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[发明专利]一种实现工件外表面均匀镀膜的磁控溅射装置及方法-CN200810120011.8有效
发明人：宋振纶;冒守栋;李金龙;孙科沸 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现工件外表面均匀镀膜的磁控溅射装置及方法，该装置包括真空室，磁控溅射靶和工件托架，其特征在于：所述磁控溅射靶安装在真空室的顶部呈密封连接结构，靶头伸入真空室内，且靶头与磁控溅射靶的连接轴之间为可转动连接与现有技术相比，本发明的优点在于：通过将磁控溅射靶安装在真空室的顶部并且将靶头与磁控溅射靶的连接轴之间设为可转动连接，磁控溅射靶的靶头能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围。通过将工件托架上的工件托盘设为行星式转动，既保证每个工件托盘溅射条件相同，又能保证托盘上各个位置所放工件溅射条件相同。
一种实现工件外表均匀镀膜磁控溅射装置方法

[发明专利]具有磁化冷却水装置的磁控溅射系统及磁控溅射设备-CN201810297130.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种具有磁化冷却水装置的磁控溅射系统及磁控溅射设备。磁控溅射系统包括磁控溅射装置、冷却水装置及磁化装置；其中，冷却水装置包括冷却水源及冷却水管路，冷却水管路一端与冷却水源相连接，另一端与磁控溅射装置相连接，用于向磁控溅射装置提供冷却水以对磁控溅射装置进行冷却本发明的具有磁化冷却水装置的磁控溅射系统及磁控溅射设备结构简单，不额外占用生产空间，不额外使用电量，能保证设备的稳定性，有效延长设备的使用寿命，极大降低生产成本。
冷却水装置磁控溅射系统磁控溅射装置冷却水磁化磁控溅射设备冷却水管路磁化装置冷却水源酸碱度磁化处理结合能力冷却水管生产空间使用寿命用电量冷却占用保证

[发明专利]一种ITO卷绕镀膜设备-CN202110722551.9在审
发明人：何强民;宋永进 -专利权人：深圳市康盛光电科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜生产技术的领域，尤其是涉及一种ITO卷绕镀膜设备，其包括镀膜仓以及与镀膜仓连通的抽真空系统；镀膜仓固设有第一磁控溅射发生器M1和第二磁控溅射发生器M2用于对柔性膜进行镀膜，镀膜仓内设置有备用磁控溅射发生器M3；还包括切换模块，切换模块连接于第一磁控溅射发生器M1第二磁控溅射发生器M2以及备用磁溅发射器M3的供电回路，在第一磁控溅射发生器M1或第二磁控溅射发生器M2发生断路时输出切换信号，以控制备用磁控溅射发生器本申请具有减少磁控溅射发生器发生故障时造成的生产成本的增加的效果。
一种 ito 卷绕镀膜设备

[发明专利]一种真空镀膜设备-CN201810457470.9有效
发明人：李纲;华冬辉;罗立珍;郑启发 -专利权人：湖南菲尔姆真空设备有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空镀膜设备，包括：真空腔，真空腔的一端为电弧离子镀膜区，另一端为磁控溅射镀膜区，电弧离子镀膜区与磁控溅射镀膜区连通；卷绕系统，包括正面电弧离子镀膜辊、反面电弧离子镀膜辊、反面磁控溅射镀膜辊、正面磁控溅射镀膜辊；镀件依次经过正面电弧离子镀膜辊、反面电弧离子镀膜辊、反面磁控溅射镀膜辊、正面磁控溅射镀膜辊；电弧离子靶组件，数量为两组，一组在正面电弧离子镀膜辊旁且朝向镀件正面，另一组在反面电弧离子镀膜辊旁且朝向镀件反面；磁控溅射靶组件，数量为两组，一组在正面磁控溅射镀膜辊旁且朝向镀件正面，另一组在反面磁控溅射镀膜辊旁且朝向镀件反面。
磁控溅射镀膜电弧离子镀膜镀件真空镀膜设备真空腔两组磁控溅射靶电弧离子卷绕系统靶组件镀膜连通应用

[发明专利]条形磁铁、磁靶及磁控溅射设备-CN201310739712.0有效
发明人：李正亮;刘震;丁录科;孙冰;曹占锋;惠官宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种条形磁铁、磁靶及磁控溅射设备，所述条形磁铁在中间区域设有凸起结构。本发明提供的条形磁铁、靶材及磁控溅射设备，通过条形磁铁设有的凸起结构，在采用磁控溅射方式沉积薄膜过程中，为磁控溅射区域提供磁感应强度强弱分布均匀的磁场，确保沉积的薄膜厚度均匀。
条形磁铁磁控溅射设备

