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[发明专利]单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法-CN201210290380.8有效
发明人：陈世斌 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法，包括：对正在生长的单晶硅棒进行实时拍摄，分析成像图，采用以下步骤进行测量：S1：在成像图上确定开始扫描点；S2：在成像图上确定晶线特征像素值；S3：在成像图上确定结束点；S4：在成像图上采用从右到左的扫面法从点开始逐行扫描遇到光圈则返回下一行扫描；S5：扫到晶线特征像素之后记录下最右边的像素点位置；S6：以最右边的像素点位置为最高点，计算从光圈到最高点的晶线平面高度x本发明的测量方法能够检测出硅棒在高温负压的环境中进行生长时，晶线是否存在，全程无需经验丰富的单晶工人参与，减少劳动强度，降低人力成本。
单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法

[发明专利]沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线-CN202310258035.4在审
发明人：余仲;陈麒麟;谭晓华 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线，沉积镀膜模块用于在基体上沉积非晶硅薄膜或者微晶硅薄膜，其包括依次设置的多个HWCVD工艺腔体，每相邻两个HWCVD工艺腔体之间均设置有降温腔体；其中，沉积镀膜模块在基体上沉积非晶硅薄膜或者微晶硅薄膜的过程中本发明的沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线可以降低基体在每个HWCVD工艺腔体内的沉积时间，避免基体受热丝辐射超温，影响转化效率。
沉积镀膜模块以及生产线

[发明专利]一种利用晶硅线锯废砂浆制备锂离子电池负极材料的方法-CN202111681380.6有效
发明人：杨帆;谢泽曼;余贝贝;刘逸亨;洪若岚;郑炯;张志强;仇明侠;韩培刚 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开一种利用晶硅线锯废砂浆制备锂离子电池负极材料的方法。方法包括：提供晶硅线锯废砂浆；使所述晶硅线锯废砂浆中切割液去除，得到Si/SiC混合物；将所述Si/SiC混合物分散于水中，加入氧化锆磨球和氨水，在加热条件下进行球磨，得到Si/SiC混合悬浊液；对所述混合悬浊液进行油泡浮选处理，收集Si颗粒悬浊液；向所述Si颗粒悬浊液中加入氧化石墨烯分散液，并调整pH后，加入油相，搅拌得到油包水乳液；将所述油包水乳液进行喷雾干燥处理，然后经高温还原处理，得到石墨烯包覆硅锂离子电池负极材料本发明通过上述方法制备得到石墨烯包裹硅锂离子电池负极材料，达到变废为宝的目的。
一种利用晶硅线锯废砂浆制备锂离子电池负极材料方法

[发明专利]一种基于背接触的叠层电池及其制备方法-CN202111335788.8在审
发明人：王飞;王伟;吴仕梁;张凤鸣 -专利权人：南京日托光伏新能源有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：将MWT、钙钛矿和HJT电池技术结合，包括叠置的HJT底电池和钙钛矿顶电池；HJT底电池自上而下依次包括N+型掺杂的非晶硅层、第一本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、P型掺杂非晶硅层、背面TCO层以及背面栅线电极；钙钛矿顶电池自上而下依次包括正面栅线电极以及正面TCO层、顶电极缓冲层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层。
一种基于接触电池及其制备方法

[发明专利]N型电池的正面电极两次印刷方法-CN201711259334.0在审
发明人：顾生刚 -专利权人：北京市合众创能光电技术有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该方法依次包括以下步骤：（1）采用银铝浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层；（2）将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层烘干；（3）采用银浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第二层；（4）将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层和第二层电极共烧结形成电极该发明通过两次印刷的方法，第一层银铝浆可以降低金硅接触电阻，第二层银电极可以降低电极的线电阻，同时，两次印刷的方法可以突破单次丝网印刷高宽比的天花板，能有效提高电极栅线的高宽比，既能增加电池的受光面，又能降低栅线电极整体的线电阻
晶硅太阳能电池两次印刷第一层电池电极正面电极高宽比线电阻银铝浆光电转换效率印刷技术领域电极栅线接触电阻丝网印刷银浆印刷栅线电极共烧结受光面天花板银电极烘干金硅印刷

