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[发明专利]一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法-CN202110376609.9在审
发明人：李志炜;范斌;雷柏平;邵俊铭;罗倩;刘盾;高国涵;辛强;刘海涛;毛羽丰 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法，利用对等离子体放电密度分布的实时监测反馈，对进气气流分布进行即时调控，从而调控等离子体密度分布乃至等离子体放电状态。该发明可以实时、精确调控等离子体放电状态，获得需要的等离子体密度分布，或者基于闭环控制维持稳定的等离子体放电状态。调控原理简单，易于实现，适用于半导体行业等离子体均匀去除或者光学加工领域的等离子体稳定去除工艺。
一种基于分布控制等离子体密度调控方法

[发明专利]一种基于表面耦合诱导等离子体的冷链消毒装置及方法-CN202110287149.2在审
发明人：沈俊;高新强;张麟德;李振兴;莫兆军;李珂;王利晨;陈琪 -专利权人：中国科学院江西稀土研究院
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于表面耦合诱导等离子体的冷链消毒装置及方法，包括等离子体生成装置、等离子体稀释降温装置、等离子体消毒灭菌装置；所述等离子体稀释降温装置的一端与等离子体生成装置连接；所述等离子体稀释降温装置的另一端与等离子体消毒灭菌装置连接；利用表面耦合诱导等离子体，在常压低温的环境下，对冷冻冷藏货物进行消毒灭菌，特别是对冷链物流货物装卸、运输全过程实现消毒灭菌。
一种基于表面耦合诱导等离子体消毒装置方法

[实用新型]一种精密喷涂设备-CN201821874260.1有效
发明人：杨磊;吴艳超 -专利权人：深圳市顺安恒科技发展有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B05B16/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种精密喷涂设备，包括传送带，在所述传送带上设有喷涂机架和等离子机架；所述喷涂机架顶部设有进风口，在所述喷涂机架内设有喷涂导轨，所述喷涂导轨连接着喷枪，所述喷枪通过所述喷涂导轨进行往返运动；所述等离子机架顶部设有排风口，在所述等离子机架内设有等离子导轨，所述等离子导轨连接着等离子头，所述等离子头通过所述等离子导轨进行往返运动。基材依次经过等离子清洗区域和喷涂区域，避免相互干扰和污染，具有结构简单、自动化程度高的特点。
等离子喷涂导轨传送带导轨连接等离子头机架顶部精密喷涂往返运动喷枪本实用新型等离子清洗喷涂区域进风口排风口基材自动化污染

[发明专利]高效紧凑型聚变反应堆-CN201580030642.9在审
发明人：阿兰·赛克斯;米哈尔·格瑞亚耐维奇;大卫·金厄姆 -专利权人：托卡马克能量有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：该反应堆具有环形等离子体室和等离子体约束系统，此等离子体约束系统被布置成产生用于约束等离子体室中的等离子体的磁场。等离子体约束系统被配置成使得被约束的等离子体的主要半径为1.5m或更小。环形磁场运行于5T或更小，以及等离子体电流是5MA或更小。此外，所生成的α粒子约束在等离子体中。
高效紧凑型聚变反应堆

[发明专利]等离子体反应器线圈磁体系统-CN02816257.9无效
发明人：安德列·S·米特洛维奇 -专利权人：东京电子株式会社
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于处理工件的方法，利用等离子体处理操作期间得自于存在于等离子体处置装置等离子体室内的处理气体的等离子体执行。该装置包括周向围绕等离子体室安装的电磁体阵列。该方法包括由室内的处理气体产生等离子体并使等离子体粒子撞击工件，为电磁体选择电流信号分布，和将每个所选择的分布提供给电磁体从而在等离子体处理操作期间在等离子体上施加多于一种的磁场布局。
等离子体反应器线圈磁体系统

[发明专利]用于等离子体处理的装置-CN200580005315.4无效
发明人：殷永柏;马瑟拉·比莱克;大卫·麦克肯茨;安尼·格尔德·伊曼尼斯 -专利权人：悉尼大学
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于基片表面(16)等离子体处理的装置(10)。该装置包括用于产生等离子体的等离子体源(12)和等离子体控制电极(14)。该装置还包括驱动装置，用于实现所述等离子体控制电极(14)和等离子体源(12)之间的相对运动，或所述等离子体控制电极(14)和等离子体源(12)相对于所述基片(16)的相对运动。所述等离子体控制电极(14)靠近所述基片(16)，以方便采用可控的方式进行所述基片(16)表面的处理。
用于等离子体处理装置

[发明专利]一种风柜的病毒消杀结构及中央空调-CN202110362340.9在审
发明人：岑艺懂 -专利权人：岑艺懂
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： F24F3/16 文献下载
摘要：本发明提出一种风柜的病毒消杀结构及中央空调，包括柜体、风机、电机以及高压等离子电场，风机、电机以及高压等离子电场设置在柜体内，电机驱动风机运动，高压等离子电场设置在风机的进风端上，高压等离子电场设置有若干个第一吸附等离子器和第二吸附等离子器，第一吸附等离子器和第二吸附等离子器沿风向先后设置，所述第一吸附等离子器和第二吸附等离子器的正负电压不同，第一吸附等离子器上设置有第一电离丝和第一吸附板组件，第一电离丝位于第一吸附等离子器的进气端，第二吸附等离子器上设置有第二电离丝和第二吸附板组件，第二电离丝位于第二吸附等离子器的进气端，所述第一吸附板组件和第二吸附组件的正负电压不同以吸附不同电荷的RNA病毒后放电杀死RNA、DNA病毒。
一种病毒结构中央空调

