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[发明专利]一种能降低桥索钢网状碳化物级别的方法-CN201610534014.0有效
发明人：徐志东;蒋跃东;任安超;邱俊;李媛;吴杰;桂江兵;张帆;夏艳花 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：一种能降低桥索钢网状碳化物级别的方法常规冶炼并出钢；连铸成坯成320*420mm～380*460mm大方坯；对铸坯加热；进行初轧开坯；轧制成盘条并空冷至室温；对盘条加热；分段轧制；减定径轧制；吐丝；采用斯太尔摩冷却至室温本发明与现有技术相比，既能使桥索钢盘条中网状碳化物降至不超过0.5级，使用强度在1960MPa以上，还可降低改判率，使生产成本降低至少15%。
一种降低桥索钢网状碳化物级别方法

[发明专利]基于非接触闪烧技术制备稳定的碳化物固溶体陶瓷的方法-CN201910196449.2在审
发明人：索尔沃托瑞·格拉索;胡春峰;朱德贵;付帅;张振 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非接触闪烧技术制备稳定的碳化物固溶体陶瓷的方法，采用非接触式闪烧技术进行制备；碳化物固溶体陶瓷包括一元碳化物陶瓷、二元相碳化物固溶体陶瓷和三元相碳化物固溶体陶瓷；一元碳化物陶瓷包括ZrC、TaC、HfC；二元相碳化物固溶体陶瓷ZrTaC2、ZrHfC2、HfTaC2；三元相碳化物固溶体陶瓷包括ZrHfTaC3。
碳化物固溶体陶瓷制备碳化物陶瓷二元相非接触非接触式

[发明专利]从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具-CN201480049194.2有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物，于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。
碳化物先驱生产大块方法器具

[发明专利]高强度钢板及其制造方法-CN201680047641.X有效
发明人：本田佑马;船川义正;原田耕造;小泽悠一 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：上述高强度钢板为特定的成分组成，钢组织以面积率计由铁素体：90％以上、珠光体和渗碳体的合计:0～10％、马氏体和残余奥氏体的合计：0～2％构成，上述铁素体的平均晶体粒径为15.0μm以下，平均长径比为5.0以下，包含Nb碳化物、Ti碳化物和/或V碳化物，该Nb碳化物以及Ti碳化物和/或V碳化物的平均粒径为5～50nm，Nb碳化物、Ti碳化物和V碳化物的析出量的合计以体积率计为0.005～0.050％。
强度钢板及其制造方法

[发明专利]用来生产大块硅碳化物的器具-CN201911000419.6有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种用来生产大块硅碳化物的器具，本发明披露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦披露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
用来生产大块碳化物器具

[发明专利]一种碳化物与钛合金层协同强韧化TiAl基合金及其制备方法-CN201710693067.1有效
发明人：艾桃桃;费岩晗;刘芳;袁新强;董洪峰;李文虎;王维 -专利权人：陕西理工大学
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化物与钛合金层协同强韧化TiAl基合金及其制备方法。本发明提供的碳化物与钛合金层协同强韧化TiAl基合金，包括交替层叠排列的碳化物‑TiAl合金层和钛合金层；所述钛合金层中设置有贯通结构，所述贯通结构的两个开口分别位于钛合金层的上下表面，所述贯通结构中填充有碳化物‑TiAl合金，所述钛合金层相邻两侧的碳化物‑TiAl合金层通过贯通结构中的碳化物‑TiAl合金连接；所述碳化物‑TiAl合金层和钛合金层之间以及贯通结构中的碳化物‑TiAl合金和钛合金之间通过Ti₃Al界面层连接；所述碳化物‑TiAl合金层和碳化物‑TiAl合金中的碳化物包括Ti₂AlC和Ti₃AlC₂。
碳化物钛合金层贯通结构合金层合金基合金强韧化协同制备交替层叠上下表面界面层钛合金填充开口

[发明专利]一种采用高熵合金钎焊连接高熵碳化物陶瓷的方法-CN202210077564.X有效
发明人：杨振文;木瑞洁;孙孔波;牛士玉;王颖 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明为一种采用高熵合金钎焊连接高熵碳化物陶瓷的方法，以FeCoCrNiTix高熵合金为钎料并放置在两个高熵碳化物陶瓷块体之间形成钎焊装配体，钎焊装配体在1430～1500℃的钎焊温度下保温30～45min，形成高熵碳化物陶瓷接头，实现高熵碳化物陶瓷的钎焊连接。高熵合金和高熵碳化物陶瓷的双重高熵效应使高熵碳化物陶瓷接头的显微组织为高熵碳化物陶瓷、高熵合金以及反应产生的高熵碳化物产物，避免了在高熵碳化物陶瓷接头中生成低熔点的金属间化合物；高熵碳化物陶瓷接头可用于1000～1200℃超高温环境，其剪切强度最高可达282MPa，因此本方法适用于新型超高温高熵碳化物陶瓷复杂构件的实际生产。
一种采用合金钎焊连接碳化物陶瓷方法

