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[发明专利]一种铝合金碱蚀添加剂及制备方法-CN201910245743.8在审
发明人：姜鹤旻;王振兴;郑建;陈春雷 -专利权人：江苏鑫露化工新材料有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金碱蚀添加剂及制备方法，按质量百分比计，所述铝合金碱蚀添加剂由以下原料组成：抑垢剂73～89.5％、促进剂0～5％、沉淀剂5～10％、助洗剂5～10％、光亮剂0.5～2％。该铝合金碱蚀添加剂，其含有的抑垢剂能络合铝离子，有效提高碱蚀液的铝离子管控上限，从而提升碱蚀槽溶铝量，抑制结垢；所含的沉淀剂能消除由长时间碱蚀产生的锌、铜等杂质离子的影响，减少碱蚀表面挂灰、防止出现犁皮状亮斑，延长碱蚀槽使用寿命；所含的碱蚀促进剂能加快碱蚀速度，有效解决因铝离子含量过大槽液老化导致的碱蚀速度变慢；所含的助洗剂可以削弱碱蚀挂灰与工件的附着能力，降低后续出光步骤所需时间；另外该铝合金碱蚀添加剂还添加了光亮剂
碱蚀铝合金添加剂铝离子沉淀剂促进剂光亮剂抑垢剂助洗剂制备质量百分比附着能力工件处理使用寿命有效解决原料组成杂质离子光泽度碱蚀液大槽管控结垢亮斑络合皮状溶铝老化削弱

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法-CN201210043396.9有效
发明人：陈光荣;李伟健;黄武松;普什卡拉·瓦拉纳斯;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
光致抗蚀剂组合多层抗蚀剂体系多次曝光方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法-CN200880119057.6有效
发明人：陈光荣;李伟健;黄武松;普什卡拉·瓦拉纳斯;刘森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
光致抗蚀剂组合多层抗蚀剂体系多次曝光方法

[发明专利]抑垢增亮铝合金碱蚀液及其制备方法-CN202011410502.3在审
发明人：宋志健;喻诚 -专利权人：马鞍山市华冶铝业有限责任公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及抑垢增亮铝合金碱蚀液及其制备方法，涉及铝合金阳极氧化前处理技术领域。抑垢增亮铝合金碱蚀液，由60‑100g/L的氢氧化钠、50‑80g/L的碱蚀剂和水组成；所述碱蚀剂由碳酸钠10‑25g/L、磷酸钠15‑40g/L和添加剂组成；添加剂由抑垢剂10‑20g/L、光亮剂3‑6g/L、活性剂1‑5g/L和络合剂1‑3g/L组成。其制备方法中，采用先配置槽液，向槽液中按比例添加碳酸钠、磷酸钠和水并搅拌均匀，并单独制备添加剂，同时将制得的添加剂加入至上述混合溶液中，既得碱蚀液。
抑垢增亮铝合金碱蚀液及其制备方法

[发明专利]形成半导体器件的图案的方法-CN201210383423.7在审
发明人：朴贞珠;金京美;金珉廷;李东峻;金富得 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案
形成半导体器件图案方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法-CN201980039692.1在审
发明人：田川精一 -专利权人：国立大学法人大阪大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：抗蚀剂图案形成方法包含：在基板(S)上形成含有基体树脂(R)、增感剂前驱体(Pp)、产酸剂(PAG)、产碱剂(PBG)和碱(Ba)的抗蚀剂层(10)的步骤；由增感剂前驱体(Pp)生成增感剂(Ps)的步骤；由产酸剂(PAG)产生酸(Ac)并由产碱剂(PBG)产生碱(Ba)的步骤；在整片曝光之后对抗蚀剂层(10)进行热处理的步骤；以及，在热处理后对抗蚀剂层(10)进行显影的步骤。图案曝光(L1)中表示酸的值(A1)相对于表示碱的值(B1)之比(C1＝A1/B1)与整片曝光(L2)中表示酸的值(A2)相对于表示碱的值(B2)之比(C2＝A2/B2)满足关系0.9×C1＜C2＜10
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]包含碱活性组分的组合物及光刻工艺-CN201110462163.8有效
发明人： D·王;刘骢;李明琦;吴俊锡;C-B·徐;D·H·康;C·H·库明斯;M·S·奥伯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
包含活性组分组合光刻工艺

[发明专利]碱可溶树脂及其制备方法、光致抗蚀剂-CN201210385013.6有效
发明人：王雪岚;薛建设;刘宸;陆金波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C08F20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碱可溶树脂及其制备方法、光致抗蚀剂。本发明所提供的碱可溶树脂是修饰有β-环糊精或β-环糊精衍生物的碱可溶树脂，所述β-环糊精或β-环糊精衍生物通过酯键或酰胺键与碱可溶树脂结合。该碱可溶树脂可用于制备光致抗蚀剂。本发明的碱可溶树脂有助于光致抗蚀剂的稳定性提高；并有助于显影性质提升，减少残渣的产生，得到的图形表面均一，光滑平整。
可溶树脂及其制备方法光致抗蚀剂

