“磁阻抗”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果82391个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双磁强计校准-CN201980055307.2在审
发明人：斯考特·J·卡特;方浩民;雷·M·莫里森;纳拉亚南·V·拉曼纳森 -专利权人：看门人系统公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁传感器能够包括双磁强计传感器，该双磁强计传感器包括第一低功耗磁强计(例如，磁阻抗磁强计)和第二高功耗磁强计(例如，磁阻磁强计)。
磁强计校准

[实用新型]一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组的封装外壳-CN201620741184.1有效
发明人：王忠杰;孟宪强;陆军升;于海洋;刘伯愚;董岩 -专利权人：长春禹衡光学有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组的封装外壳，属于磁感应探测技术领域。优点是结构新颖，应用此封装外壳可实现传感器模组的小型化，便于工程化生产，还可更好的保护磁阻芯片，增大电器件的绝缘阻抗，有利于制造一体化齿轮式传感器模组。
一种基于磁阻芯片齿轮传感器模组封装外壳

[发明专利]一种高频变压器分布参数的测量方法-CN201910195696.0在审
发明人：叶栋;戴瑜兴 -专利权人：温州大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频变压器分布参数的测量方法，确定高频变压器等效电路；在低频二次侧开路时，得到阻抗分析仪测量结果励磁阻抗Z_m；在高频二次侧短路时，利用阻抗分析仪测得漏感L_实1，同理一次侧短路时，得漏感L_实2；在高频二次侧开路时，频率f₁时利用阻抗分析仪测得结果为Z₁，在频率f₂时利用阻抗分析仪测得结果为Z₂；在高频一二次侧短路时，利用阻抗分析仪直接测量得到一二次侧绕组间分布电容C_ps。只需利用精密仪器阻抗分析仪便可对高频变压器分布参数实现高效、便捷、准确的测量提取，有助于研究变压器在高频时的分布参数效应；高效便捷获得分布参数，无需在变压器上进行电压或者电流的测量，更重要的是不用观察谐振频率
阻抗分析仪次侧分布参数高频变压器测量短路漏感变压器开路等效电路分布电容精密仪器励磁阻抗实验误差谐振频率直接测量减小观察研究

[发明专利]开关磁阻SR电机驱动主电路-CN201710589738.X在审
发明人：王金懿;蒋伟;陈捷雷;王贵明 -专利权人：杭州小爻科技有限责任公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H02P25/092 文献下载
摘要：一种开关磁阻SR电机驱动主电路，包括定子励磁绕组回路，在SR电机各相定子励磁绕组回路中串入可变电容器C的SR电机功率变换器，可通过调节可变电容器C的电容量，以减小其励磁绕组回路的阻抗Z值来增大电流，从而缩短电流的上升期与下降期调节可变电容器电容量C的方式是通过检测励磁绕组回路当前的电流值，比较所配开关管和续流二极管允许的最大电流值，结合电机当前的负载特性匹配要求，经反馈控制来调节其电容量C，即调节励磁绕组回路的阻抗Z值。本发明能有效加快开关磁阻电机的励磁电流的上升期与下降期，从而提高电机在各种运行状态下的功效，特别适用于电动汽车频繁起停和多变工况的负载特性要求。
开关磁阻 sr 电机驱动电路

[发明专利]一种含Cu、Nb钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法-CN201410247522.1有效
发明人：陆伟;贾敏;黄平;凌敏;王嘉婧 -专利权人：同济大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C22C45/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种含Cu、Nb钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法，合金薄带的成分组成由化学式表示为Co₆₈Fe₇Si₁₅B_{10<同时加入了Nb、Cu元素，使薄带的硬度、电阻率提高，同时也能提高耐蚀性，提高了非晶的软磁性能，进而获得很大的GMI效应，具有较高的巨磁阻抗变化率和磁场灵敏度，能广泛应用于磁敏传感器技术领域。}
一种 cu nb 钴基非晶巨磁阻合金及其制备方法

[发明专利]等效计算模型动态切换的注入式定子接地保护方法及系统-CN201811118465.1有效
发明人：郑玉平;李蔚;吴崇昊;李志坚;潘书燕;郑作伟;郝后堂 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02H7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种等效计算模型动态切换的注入式定子接地保护方法，1)采用省略接地变励磁阻抗支路的等效计算模型计算接地电阻值；2)若步骤1中计算的接地电阻值大于等于预设的阻值门槛值，则采用计及接地变励磁阻抗支路的等效计算模型计算接地电阻值
接地电阻等效计算注入式定子接地保护预设模型动态切换支路励磁阻抗模型计算接地接地电阻计算门槛电压门槛电源电压健壮性注入式省略测量