[实用新型]磁控溅射镀膜装置-CN202020354281.1有效
发明人：杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
磁控溅射镀膜装置

[发明专利]磁控溅射阳极以及磁控溅射设备-CN202310417378.0在审
发明人：徐升东 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。所述磁控溅射阳极与布气组件以及旋转阴极一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。本发明能提高磁控溅射阳极捕获电子的能力，减少电子逃逸以及电子达到基片上的概率，提高溅射稳定性。
磁控溅射阳极以及设备

[实用新型]磁控溅射阳极以及磁控溅射设备-CN202320875203.X有效
发明人：徐升东 -专利权人：理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。所述磁控溅射阳极与布气组件以及旋转阴极一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。本实用新型能提高磁控溅射阳极捕获电子的能力，减少电子逃逸以及电子达到基片上的概率，提高溅射稳定性。
磁控溅射阳极以及设备

[发明专利]一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法-CN202210638878.2在审
发明人：王浪平;孙田玮;黄新放;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
一种采用液态金属功率脉冲磁控溅射提高沉积效率方法

[发明专利]半导体工艺设备和磁控溅射工艺-CN202210878906.8有效
发明人：董彦超;王世如;丁继华;杨玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备和磁控溅射工艺，所公开的磁控溅射工艺包括在基材上以溅射的方式沉积多层超导材料薄膜；其中，通过控制磁控溅射直流电源的第一功率与磁控溅射射频电源的第二功率的实际比值，以调整溅射形成的每一层所述超导材料薄膜的应力本申请采用的技术方案能够解决目前的磁控溅射物理气相沉积技术中还无法得到应力可调的超导材料薄膜的问题。
半导体工艺设备磁控溅射工艺

[实用新型]一种磁控溅射部件-CN202120261185.7有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;徐蔓 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射部件，所述磁控溅射部件表面设置有花纹区域；所述花纹区域内花纹的粗糙度Ra为6～10μm；在所述花纹区域表面设置有熔射层；所述熔射层的厚度小于所述花纹的深度。所述磁控溅射部件花纹区域与熔射层结合牢固，且磁控溅射部件的表面积和粗糙度均较高，提高了磁控溅射部件对溅射粒子的吸附能力以及吸附牢固程度，降低了溅射粒子脱落的风险。
一种磁控溅射部件

[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用-CN202110841158.1在审
发明人：魏鸿源;杨少延;魏洁;陈怀浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法，包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室，对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理，降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。
利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法-CN201310549332.0无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；B、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；C、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；D、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；E、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；F、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种防辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种磁控溅射制备超硬超光滑四面体碳薄膜的装置与方法-CN201510705271.1有效
发明人：张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种磁控溅射制备超硬超光滑四面体碳薄膜的装置，该装置包括由偏压电源供电的工件盘以及由电源Ⅱ供电的磁控溅射靶，该磁控溅射靶的前方设有由电源Ⅲ供电的线圈。本发明还公开了一种磁控溅射制备超硬超光滑四面体碳薄膜的方法。本发明将高功率脉冲磁场和磁控溅射结合，提高了磁控溅射的灵活性、宽化了镀膜的工艺窗口。
一种磁控溅射制备超硬超光滑四面体薄膜装置方法

[发明专利]磁控溅射镀膜设备及镀膜方法-CN202111250744.5在审
发明人：李龙哲;周征华;夏伟;张亚芹;朱小凤;李花 -专利权人：上海哈呐技术装备有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种磁控溅射镀膜设备及镀膜方法，磁控溅射镀膜设备包括一设备本体、一安装于设备本体内部的转笼及一安装于转笼内部的磁控溅射装置。转笼的内壁面用于安装镀膜产品，且转笼可围绕于磁控溅射装置转动，以使磁控溅射装置对镀膜产品进行均匀镀膜。其中，镀膜产品具有一镀膜面，当镀膜产品安装于内壁面时，镀膜面呈和内壁面轮廓相一致的凹面状。磁控溅射装置朝向镀膜面溅射靶材原子，靶材原子在镀膜面沉积形成厚度一致的膜层。当镀膜产品展开铺平时，膜层呈一完整的平面状态。本专利中，磁控溅射镀膜设备结构紧凑，占地空间小，且能够在很大程度上提高产品镀膜的良品率。
磁控溅射镀膜设备方法