[发明专利]一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池及其模组-CN201811268387.3在审
发明人：杨与胜;林朝晖;张超华;温跃忠;宋广华;王树林 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池及其模组，电池包括N型单晶硅片，依次沉积在硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线，依次沉积在硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线；模组包括背板体，设在背板体上的第一封装胶，设在第一封装胶上的多等分切割后的太阳能电池，设在太阳能电池上第二封装胶，设在第二封装胶上的前板体本发明通过加热使主栅上的锡熔化实现电池连接串联，不需要使用导电银胶，大幅降低制造成本，且铜栅线电极线电阻低，可切割成更宽的小片电池，减少电池重叠搭接面积。
封装胶模组异质结太阳能电池本征非晶硅薄膜掺杂非晶硅薄膜透明导电薄膜层单晶硅太阳能电池表面镀锡金属叠层双面发电电池背板体铜电极栅线沉积熔化导电银胶等分切割电池连接硅片正面制造成本重叠搭接前板体线电极线电阻硅片铜栅主栅加热串联切割

[实用新型]晶硅太阳能电池-CN201120285365.5有效
发明人：林涛;朱锦松;冯帅臣;陈清波;张茂胜;张耀明 -专利权人：江苏伯乐达光伏有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括P型单晶硅衬底；位于P型单晶硅衬底下方的背场以及穿透背场并与P型单晶硅衬底相连的背电极；位于P型单晶硅衬底上方的N型发射区、覆盖在N型发射区上方的减反射薄膜以及穿透减反射薄膜并与N型发射区相连的主栅线和副栅线，所述减反射薄膜的折射率比N型发射区的折射率小；所述减反射薄膜为三层介质结构，并且所述减反射薄膜的三层介质的折射率从下至上依次减小。本实用新型能有效提高太阳光的利用率，同时减小晶硅太阳能电池的表面复合速度，对晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流均有一定的提升。
太阳能电池

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110579420.X在审
发明人：刘睿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠分布的第一掩膜层和非晶硅材料层；刻蚀所述非晶硅材料层，形成间隔分布的第一线槽和非晶硅层；在所述第一线槽的侧壁和底面以及所述非晶硅层表面依次形成第二掩膜材料层、第三掩膜材料层；回刻蚀所述第三掩膜材料层，并停止在所述第二掩膜材料层表面，形成第三掩膜层，所述第三掩膜层位于所述非晶硅层侧壁的第二掩膜材料层表面；去除所述第一线槽底面和所述非晶硅层表面的第二掩膜材料层，形成第二掩膜层；去除所述非晶硅层，形成第二线槽。本申请技术方案的半导体结构的形成方法能够减少金属线的缺陷，提高器件性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]非晶硅显示装置-CN201110174164.2有效
发明人：蔡明翰 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开一种具有非晶硅显示面板的非晶硅显示装置，包括驱动控制器、主要闸极驱动器、温度传感器、辅助闸极驱动器以及切换电路。驱动控制器产生驱动控制信号。主要闸极驱动器接收驱动控制信号。辅助闸极驱动器接收并依据驱动控制信号来驱动非晶硅显示面板。切换电路依据切换控制信号以导通或断开辅助闸极驱动器接收驱动控制信号的路径。其中，主要闸极驱动器、辅助闸极驱动器以及非晶硅显示面板同样被置在非晶硅基板上。本发明可以补偿非晶硅的显示装置上的闸极驱动器因高温度或长时间的操作所产生的衰退现象，或也可以在不更动非晶硅的显示装置的硬件配线的状况下，达成转换扫描顺序的功能。
非晶硅显示装置

[实用新型]一种快热式热水器硅晶管发热体-CN201320647883.6有效
发明人：张宝华 -专利权人：黄建岳
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： F24H1/14 文献下载
摘要：一种快热式热水器硅晶管发热体，包括硅晶电热管和管座，管座上有接口，管座将硅晶电热管串联；所述管座包括座板和带接口的端盖，还包括一密封圈、密封环和二个架板，所述硅晶电热管穿过管孔、沉孔及沉孔内的密封圈插入管插接孔内，端盖和座板用螺栓固定连接成一体，密封圈受挤压与硅晶电热管、沉孔和端盖紧密配合；硅晶电热管上下两端的管座上的接口呈对角线设置；架板的两端与座板用螺钉可拆卸连接在一起，防止了硅晶电热管受轴向力作用，在安装过程中
一种快热式热水器硅晶管发热