[发明专利]碱蚀添加剂及采用其的碱蚀溶液-CN201310734778.0在审
发明人：徐锡华;曹德军;欧月侠;章瑜 -专利权人：富鼎电子科技(嘉善)有限公司;富翔精密工业(昆山)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23G1/16 文献下载
摘要：一种碱蚀溶液，其包括D-葡萄糖酸钠、磷酸三钠及碳酸钠，其中，D-葡萄糖酸钠的浓度为1.5g/L至15g/L，磷酸三钠的浓度为1.75g/L至15.5g/L，碳酸钠的浓度为0.5g/L至10g/L。采用上述碱蚀溶液，碱蚀时生成的化合物不易在碱蚀槽的槽壁上结垢，且可将碱蚀溶液的铝离子管控上限提高至60g/L，从而延长碱蚀溶液的使用寿命。本发明还提供一种碱蚀添加剂。
添加剂采用溶液

[发明专利]一种环保阳极氧化前处理工艺方法-CN201310370565.4有效
发明人：杨茗佳;赵建辉;崔永信;于美;李松梅;刘建华 -专利权人：北京星航机电装备有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：该方法依次包括如下步骤：有机溶剂除油步骤、化学除油步骤、出光步骤、碱蚀步骤、出光步骤；其中出光溶液配方为硫酸230～270g/L，高锰酸钾为0.8～1.2g／L；碱蚀溶液配方为氢氧化钠50～60g／L，本发明采用低浓度碱+碱蚀剂做为碱蚀液，低浓度硫酸+氧化剂做为出光液，解决了碱蚀剂和氧化剂的成分选择问题。该方法对铝材的浸蚀性低，不仅可以去除表面不均匀的钝化膜，而且可以有效避免由于碱洗造成的“过腐蚀”和严重的碱雾溢出。
一种环保阳极氧化处理工艺方法

[实用新型]一种硅晶片生产用硅片碱蚀机-CN202022823859.6有效
发明人：王尚森;李漢生;蔡雪良 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅晶片生产用硅片碱蚀机，包括支架，所述支架的内侧设置有储水池，所述支架的外侧安装有清水箱，所述清水箱相对的一侧支架外侧安装有碱蚀剂箱，所述清水箱的顶端设置有第一导水管，所述碱蚀剂箱的顶端设置有第二导水管本实用新型，通过设置的移动组件，将需要进行碱蚀处理的硅晶片放在夹具内侧夹住，移动组件可将夹具连同硅晶片进行翻转，可将硅晶片的两面都进行碱蚀处理，设置的清洗装置，可以将硅晶片进行碱蚀处理，处理完成后可将硅晶片进行清洗
一种晶片生产硅片碱蚀机

[发明专利]用于EB或EUV平版印刷的化学放大负性抗蚀剂组合物和图案化方法-CN201110105553.X有效
发明人：增永恵一;渡边聪;田中启顺;土门大将 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
用于 eb euv 平版印刷化学放大负性抗蚀剂组合图案方法

[发明专利]用于EB或EUV平版印刷的化学放大负性抗蚀剂组合物和图案化方法-CN201410471281.9有效
发明人：增永恵一;渡边聪;田中启顺;土门大将 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
用于 eb euv 平版印刷化学放大负性抗蚀剂组合图案方法

[发明专利]含有光碱产生剂与光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物-CN00124850.2无效
发明人：郑载昌;金珍秀;孔根圭;白基镐 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 2000-09-19 - 公布日： 2001-03-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有光碱产生剂(PBG)的光致抗蚀剂组合物,更具体地说,涉及一种光致抗蚀剂组合物,其包括(a)光致抗蚀剂树脂,(b)光酸产生剂,(c)有机溶剂,及(d)光碱产生剂。所述优选的光碱产生剂选自化学式1的苄氧羰基化合物或化学式2的氧－酰基肟化合物,其中,R′、R1至R6为根据说明书所定义。本发明的组合物可避免斜线图案生成与严重的I/D偏差发生。
有光产生光致抗蚀剂组合

[发明专利]化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法-CN200480005670.7有效
发明人：鹫尾泰史;斋藤宏二 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，含有(a)在酸的作用下碱溶解性发生变化的树脂、(b)通过放射线照射产生酸的化合物和(c)防锈剂。由此，本发明可提供在放射线照射前碱溶解性不会发生变化的稳定的化学放大型光致抗蚀剂组合物、以及在支撑体上层叠了该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层层叠体、使用了该层叠体的光致抗蚀图案制造方法以及连接端子制造方法
化学大型光致抗蚀剂组合光致抗蚀剂层层叠制造方法光致抗蚀图案以及连接端子

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