断功能于一体，既能实现籽晶棒的开方，又能实现单晶硅棒和多晶硅块的截断或者切片，结构简单紧凑，降低厂家的生产使用成本，提高设备利用率。
一种加工装置

[发明专利]一种硅棒粘接自动化生产线-CN202110405471.0在审
发明人：李磊 -专利权人：无锡展照精密机械科技有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于硅棒加工技术领域，尤其为一种硅棒粘接自动化生产线，依次包括自动脱胶生产线、自动检测生产线、自动配棒生产线和自动粘棒生产线，所述自动脱胶生产线依次包括晶托上料翻转单元、高频脱胶单元、塑料板去除单元、晶托打磨单元、晶托冲洗单元和晶托下料单元，所述自动检测生产线依次包括硅棒上料工位单元、硅棒打码工位单元、硅棒检测工位单元、硅棒长度检测工位单元。本发明通过设置自动脱胶生产线、自动检测生产线、自动配棒生产线和自动粘棒生产线，可以较为方便快捷的对半导体硅棒进行生产加工，不需要通过工作人员手动加工，所以相比于传统人工手动加工操作相比，更加省时省力，且可以大大提高半导体硅棒的加工生产效率
一种硅棒粘接自动化生产线

[实用新型]一种硅棒粘胶装置-CN201920452713.X有效
发明人：陆锋;黄学宁;韩文军;王成强;马守林;兰晓南 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅棒粘胶装置，包括用于移动晶托的移动单元和用于夹持硅棒的夹紧单元，移动单元和夹紧单元沿同一方向顺次设置；硅棒粘胶装置还包括用于调节硅棒中心和晶托中心对准的调节单元。本申请提供的上述方案，通过移动单元移动固定在其上的晶托，使得晶托的端面与夹紧单元上的硅棒的端面接触，进一步通过调节单元调节硅棒中心和晶托中心快速对准，从而有利于硅棒和晶托快速对接粘合，提高硅棒线切加工后硅芯的质量，以及线切加工的稳定性，同时也提高了生产效率。
一种粘胶装置

[实用新型]一种晶硅电池片及晶硅电池组件-CN201520102227.7有效
发明人：王世贤;李岩;魏凯;蒋鑫;姚建杭 -专利权人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
申请日： 2015-02-07 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型针对现有晶硅电池组件通过焊带串联连接，使得电池组件的成本高、有效输出功率被降低及焊接时操作难度大的不足，提供一种晶硅电池片及晶硅电池组件，本电池组件的电池片包括晶硅电池片基体和设置在电池片基体背面、作为电池片正极的金属背场，所述晶硅电池片基体的正面设置有多条副栅线，在电池片的正面各条副栅线的两端部间均不设置电池片正面主栅线，在金属背场上与副栅线两端部间相对的位置均不设置电池片背面主栅线，采用本结构的晶硅电池片和组件有效的提高了电池片的输出功率
一种电池组件

[发明专利]一种HACL太阳电池的制备方法-CN201911117670.0有效
发明人：黄海宾;周浪 -专利权人：江西昌大高新能源材料技术有限公司
申请日： 2019-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种HACL太阳电池的制备方法，其包括以下步骤：(1)对硅片表面进行去除损伤层和清洗处理；(2)以硅片作为基底其两面制备相同掺杂类型的重掺杂晶体硅层；(3)双面减反射钝化层制备；(4)双面按照细金属栅线的图案进行开槽；(5)表面清洗；(6)依次沉积本征非晶硅钝化层和重掺杂非晶硅层；(7)金属栅线制备；(8)去除栅线覆盖区域之外区域的非晶硅薄膜。本发明实现了HACL结构双面太阳电池的制备，且技术方案适宜大规模批量生产；同时本发明先完成全表面的镀膜再制备金属栅线，使得金属栅线在其基本作用外还起到了掩膜的作用，保护需要的非晶硅膜层，实现了非晶硅膜层的局域化
一种 hacl 太阳电池制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN201410798442.5有效
发明人：张树旺;杨富琨;李宝胜;蔡明;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，该硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条，在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条；与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比，省去利用银浆材料制作的背栅线，在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条，这样，不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺，还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。
硅异质结太阳能电池衬底晶硅互联条银薄膜粘贴非晶硅层依次设置制作背栅前栅焊接透明导电氧化物薄膜背光背电极层前电极层银浆材料直接焊接制作工艺背离

[发明专利]一种HBC太阳能电池-CN201910269928.2在审
发明人：席珍珍 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种HBC太阳能电池，它包括晶硅衬底，晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜；晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极；金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极；与现有技术相比，晶硅衬底的前表面采用隧穿氧化层实现了前表面场钝化效应，降低了前表面复合速率
衬底晶硅背表面前表面隧穿氧化层太阳能电池激光开槽金属电极欧姆接触钝化膜细栅线电池本征非晶硅层氢化非晶硅层掺杂非晶硅叠印方式钝化效应多晶硅层交替排列开路电压前表面场区电极主栅线电极浆料铝浆银浆制备背面掺杂上层复合节约

[发明专利]一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构-CN202010558387.8有效
发明人：寿春晖;闫宝杰;曾俞衡;盛江;叶继春;丁莞尔;郑晶茗 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构，包括：底电池和钙钛矿顶电池；所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线；所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是：这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线，只需做少量的改进，即可制备出良好的底电池，提高太阳电池效率，降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本；本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触，无整流效应；制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法，可全表面均匀制备，工艺简单，可靠性强。
一种钙钛矿晶硅叠层太阳电池结构

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制作方法-CN202111483358.0在审
发明人：张津燕;庄辉虎;曾清华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制作方法，所述电池包括：N型硅片，依次设在硅片正面的第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及透明导电层、金属栅线层，依次设在硅片背面的第二本征非晶硅层、P型微晶硅层以及透明导电层、金属栅线层。其中，P型微晶硅层由通过从低到高的渐变硼掺杂气体浓度梯度依次沉积形成。该P型微晶硅层最初成膜阶段采用的低掺杂浓度有利于微晶硅薄膜的生长从而有利于提高P型微晶硅的晶化率；掺杂浓度从低逐渐升高，即保证了薄膜的钝化性能又形成一定的能带梯度从而加快空穴的传输，使得电池转换效率得到明显提升
一种高效异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构-CN200810116535.X有效
发明人：王文静;赵雷 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型的晶硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在所述晶硅层2上制备的与晶硅层2掺杂类型相同的薄膜硅层3，在所述薄膜硅层3上制备的透明导电电极层4，在透明导电电极层4上制备的金属栅线5。
一种提高太阳电池效率发射极结构

[实用新型]PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统-CN202220817872.7有效
发明人：史元喆;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统，PERC太阳能电池片包括基片、第一氢化本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电层和第一金属栅线。第一氢化本征非晶硅层设置在扩散层上，第一掺杂非晶硅层设置在第一氢化本征非晶硅层上，第一掺杂非晶硅层的极性与扩散层的极性相同。第一导电层设置在第一掺杂非晶硅层上。第一金属栅线设置在第一导电层上且与第一导电层电性连接。如此，第一氢化本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层的设置可以对基片的扩散层实现全表面钝化，避免第一金属栅线与基片接触处钝化缺失而导致的高表面负荷状况，提高载流子的收集几率。
perc 太阳能电池电池组件系统