[发明专利]一种碳化物负载金属催化剂的制备方法及应用-CN202210690541.6在审
发明人：程年才;王延东 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-06-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化物负载金属催化剂的制备方法及应用，具体步骤包括：先制备得到金属碳化物，随后将金属颗粒负载在金属碳化物表面，制备得到碳化物负载金属催化剂。本发明制备得到的碳化物负载金属颗粒催化剂，由于金属与碳化物之间的电负性差异，导致两者之间发生电子转移，调节了碳化物本身的电子结构，使其表面的氢吸附过程得到优化，激活了碳化物本征性能，从而具有优异的析氢催化性能
一种碳化物负载金属催化剂制备方法应用

[发明专利]生产大块硅碳化物的方法-CN201910967962.7有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种生产大块硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭示用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。
生产大块碳化物方法

[发明专利]生产大块硅碳化物的方法-CN201480049097.3有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种生产硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。
生产大块碳化物方法

[发明专利]使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具-CN201480049104.X有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外侧的加热元件、和位于炉壳内且由绝热体包围的热区。该热区包括具有位于下区域的硅碳化物晶种前驱物、和位于上区域的硅碳化物晶种。该热区被加热以升华该硅碳化物前驱物而形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的底面上。此外，也公开用以生产该硅碳化物的该升华炉以及产生的硅碳化物材料。
使用碳化物晶种来生产大块方法器具

[发明专利]石墨‑金属导热复合材料及其制备方法-CN201410215665.4有效
发明人：马洪兵;白华;江南;李进;王栋;邹煌辉;杨科;褚伍波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：具体地，本发明提供了一种石墨‑金属复合材料及其制备方法，所述石墨‑金属复合材料包括金属基体和分布于所述金属基体内部和/或表面的石墨复合体；所述石墨复合体包括石墨颗粒、碳化物层和碳化物形成元素层，其中，所述碳化物层结合于所述石墨粉颗粒表面，所述碳化物形成元素层结合于碳化物层表面；所述碳化物形成元素选自下组B、Si、Cr、W、Mo；所述碳化物选自下组碳化硼、碳化硅、碳化钨、碳化铬、碳化钼；所述石墨复合体通过碳化物形成元素层与所述金属基体结合
石墨金属导热复合材料及其制备方法

[发明专利]包覆有碳化物的碳材料-CN202180047671.1在审
发明人：平手晓大;山村和市 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01B32/00 文献下载
摘要：本发明的包覆有碳化物的碳材料(1)的特征在于，具备以碳为主成分且含有氯的基材(10)和设置在基材(10)上的以碳化物为主成分且含有氯的碳化物层(20)，基材(10)在与碳化物层的界面附近具有氯浓度沿着朝向碳化物层的方向连续变化的基材缓冲区域(11)，碳化物层(20)在与基材的界面附近具有氯浓度沿着朝向基材的方向连续变化的碳化物层缓冲区域(21)，基材缓冲区域(11)和碳化物层缓冲区域(21)的氯浓度的最大值为10000ppm以下。根据本发明，可提供在碳化物层与以碳为主成分的基材的界面具有充分的密合强度的包覆有碳化物的碳材料。
包覆有碳化物材料

[发明专利]碳包覆生产微纳米级碳化物陶瓷的方法-CN201310378947.1无效
发明人：赵丽丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01B31/30 文献下载
摘要：碳包覆生产微纳米级碳化物陶瓷的方法，它涉及一种碳热还原反应生成碳化物陶瓷的方法，它要解决现有碳化物陶瓷的生产方法反应温度高以及生产效率低的问题。碳化物陶瓷生产方法：一、氧化物原料与树脂充分混合，在醇类溶剂中球磨，烘干后压制固化成混合物；二、混合物置于炭化炉中加热反应，使树脂炭化分解，得到包覆碳的氧化物粉体；三、在惰性气体保护下进行固相碳化反应；四、将步骤三获得的碳化物粉末进行氧化处理；五、将步骤四获得的碳化物粉末酸洗处理后烘干得到微纳米级碳化物陶瓷。本发明生产微纳米级碳化物陶瓷的反应效率高，反应温度较低，得到的碳化物粉末尺度均匀可控。
碳包覆生产纳米碳化物陶瓷方法

[发明专利]具有低缺陷密度的大块硅碳化物-CN201480049200.4有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：揭露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
具有缺陷密度大块碳化物