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[发明专利]表面图形磁性薄膜平面叠层巨磁阻抗传感器及制备方法-CN202211274715.7在审
发明人：穆宜敏;王晓荣;朱文俊;张梦怡;易阳 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了表面图形磁性薄膜平面叠层巨磁阻抗传感器，包括非磁性导电层；非磁性导电层的上方和下方对称的设置有表面图形磁性薄膜；表面图形磁性薄膜和非磁性导电层之间设有绝缘层；下层表面图形磁性薄膜连接绝缘基底；非磁性导电层的两端均设有电极；所述表面图形磁性薄膜由表面光滑磁性薄膜和多个条栅图案磁性薄膜组成；多个条栅图案磁性薄膜等间距地排列在表面光滑磁性薄膜上。本发明削弱了磁性薄膜宽度方向的退磁效应，可以显著增强表面图形磁性薄膜的巨磁阻抗效应，实现高灵敏度的磁场检测。
表面图形磁性薄膜平面叠层巨磁阻传感器制备方法

[发明专利]一种增强型薄膜磁性可调结构-CN202010455855.9有效
发明人：李裴森;潘孟春;潘龙;胡佳飞;彭俊平;孙琨;邱伟成;张琦;车玉路;张欣苗 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型薄膜磁性可调结构，自下而上依次设置的底电极、压电层、磁性膜层，进行磁场调控时，对压电层加载电压，压电层会产生应力应变，该应力应变传递至磁性膜层，实现磁性电调控。所述磁性膜层包括多个交替层叠设置的磁性薄膜层和非磁性薄膜层，所述非磁性薄膜层用于阻断相邻磁性薄膜层之间的磁交换作用，使得单层磁性厚膜成为多层磁性薄膜，增强了磁性电调控能力，本发明增强磁性电调控的能力且磁性信号收集效果俱佳
一种增强薄膜磁性可调结构

[发明专利]磁性隧道结的形成方法-CN201310460145.5有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁性隧道结的形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有介质层，介质层内具有第一电极层，且介质层暴露出第一电极层；在介质层和第一电极层表面形成复合磁性层，复合磁性层包括第一磁性薄膜、位于第一磁性薄膜表面的第一绝缘薄膜、以及位于第一绝缘薄膜表面的第二磁性薄膜；去除部分复合磁性层并暴露出第一绝缘薄膜为止，在第一绝缘薄膜表面形成子磁性结构，子磁性结构包括由第二磁性薄膜刻蚀形成的第二磁性层；采用第一氧化工艺在子磁性结构表面形成第一氧化层；以第一氧化层和子磁性结构为掩膜，去除部分第一绝缘薄膜和第一磁性薄膜，形成第一磁性层和位于第一磁性层表面的第一绝缘层。所形成的磁性隧道结性能提高。
磁性隧道形成方法

[发明专利]一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构-CN201710548329.5有效
发明人：胡少杰;田祎龙;闵泰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第二磁性层由第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成；第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜位于基本U型结构的左臂；第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜位于基本U型结构左右两部分的磁性层由自旋塞贝克系数异号的材料组成，可分别在电极层中产生不同方向的电势差并实现电势差串联叠加效果。
一种基于旋塞贝克效应热电转换器件结构

[发明专利]一种磁性可调的磁性绝缘体薄膜-CN202310655707.5在审
发明人：刘涛;陈姝瑶;谭碧;谢云飞;刘冬华;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种磁性可调的磁性绝缘体薄膜，可应用于磁性存储器件。本发明为[磁性层/非磁层]×n或[非磁层1/磁性层/非磁层2]×n垂直磁化的超晶格结构薄膜，采用结构相同、晶格常数相近的磁性层和非磁层；相对于单层磁性薄膜来说，超晶格结构可以最大化磁性层里面的应力，减小磁性层内因为应力释放而造成的晶格缺陷，因而薄膜质量更高、性质更可控；从而可通过改变磁性层的厚度和超晶格膜周期数n调控超晶格薄膜中非常强的界面效应，实现垂直磁各向异性、磁阻尼系数和DMI磁性能调控。有效解决了现有垂直磁性绝缘体垂直磁各向异性低、磁阻尼系数大、DMI弱的问题。
一种磁性可调绝缘体薄膜

