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[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

[实用新型]扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统-CN202122693085.4有效
发明人：王广义;王瑞召;毕卫超 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统，其包括扩散炉、等离子体增强化学气相沉积设备和冷却塔，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备与冷却塔之间设置有排风装置，且扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔或者大气相连通本申请具有以下效果：冬季时，阀门机构控制扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔相连通，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备将硅片制程过程中产生的热量通向冷却塔，冷却塔利用该热量进行升温换热
扩散等离子体增强化学沉积设备热量回收系统

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[发明专利]一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备-CN201610957838.9在审
发明人：滕海燕 -专利权人：合肥优亿科机电科技有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备，包括真空室以及置于真空室进气端的高密度等离子体源和置于真空室抽气端的用于放置样品的沉积底座，所述高密度等离子体源包括加热丝、热阴极发射源片以及布置在加热丝和热阴极发射源片外围的屏蔽结构，该高密度等离子体源激发出弧光放电等离子体，对沉积底座上的样品进行固体薄膜的沉积；所述沉积底座包括可旋转的基座、置于基座上的衬底以及置于基座下端的恒温控制模块。本发明所阐述的等离子体密度比市面上现有的辉光放电等离子体提高10~100倍，应用于化学气相沉积固体薄膜时生产效率会提高10~100倍，而且等离子体温度高，膜层的附着力强，膜组织致密，膜的厚度及成分均匀性好
一种高密度等离子体增强化学沉积设备

[发明专利]处理衬底的方法和真空沉积设备-CN201980033072.7有效
发明人： E·舒格尔;S·吉斯 -专利权人：瑞士艾发科技
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供真空室(1)，‑在所述真空室中提供至少一个衬底(30)，‑在所述真空室中产生等离子体环境(2)并将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境，其中所述等离子体环境包括材料沉积源的第一等离子体(11)和非沉积源的第二等离子体(21)；‑在第一状态和第二状态之间重复地操作所述等离子体环境。本发明还涉及适应于执行所述方法的真空沉积设备。
处理衬底方法真空沉积设备

[发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080088594.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区，以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内，相应靶在使用中暴露于等离子体。溅射沉积区提供靶材料的溅射沉积。
溅射沉积设备方法

[发明专利]具有可调整电极的沉积源-CN201480006817.8有效
发明人： W·布施贝克;F·里斯;T·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：描述了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器。基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域。等离子体沉积源用以沉积薄膜于真空处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极。致动器配置用以调整电极和外表面之间的距离。
具有可调整电极沉积

[实用新型]一种金刚石沉积装置-CN202020123107.6有效
发明人：王忠强;丁雄傑;王琦;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种金刚石沉积装置，包括沉积腔、沉积台和等离子体单元，沉积台装设于沉积腔内，还包括位置控制装置，等离子体单元设有等离子体喷嘴，等离子体喷嘴设于沉积腔内，位置控制装置与等离子体喷嘴连接，与现有技术相比，本实用新型通过设置位置控制装置，可以控制等离子体喷嘴与沉积台的相对位置，根据沉积需要在沉积台的不同位置进行沉积，从而实现沉积出复杂形状的大面积金刚石薄膜。
一种金刚石沉积装置

[发明专利]硅薄膜的制备方法-CN201410419021.7有效
发明人：邬苏东;叶继春;高平奇;杨映虎;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅薄膜的制备方法，使用中压等离子体设备制备硅薄膜，包括以下步骤：将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上；将所述沉积腔室抽真空；在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体，所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体；在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体，所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子；所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室，并沉积在所述衬底上形成硅薄膜；在所述硅薄膜的沉积过程中，所述沉积腔室中的压力为0.1kPa～10kPa，且所述压力值恒定。
薄膜制备方法

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

[发明专利]多等离子体束溅射共沉积装置-CN92111980.1无效
发明人：郭华聪 -专利权人：四川大学
申请日： 1992-11-16 - 公布日： 1994-05-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：多等离子体束溅射共沉积装置，主要用于等离子体沉积多成分薄膜。本发明在靶室中设有2—4个溅射沉积微波等离子体源和一个辅助沉积微波等离子体源。每一个微波等离子体源安装在靶室的通道上。溅射沉积通道中装有圆筒式靶片，靶片通以直流或高频溅射电压，吸引微波等离子体源产生的等离子体中的正离子轰击靶片，产生溅射作用。本发明杂质污染小，易于控制薄膜成分比例，适合制作高性能功能薄膜和纳米超薄膜。
等离子体溅射沉积装置

[发明专利]远等离子体室清理中的自由基引发剂-CN200610105463.X无效
发明人：齐宾 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及在远等离子体清理CVD加工室和设备以除去此类沉积加工室和设备的壁、表面等上形成的不需要的沉积副产物中的改进。该远清理方法中的改进在于在用于产生所述等离子体的远等离子体发生器的下游提供自由基引发剂，所述自由基引发剂能在所述等离子体存在下形成自由基。
等离子体清理中的自由基引发

[发明专利]等离子体辅助有机薄膜沉积装置-CN200710302363.0有效
发明人：黄国兴;林东颖;张均豪;王家宏;王登彦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置，其主要由一等离子体产生室及一沉积室构成，该等离子体产生室可等离子体热裂解该等离子体产生室内的可聚合材料气体；该沉积室与该等离子体产生室连通，用以接收该热裂解的可聚合材料气体，该沉积室包括一基板装置，该基板装置可供该热裂解的可聚合材料气体沉积于其上以形成有机薄膜；由于等离子体产生室与沉积室分离，因此可提供一低温薄膜沉积工艺，并可避免等离子体离子直接撞击基板；另可于该等离子体产生室的出口端设置导流装置
等离子体辅助有机薄膜沉积装置

[发明专利]等离子体气相沉积设备-CN202010540435.0在审
发明人：王凤明;李王俊;陈晨 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体气相沉积设备，其包括等离子气相沉积结构，具有等离子气相沉积腔室；清洁等离子体源供给结构，具有清洁等离子体源腔室；以及连接管道，具有连通所述等离子气相沉积腔室和所述清洁等离子体源腔室的清洁供给通道上述等离子体气相沉积设备，可通过在冷却通道内输入冷却介质，以带走至少部分因含氟活性基团复合在清洁供给通道的内壁上而产生的热量，进而降低温度较高而导致的烫伤操作人员或火灾等安全隐患、增加连接管道的使用寿命
等离子体沉积设备

[发明专利]用于膜沉积和表面处理的连续等离子体-CN201980067220.7在审
发明人：阿鲁尔·N·达斯;洪图;郭长鹤;李明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了设备和方法，其用于：使反应物处理气体流入容纳衬底的处理室中；在所述反应物处理气体的流动期间在所述处理室中于第一功率电平下产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积在所述衬底上沉积材料层；在停止使所述反应物处理气体流入所述处理室时维持所述等离子体，从而在不熄灭所述等离子体的情况下停止沉积；将所述等离子体调整至第二功率电平；使惰性处理气体流入所述处理室中，从而在所述等离子体处于所述第二功率电平时将所述材料层改性；以及在进行所述改性之后将所述等离子体熄灭
用于沉积表面处理连续等离子体