[发明专利]一种采用3D打印机制备双轴巨磁阻抗效应磁敏器的方法-CN201610039515.1有效
发明人：黄东亚;吴哲明;宋玉军 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种采用3D打印机制备双轴巨磁阻抗效应磁敏器的方法，双轴巨磁阻抗效应磁敏器中既含有X轴磁敏单元又含有Y轴磁敏单元，X轴磁敏单元和Y轴磁敏单元均通过3D打印机制备在基片上，X轴磁敏单元或是Y轴磁敏单元中均包含有底层电感线圈
一种采用打印机制备双轴巨磁阻效应磁敏器方法

[发明专利]一种基于柔性电路板的巨磁阻抗效应传感探头-CN200910235394.8无效
发明人：庞浩;杨钰;王赞基 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种基于柔性电路板的巨磁阻抗效应传感探头，属于磁场探测技术领域。该传感探头在10MHz至30MHz内具有灵敏的巨磁阻抗效应，而且加工后具有一致的测量性能，在应用时抗干扰能力强。
一种基于柔性电路板磁阻效应传感探头

[发明专利]基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件-CN200510026608.2无效
发明人：周勇;丁文;曹莹;陈吉安;周志敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，属于传感器技术领域。本发明采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；采用薄膜技术和MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、
基于多层磁阻效应器件

[实用新型]一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器-CN201020610144.6有效
发明人：王三胜;杨慧 -专利权人：北京鼎臣超导科技有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器，包括一个用于为非晶丝提供稳定的交流正弦激励电流的激恒流源激励电路。本实用新型不但继承了传统磁传感器的优点，而且由于GMI磁阻抗变化率高，使磁传感器能够探测微弱磁场。
一种基于磁阻效应传感器

[发明专利]一种基于桥式网络的车辆机电惯性悬架建模方法-CN202210673205.0在审
发明人：杨晓峰;汪伟;沈钰杰;吴文胜;黄霏;刘昌宁;刘雁玲;杨艺 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于桥式网络的车辆机电惯性悬架建模方法，可通过其产生的感应电流形成阻碍电机的电磁阻力，以此实现系统目标阻抗的输出；利用桥式网络可实现高阶次的阻抗传递函数，实现对车辆悬架综合性能的提升；利用模式搜索法对桥式网络的元件参数进行优化计算
一种基于网络车辆机电惯性悬架建模方法

[发明专利]过负荷电流保护装置-CN02818091.7无效
发明人：工藤高裕;田中顺造;石川公忠 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2002-10-08 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H02H7/085 文献下载
摘要：构成过负荷电流保护装置和检测从电源供给负荷的电流的电流检测装置由各相对应地设置以下部件构成，即：持有磁阻抗(MI)效果的磁检测元件、在该检测元件上施加交流电流供给机构、向偏置线圈供给偏置电流的偏置电流供给机构、使磁检测元件的阻抗变化为电压变化并检出其峰值的峰检测机构、以及选择峰检测机构的输出的开关；另外，共同设置顺序地保持开关输出的保持机构和放大机构，通过使各相电流检测成为可能，扩展电流检测范围，实现低耗电和低成本化
负荷电流保护装置

[发明专利]具有调谐微结构的数据读取器-CN201510455790.7在审
发明人： Q·何;M·W·科温顿;M·T·基弗 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：该调谐微结构可由下述组成：至少一种颗粒尺寸、颗粒尺寸分布、多层数据读取器之间的界面质量、阻抗-面积积和磁阻。
具有调谐微结构数据读取器

[发明专利]低阻抗隧道磁阻效应元件及其制造和测试方法及测试设备-CN200610072053.X有效
发明人：猿木俊司;稻毛健治;桑岛哲哉;清野浩;田上胜通;福田一正;河野雅秀 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。>)^－1·(μ₀－μ)·(nμ)^－1＜0.2，其中n_S1和n_S2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度
阻抗隧道磁阻效应元件及其制造测试方法设备

[发明专利]轴向磁路多对极磁阻式旋转变压器-CN201010547937.2有效
发明人：尚静;徐谦;李庆辉;刘承军;胡建辉;徐永向 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01F38/18 文献下载
摘要：轴向磁路多对极磁阻式旋转变压器，属于变压器技术领域。它解决现有磁阻式旋转变压器进行变磁阻设计时，会导致气隙增大，使输入输出阻抗减小的问题。
轴向磁路磁阻旋转变压器