[发明专利]零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置-CN202010432447.1在审
发明人：段蛟;孙祥;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。一种用于等离子体反应装置中的零部件，等离子体反应装置包括反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露于等离子体环境中，零部件包括：非氧化物基底；耐等离子体涂层，耐等离子体涂层涂覆于非氧化物基底表面，耐等离子体涂层为稀土金属化合物，耐等离子体涂层和非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。本发明提供的零部件，在非氧化物基底与耐等离子体涂层之间的界面通过饱和的化学键实现过渡，降低耐等离子体涂层脱落的风险，提高耐等离子体涂层的服役寿命。
零部件形成等离子体涂层方法反应装置

[实用新型]一种低温等离子体处理高难降解废水装置-CN202022158882.8有效
发明人：张绪全;孙浙胜;张绪运 -专利权人：宁波弘富环境科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：一种低温等离子体处理高难降解废水装置，包括配电箱、等离子体发生器、等离子体射流器、原始废水箱、水泵、等离子体反应器、进液阀门和出液阀门，配电箱和等离子体发生器连接，等离子体发生器设置有用于输入压缩气体的进气管道，等离子体发生器和等离子体射流器连接，原始废水箱内储存待处理的废水，原始废水箱和等离子体射流器之间设置有水泵，原始废水箱的出水口和水泵的输入端相连，水泵的输出端和等离子体射流器连接，等离子体射流器和等离子体反应器连接，等离子体反应器设置有进液阀门和出液阀门，所述等离子体反应器内为负压环境。
一种低温等离子体处理高难降解废水装置

[实用新型]一种均匀控制的等离子蚀刻装置-CN202120421141.6有效
发明人：王毅;沈晓辉;李晓阳 -专利权人：中睿达智能环保科技有限责任公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种均匀控制的等离子蚀刻装置，该均匀控制的等离子蚀刻装置包括等离子箱、支撑架和等离子体发生板。等离子箱上方设置有进气管、等离子箱下方设置有出气管、底部设置有支脚，出气管下方设置有所需蚀刻的硅晶片；支撑架在等离子箱内沿左右方向间隔设置有至少三个，各个支撑架上均设置有支撑板，支撑板在对应支撑架上沿上下方向间隔设置有至少两块；等离子体发生板设置在相邻两个支撑架上处于同一水平面的支撑板上；各水平面内的支撑板和等离子体发生板将等离子箱划分为多个蚀刻气体流通区，各个蚀刻气体流通区通过等离子体排出孔连通。本实用新型的一种均匀控制的等离子蚀刻装置使得蚀刻气体能够与等离子体充分接触并携带等离子体对硅晶片进行蚀刻。
一种均匀控制等离子蚀刻装置

[实用新型]用于等离子体弧粉体制备设备的磁控器-CN202320141766.6有效
发明人：李春生;陈应红;黄猛;肖发全;陈火明 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：提供一种用于等离子体弧粉体制备设备的磁控器，磁控器设置有筒形外壳以及设置在筒形外壳的内壁上的周向交替且间隔开的主磁极和副磁极，主磁极连接于直流等离子电源以产生使等离子体弧粉体制备设备产生的等离子体弧旋转的旋转磁场，副磁极连接于三相交流电源以产生将等离子体弧粉体制备设备产生的等离子体弧径向向内推的磁场。副磁极产生将等离子体弧径向向内推的磁场会使得等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧不会接近等离子体弧粉体制备设备的筒体的内壁面，避免了筒体存在等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧接触筒体导致筒体被烧蚀的风险、进而免除了等离子体弧或等离子体弧的漂移电弧在筒体内流动击穿筒体的风险
用于等离子体体制设备磁控器

[实用新型]消毒灭菌等离子气泡洗衣机-CN96224170.9无效
发明人：谢修章;刘柯;王林;石刚 -专利权人：深圳市精锐实业有限公司
申请日： 1996-12-06 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： D06F21/06 文献下载
摘要：消毒灭菌等离子气泡洗衣机，由波轮式洗衣机和等离子气泡发生装置组成，等离子气泡发生装置包括气泵、等离子发生器和输气管，等离子发生器采用高压脉冲发生电路和等离子发生片。
消毒灭菌等离子气泡洗衣机

[发明专利]一种提高等离子焊接质量的方法-CN202110280723.1在审
发明人：王银军 -专利权人：上海梅山钢铁股份有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高等离子焊接质量的方法，主要解决现有技术中等离子焊枪倾角小于或大于90°时所对应初始电弧长度无法精确测量、等离子焊接质量差的技术问题。技术方案为，一种提高等离子焊接质量的方法，包括以下步骤：1)焊接前的准备，将工件固定，粗调离子焊枪与工件上表面的相对位置，开启等离子焊枪的气源、冷却水源阀门，使焊枪处于待焊状态；2)测量等离子焊枪的初始电弧长度，等离子焊枪的初始电弧长度为等离子焊枪钨极尖端面与工件上表面沿钨极中心轴的最短距离；3)焊接工件，根据等离子焊枪初始电弧长度及工件厚度，设定焊接的气体流量、电流、焊接速度参数，对工件进行等离子焊接。本发明提高了等离子焊接的焊接质量。
一种提高等离子焊接质量方法

[发明专利]利用后等离子体气体注入的等离子体处理设备-CN201880038243.0有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。该设备包括将等离子体室与处理室隔开的分离格栅。分离格栅可以被配置为过滤等离子体中产生的一个或多个离子，并允许中性粒子通过而从等离子体室到达处理室。该设备可以包括至少一个气体端口，该至少一个气体端口被配置为将气体注入穿过分离格栅的中性粒子中。
利用等离子体气体注入处理设备

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置