[发明专利]一种异质结太阳能电池上金属栅线电极的制作方法-CN202311218064.4在审
发明人：章磊 -专利权人：上海昕沐化学科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种异质结太阳能电池上金属栅线电极的制作方法。该方法包括以下步骤：N型单晶硅经清洗和制绒后，两面沉积本征非晶态薄膜；在单晶硅正面本征非晶态薄膜表面沉积掺杂的P型非晶硅薄膜，在单晶硅背面本征非晶态薄膜表面沉积掺杂的N型非晶硅薄膜；在掺杂的N型和P型非晶硅薄膜表面分别沉积透明导电氧化物薄膜；在透明导电氧化物薄膜表面进行激光镭射；对激光镭射区域进行表面活化；对表面活化区域进行化学镀铜或化学镀镍；对化学镀铜或化学镀镍区域进行电镀沉积铜，由此完成异质结太阳能电池上金属栅线电极层的制作。本发明简化了金属栅线电极的制造工艺，可得到结合力良好和导电性能优异的金属栅线电极图形。
一种异质结太阳能电池金属电极制作方法

[发明专利]一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器-CN202210483866.7在审
发明人：焦斌斌;刘瑞文;云世昌;孔延梅;叶雨欣;杜向斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口；在SOI晶圆的第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构，第二区域获得第二硅悬梁结构。
一种传感器组合结构及其加工方法

[实用新型]高效太阳能无主栅线晶硅电池片-CN201620829778.8有效
发明人：四建方;熊华平;李建峰;胡志刚 -专利权人：青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于现有技术设备，在少量修改设备及工艺的前提下，降低生产成本和提高发电量的高效太阳能无主栅线晶硅电池片。一种高效太阳能无主栅线晶硅电池片，包括电池片、细栅线和背面电极，电池片的正面横向密布细栅线，背面阵列设有背面电极，电池片的细栅线的垂直方向的两端上设有主栅线端头，主栅线端头之间的细栅线上无主栅线，主栅线端头之间的细栅线的垂线上间隔设有焊接增强点和增强电学效果部本实用新型在保证太阳能晶硅电池片的基本功能外，降低了成本，提高了发电量，大大推动了我国太阳能电池板领域的进步，具有很好的市场推广前景。
高效太阳能无主栅线晶硅电池

[实用新型]增强焊接效果的太阳能无主栅线晶硅电池片-CN201620823783.8有效
发明人：熊华平;四建方;李建峰;胡志刚 -专利权人：青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司
申请日： 2016-07-31 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于现有技术设备，在少量修改设备及工艺的前提下，降低生产成本和提高发电量的增强焊接效果的太阳能无主栅线晶硅电池片。一种增强焊接效果的太阳能无主栅线晶硅电池片，包括电池片、细栅线和背面电极，电池片的正面横向密布细栅线，背面阵列设有背面电极，电池片的细栅线的垂直方向的两端上设有主栅线端头，主栅线端头之间的细栅线上无主栅线，主栅线端头之间的细栅线的垂线上间隔设有焊接增强点。本实用新型在保证太阳能晶硅电池片的基本功能外，降低了成本，提高了发电量，大大推动了我国太阳能电池板领域的进步，具有很好的市场推广前景。
增强焊接效果太阳能无主栅线晶硅电池

[实用新型]增强电连接效果的太阳能无主栅线晶硅电池片-CN201720201881.2有效
发明人：熊华平;四建方;李建峰;胡志刚 -专利权人：青岛瑞元鼎泰新能源科技有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于现有技术设备，在少量修改设备及工艺的前提下，降低生产成本和提高发电量的增强电学效果的太阳能无主栅线晶硅电池片。一种增强电连接效果的太阳能无主栅线晶硅电池片，包括电池片、细栅线和背面电极，电池片的正面横向密布细栅线，背面阵列设有背面电极，电池片的细栅线的垂直方向的两端上设有主栅线端头，主栅线端头之间的细栅线上无主栅线，主栅线端头之间的细栅线的垂线方向上设有增强电学效果部位。本实用新型在保证太阳能晶硅电池片的基本功能外，降低了成本，提高了发电量，大大推动了我国太阳能电池板领域的进步，具有很好的市场推广前景。
增强连接效果太阳能无主栅线晶硅电池