[发明专利]磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件-CN201610929057.9有效
发明人：杨玉杰;丁培军;张同文;夏威;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
磁性薄膜沉积方法电感器件

[实用新型]用于电缆的磁性屏蔽条带以及多层磁性屏蔽条带-CN201720349500.5有效
发明人：禹成宇;金镇培;徐政柱 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01B11/10 文献下载
摘要：本公开提供用于电缆的磁性屏蔽条带以及多层磁性屏蔽条带。磁性屏蔽条带包括薄膜磁性层，薄膜磁性层具有通过剥落过程被分割成多个细条的至少一个金属带片材。间隙被提供在多个细条当中的邻近细条之间。条带还包括盖膜层，通过第一粘附层粘附至薄膜磁性层的一个侧表面；以及导电层，通过第二粘附层粘附至薄膜磁性层的另一侧表面。根据信号的频带确定间隙的尺寸。
用于电缆磁性屏蔽条带以及多层

[发明专利]一种高感值硅基平面螺旋电感结构-CN201310130229.2有效
发明人：郭洪岩;张黎;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其包括硅基平面螺旋电感（100）和薄膜硅帽（200），电感线圈（105a）下方依次为介电层Ⅰ（104）、磁性薄膜层Ⅰ（103）、钝化层（102）和硅基体（101），设置有磁性薄膜层Ⅱ（202）的薄膜硅帽（200）倒扣在硅基平面螺旋电感（100）上，两者通过粘合剂（301）连接，磁性薄膜层Ⅰ（103）和/或磁性薄膜层Ⅱ（202）分别设计成由若干个垂直电感线圈的磁性薄膜条组成。本发明的磁性薄膜层Ⅰ、磁性薄膜层Ⅱ和粘合剂，形成了从电感线圈中心到外部的完整磁回路，加上减小涡流损耗的设计，可以显著提高其电感值，并且利用晶圆级方式实现的工艺，其电感的尺寸可以更小、制造成本更低。
一种高感值硅基平面螺旋电感结构

[发明专利]一种基于磁性合金复合薄膜的存储单元及其制备方法和磁存储装置-CN201410594041.8有效
发明人：关夏威;刘苏皓;黄婷;徐荣刚;刘祖齐;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。
磁性合金复合薄膜磁存储单元绝缘隔离物磁性颗粒磁性层磁存储装置制备存储金属氮氧化物金属氮化物金属氧化物存储单元第二电极第一电极低功耗隧穿层绝缘

[实用新型]一种可反复自排气的食品包装袋-CN201521140527.0有效
发明人：尚圣杰 -专利权人：界首市菁华科技信息咨询服务有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B65D33/25 文献下载
摘要：一种可反复自排气的食品包装袋，包括密封食品的袋体，所述袋体上部设有撕口，所述撕口下方设有经撕口撕开袋体后可用于重复密封袋体的磁吸式密封部，所述袋体由复合材料粘合而成，由内向外包括密封薄膜层、基底材料层；所述袋体在相对应的一对袋体壁上设有极性相反的磁性薄膜层。所述磁性薄膜层位于密封薄膜层和基底材料层之间。所述磁性薄膜层在所述袋体壁上呈区域性分布。所述区域性分布是指磁性薄膜层分布在袋体的1/2至3/4处的下方区域。所述磁性薄膜层包括多个独立的磁性薄膜层单元，所述磁性薄膜层单元有间隙的均匀分布在所述袋体壁上。本实用新型多重密封，密封性能好。仿真空密封，可重复密封。可区域性密封，节省材料。
一种反复排气食品装袋

