专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体观测系统和等离子体观测方法-CN202110054765.3在审
  • 山崎良二;宫下大幸;佐藤幹夫 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-01-15 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法,用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有:等离子体处理装置,在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理;以及测定装置,其测定所述等离子体,其中,所述等离子体处理装置具有多个观测窗,所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态,所述测定装置具有:受器,其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个;以及控制部,其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
  • 等离子体观测系统方法
  • [发明专利]可移式等离子箱单室大批量镀膜的方法-CN200710005090.3无效
  • 李沅民;马昕 - 北京行者多媒体科技有限公司
  • 2007-02-14 - 2008-08-20 - C23C16/513
  • 本发明公开了一个制造大面积薄膜硅伏器件的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。采用能承载多个电极和大量基板的可移式等离子箱并使用单一真空室,制造基于薄膜硅p-i-n型伏器件的方法包括以下步骤:将基板放入等离子箱,然后让等离子箱在一个预热炉中加热,再将等离子箱放入PECVD系统中的单一真空室里,在固定的等离子箱中将硅薄膜沉积在基板上,然后把等离子箱从PECVD真空室移入一个降温室中,最后从等离子箱中取出基板。等离子箱可在下一批基板处理之前被清理。这是一个简单、高产出的生产低成本高效率伏器件的方法。
  • 可移式等离子箱单室大批量镀膜方法
  • [发明专利]等离子放电辉光的光学监控方法-CN201510915185.3在审
  • 李志勇;徐逸明;王立民;周昭旭;黄友俊;陈彦政 - 馗鼎奈米科技股份有限公司
  • 2015-12-10 - 2016-09-14 - G01N21/84
  • 一种等离子放电辉光的光学监控方法,其包含下列步骤。利用侦测器侦测等离子放电辉光,以取得数个信号。利用感测电路撷取这些信号,并将这些信号转换成数个电信号。利用运算单元根据这些电信号来进行计算步骤,以获得对应等离子放电辉光的数个位置的数个光强度。利用影像重建单元根据等离子放电辉光的这些位置与对应的光强度重建等离子放电辉光的影像。运用此方法,可以非接触的方式,有效侦测出等离子放电辉光的形状、大小、温度分布、颜色分布与闪烁行为,以及相对强度、绝对强度与强度分布,因此可达到即时监控等离子处理的区域的效果。
  • 等离子放电辉光光学监控方法
  • [发明专利]等离子体射流速度的监测方法与设备-CN201910922191.X有效
  • 曹进文;黄河激;孟显;潘文霞 - 中国科学院力学研究所
  • 2019-09-26 - 2020-12-11 - H05H1/00
  • 本发明涉及一种等离子体射流速度的监测方法与设备,其方法包括:撷取层流等离子体的多个图案,基于输出功率与等离子体的浓度正相关由所述图案的发光边界确定等离子体射流的射流边界;基于所述等离子体射流由射流出口到射流末端的轴向射流边界,确定层流等离子体的射流长度;由所述层流等离子体的射流长度计算出等离子体的射流平均速度,在预定不同的弧电流射流速度保持不变下,建立层流等离子体的射流长度与弧电流的关系。本发明具有等离子体射流速度测量过程简化与降低系测量统设备建置成本的效果。
  • 等离子体射流速度监测方法设备

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