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[发明专利]等离子处理装置、等离子处理方法-CN202210804986.2在审
发明人：近藤祐介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实施方式涉及一种等离子处理装置及等离子处理方法。等离子处理装置(10)具备：衬底保持件(40)，保持半导体衬底(W)；气体供给部(70)，向形成在半导体衬底(W)与衬底保持件(40)之间的气体供给空间(F11,F12)供给混合气体；流量调整部(71,72流量控制部(202)在等离子氛围中执行第1流量控制及第2流量控制，所述第1流量控制是使氦气流量多于氩气流量，所述第2流量控制是使氩气流量多于氦气流量。
等离子处理装置方法

[发明专利]一种小麦耐热性检测的方法和系统-CN201310488311.2有效
发明人：王晓冬;侯佩臣;姜富斌;王成;罗斌;杨宝祝;吴建伟 -专利权人：北京农业信息技术研究中心
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供的一种小麦耐热性检测的方法和系统，该方法包括：将被测小麦分成热处理组的小麦和非热处理组的小麦；对热处理组的小麦进行热处理；利用离子流检测系统分别对没有进行热处理的非热处理组的小麦和热处理后的热处理组的小麦的同种离子进行离子流向和离子浓度的检测，分别得到第一离子流向、第一离子浓度和第二离子流向、第二离子浓度；根据检测出的第一离子浓度，计算没有进行热处理的非热处理组的小麦的离子的第一离子流速；根据检测出的第二离子浓度，计算热处理后的热处理组的小麦的离子的第二离子流速；根据第一离子流速和第一离子流向以及第二离子流速和第二离子流向，检测出小麦的耐热性。
一种小麦耐热性检测方法系统

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200480014926.0无效
发明人：野泽俊久;石桥清隆;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法及后处理方法-CN200510077064.2有效
发明人：清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供不仅能够防止处理腔室内的腐蚀，也能够防止搬运系统中的腐蚀的等离子体处理方法及后处理方法。对腔室内的被处理体进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：将至少含有卤素的气体等离子体化，用生成第一等离子体对被处理体进行处理的第一等离子体处理；在第一等离子体处理之后，向所述腔室内供给含氧气体，生成第二等离子体，对所述腔室以及被处理体进行处理的第二等离子体处理；将至少含有氮和氢的气体等离子体化，用生成的第三等离子体对经过第二等离子体处理后的被处理体进行处理的第三等离子体处理。
等离子体处理方法

[发明专利]离子交换树脂交替串联使用工艺及其装置-CN201210396225.4无效
发明人：陈允骐 -专利权人：广州市太和电路板有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子交换树脂使用工艺及其装置，旨在提供一种将离子交换法树脂利用率提高至80%，降低运行费用，确保废水排放达标准的工艺；其技术要点：1）将待处理液流经第一离子交换树脂处理罐，再流经第二离子交换树脂处理罐后排出；2）当第一离子交换树脂处理罐流出液离子浓度达到规定要求时再生，使待处理液单独流经第二离子交换树脂处理罐处理后排出；3）第一离子交换树脂处理罐再生完毕后，使待处理液体流经第二离子交换树脂处理罐后再流经第一离子交换树脂处理罐处理后排出；4）第二离子交换树脂处理罐流出液离子浓度达规定要求时再生，并使待处理液单独流经第一离子交换树脂处理罐处理后排出；5）重复上述步骤；属于废水处理技术领域。
离子交换树脂交替串联使用工艺及其装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202211008852.6在审
发明人：何政;唐怡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括处理室、等离子体源、承载座、偏压电源和线圈组件，承载座与偏压电源电性连接，承载座位于处理室中，至少部分等离子体源位于处理室外；承载座的承载面用于承载待处理件；等离子体源用于产生等离子体，等离子体位于处理室中，且与承载座相对设置；线圈组件用于产生磁场，承载面位于磁场中，磁场作用于等离子体中的离子，以使离子受到垂直于磁场方向的洛伦兹力。离子受到洛伦磁力的作用，从而可以改变离子的运动方向，使得离子可以从待处理件的侧部掺杂。因此，本公开提供的等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够增强对待处理件的侧向离子掺杂效果。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置-CN200880017976.2有效
发明人：佐野正树;石塚修一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-05-27 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序
等离子体氮化处理中的室内方法装置

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004147.1在审
发明人：玉利南菜子;广田侯然;角屋诚浩;长谷征洋 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]离子交换装置-CN202080095899.3在审
发明人：远藤真树子;猪野健太郎;樋口裕纪 -专利权人：株式会社F.C.C.
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种离子交换容量增大的廉价离子交换装置。该离子交换装置包括：容纳被处理液体的原水槽1，该液体由包含杂质离子的液体构成；容纳处理物质的处理槽2，该处理物质包含由可与杂质交换的离子构成的交换离子；和离子交换体3，其允许杂质离子从原水槽1通向处理槽2和交换离子从处理槽2通向原水槽1，其中，处理槽2中的处理物质的摩尔浓度高于原水槽1中的被处理液体。
离子交换装置

[发明专利]水处理方法及水处理系统-CN201810140247.1在审
发明人：池田俊一;富田麻未;吉崎耕大;村上郁;樋口幸男;岩谷综太;张本崇良 -专利权人：株式会社久保田;久保田化水株式会社
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供能够从以较高浓度含有氟离子的被处理水中简便地除去更多的氟离子的水处理方法及水处理系统。本发明的解决方案是一种水处理方法，其具有使含有氟离子、镁离子及硫酸根离子的被处理水与氟吸附剂接触而将被处理水中的氟离子的至少一部分除去的吸附工序，被处理水的氟离子浓度为50mg/L以上、镁离子和硫酸根离子的总浓度为一种水处理系统，其具有：填充有氟吸附剂的吸附塔和被处理水供给流路，所述被处理水供给流路与吸附塔的入口侧连通，并供给含有氟离子、镁离子及硫酸根离子的被处理水，被处理水的氟离子浓度为50mg/L以上、镁离子和硫酸根离子的总浓度为
被处理水氟离子硫酸根离子镁离子水处理系统水处理氟吸附剂供给流路吸附塔入口侧水中填充吸附连通

[发明专利]等离子处理装置及其清洗方法-CN200410058831.0有效
发明人：波多野晃继 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子处理装置及其等离子清洗方法，在消除对被处理衬底的粒子冲击提高成膜质量的同时，由简单的构成有效地除去处理室内的粒子降低装置成本。等离子处理装置，是包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内部面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个第1电极及第2电极的复合电极，向处理室内部提供原料气体的原料气体供给部分还包括通过增大或减小形成在处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器，通过等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的等离子清洗方法。
等离子处理装置及其清洗方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910437815.9有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子体电极相对的部分由合成石英形成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置-CN201410837288.8有效
发明人：佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。
等离子蚀刻处理方法以及装置

[发明专利]等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置-CN200910142332.2有效
发明人：佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。
等离子蚀刻处理方法以及装置

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