[发明专利]一种多层磁性薄膜颜料片及其制备方法-CN201810751938.5在审
发明人：周大坚 -专利权人：广东晟铂纳新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及磁性多层薄膜及其颜料碎片，具体公开了一种多层磁性薄膜颜料片，所述多层磁性薄膜颜料片包括磁性反射层，所述磁性反射层的一侧依次包括第一粘接层、第一介质层和第一吸收层；所述磁性反射层的另一侧依次包括第二粘接层、第二介质层和第二吸收层；所述第一粘接层和第二粘接层分别位于所述磁性反射层的两侧的端面上；所述薄膜颜料片呈对称结构；所述第一粘接层和第二粘接层均采用单质铬金属材料制成。本发明还提供了一种方法用于制备上述多层磁性薄膜颜料片；本发明的多层磁性薄膜颜料片采用镍单质作为磁性反射层，反射率相比镍铬合金和钴镍合金更高，膜层稳固性能够大大提升，且不影响光学效果。
颜料片粘接层磁性薄膜反射层多层介质层吸收层制备金属材料对称结构多层薄膜镍铬合金颜料碎片影响光学钴镍合金单质铬反射率稳固性单质膜层薄膜

[发明专利]基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器-CN202110294573.X在审
发明人：赵建华;赵旭鹏;秦红蕊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器及其制备方法，该隧穿磁电阻效应磁敏传感器包括：衬底；平滑层，设置在衬底上；探测磁性层，设置在平滑层上，其中，探测磁性层为具有超顺磁性的薄膜；势垒层，设置在探测磁性层上；参考磁性层，设置在势垒层上，其中，参考磁性层为具有磁各向异性的薄膜；覆盖层，设置在参考磁性层上，形成磁性多层膜结构，其中，覆盖层用于保护磁性多层膜结构。
基于顺磁性薄膜磁电效应传感器

[发明专利]一种多层耦合图形化磁性薄膜及制备和测试方法-CN201910591463.2在审
发明人：毕美;袁乐;翁小龙;黄刚 -专利权人：西华大学;电子科技大学;四川智溢实业有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01F10/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层耦合图形化磁性薄膜、制备方法和测试的方法，所述薄膜包括：衬底、连续薄膜层以及图形化薄膜层；连续薄膜层生长于衬底上，连续薄膜层形成电极形状，用于提供面外的磁矩分布，以及提供测试多层耦合图形化磁性薄膜的电性能的基础，图形化薄膜层形成于连续薄膜层上，图形化薄膜层是非连续结构的，图形化薄膜层用于提供涡旋态的磁矩分布。本发明结合溅射镀膜技术和光刻工艺，制备出非连续结构的多层耦合图形化磁性薄膜，实现利用PPMS对多层耦合图形化磁性薄膜整体测试出电阻的目标，解决非连续结构的磁性薄膜，需要利用电极探针单个单元挨个测试的问题
磁性薄膜耦合图形多层连续薄膜层图形化薄膜制备测试非连续衬底磁矩测试过程单个单元电极探针电极形状工作效率光刻工艺溅射镀膜连续结构整体测试电性能电阻涡旋薄膜生长

[发明专利]磁性隧道结-CN202010316067.1有效
发明人：孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：自由层、势垒层、参考层以及用于钉扎参考层的磁化方向的合成反铁磁层，所述合成反铁磁层包括第一反平行层、第二反平行层以及位于所述第一反平行层和所述第二反平行层之间的反铁磁耦合层，所述第一反平行层采用磁性薄膜与非磁性薄膜交替设置的多层膜结构，或者第一磁性薄膜与第二磁性薄膜交替设置的多层膜结构，其中与所述反铁磁耦合层相邻的一层磁性薄膜的厚度尽量薄。本发明能够提高参考层的稳定性。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结的制备方法-CN201910884167.1在审
发明人：李辉辉 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次沉积底电极材料层、MTJ材料层、金属硬掩膜层和介质硬掩膜层，其中所述MTJ材料层包括：第一磁性薄膜层、位于所述第一磁性薄膜层上方的绝缘薄膜层以及位于所述绝缘薄膜层上方的第二磁性薄膜层；光刻出掩膜形状，并刻蚀所述介质硬掩膜层和所述金属硬掩膜层；进一步刻蚀所述MTJ材料层，将刻蚀终点停留在所述绝缘薄膜层与所述第一磁性薄膜层的界面；形成第一保护层并刻蚀所述第一保护层，只保留所述第一保护层的垂直部分；以刻蚀后的所述金属硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀所述第一磁性薄膜层，以形成MTJ位元。
磁性隧道制备方法

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