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[发明专利]磁传感器的形成方法-CN201410006628.2有效
发明人：熊磊;奚裴;张振兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁传感器的形成方法，在氮化钽薄膜表面形成硬掩膜薄膜，在所述硬掩膜薄膜表面形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，在所述沟槽的侧壁对应位置形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钽薄膜和磁性材料薄膜进行刻蚀，分别形成氮化钽层和磁阻层。由于对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，能够有效地去除未形成磁传感器的沟槽另一侧侧壁的硬掩膜薄膜；同时由于各向同性的干法刻蚀不会导致阴影效应，因此最终形成的氮化钽层和磁阻层的尺寸容易控制，使得形成的磁传感器的尺寸容易控制
传感器形成方法

[发明专利]一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法-CN202110466646.9在审
发明人：王曙光;左正笏;李辉辉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法，基于初始硬掩模和介质包覆层组成的硬掩模对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，由于介质包覆层包覆初始硬掩模的侧面，进而能够避免在对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，初始硬掩模的侧面导电材质被刻蚀溅射至磁性隧道结薄膜处的情况出现，保证磁随机存储器的制备良率。
一种硬掩模制备方法随机存储器

[发明专利]一种纳米复合超硬薄膜的制备方法-CN201110237494.1无效
发明人：张玉娟;杨莹泽;翟玉浩;张平余 -专利权人：河南大学
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明属于薄膜材料制备领域，具体涉及一种纳米复合超硬薄膜的制备方法，该方法先采用磁过滤电弧离子镀的方式向基底上沉积MeN形成50纳米厚的MeN薄膜作为过渡层，然后继续采用磁过滤电弧离子镀的方式沉积MeN，同时采用离子束溅射的方式向基底上共沉积Si3N4，共沉积过程中对基底施加-100V直流负偏压，从而制得纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。本发明将磁过滤电弧离子镀与离子束溅射相结合，利用二者的工作气压相近的特点，相互弥补不足，获得膜基结合力良好纳米晶MeN/非晶Si3N4纳米复合超硬薄膜。
一种纳米复合薄膜制备方法

[发明专利]一种交换耦合复合磁记录介质及其制备方法-CN201710215468.6在审
发明人：张宗芝;林亮;朱振东;赵柄丞;朱伟骅;金庆原 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： G11B5/706 文献下载
摘要：本发明属于磁存储技术领域，具体为交换耦合复合磁记录介质及其制备方法。本发明复合磁记录介质是一种耦合复合膜，从下至上依次是软磁层、中间层、硬磁层和保护层，衬底采用单晶MgO基片，软磁层为厚度t的FeRu层，中间层为Pt层，硬磁层为L10‑FePt，保护层为Pt层。该结构中，硬磁层为5.0 nm厚的高有序度L10‑FePt薄膜，其矫顽力约为9.0 kOe；通过引入软磁层FeRu，当软磁层厚度为10.0 nm时复合薄膜的整体矫顽力可降至2.2kOe；当外场与膜面法线夹角从0°‑60°变化时，ECC薄膜的矫顽力角度特性曲线展现出良好的角度包容性。
一种交换耦合复合记录介质及其制备方法

[发明专利]一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器-CN201810430253.0在审
发明人：杨爱超;单鹏;刘明;鲁彩江 -专利权人：国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器，该电流传感器由支撑底座、封装外壳、质量块和自偏置磁电复合材料组成，自偏置磁电复合材料一端与支撑底座固定连接，另一端与质量块连接；自偏置磁电复合材料由硬磁薄膜层、磁致伸缩材料层和压电材料层组成，硬磁薄膜层和压电材料层分别层叠在磁致伸缩材料层上下两面，硬磁薄膜层给磁致伸缩材料层提供一个直流偏置磁场，从而使得在零偏置磁场下，磁致伸缩材料层能对载流导线产生的环形微小磁场作出反应，最终使得磁致伸缩材料层实现自偏置磁‑机‑电耦合效应。当自偏置磁致伸缩材料层在感受到载流导线产生的环形磁场时，由于自偏置磁电耦合效应，从而产生电输出，最终实现电流传感。
自偏置磁致伸缩材料层磁电复合材料电流传感器硬磁薄膜压电材料层载流导线支撑底座质量块磁电耦合效应直流偏置磁场电流传感封装外壳环形磁场微小磁场电输出电耦合零偏置磁场

[发明专利]磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法-CN201880075250.8有效
发明人：远藤大三 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路
传感器测量装置制造方法

[发明专利]磁致电阻磁头和磁盘装置-CN96112169.6无效
发明人：渡边克朗;川边隆;田所茂;神尾浩;今川尊雄 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-07-25 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：提供了一种磁致电阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体心立方晶格晶体结构的铁磁薄膜，非晶铁磁薄膜，或具有使体心立方晶格晶体结构的反铁磁薄膜中的任一种薄膜制成
致电磁头磁盘装置

[发明专利]一种集成微带的薄膜环形器及其制造方法-CN201410400263.1有效
发明人：郑鹏;郑辉;郑梁;邓江峡;秦会斌;钱杨伟;赵文静 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型结构集成微带薄膜环形器，属于电子技术领域；其结构包括微波介质基片、金属底电极、铁磁薄膜、微带环形器Y结和硬磁；其特征为金属底电极位于铁磁薄膜与微波介质基片之间。本发明大大降低了微波介质基片对环形器性能的影响，提高了环形器的工作带宽；同时使用铁磁薄膜取代了传统的铁磁块材，降低了器件的重量与体积，提高了器件的集成化。
一种集成微带薄膜环形及其制造方法

[发明专利]一种纳米复合稀土永磁薄膜材料及其制备-CN01133311.1无效
发明人：刘伟;张志东;孙校开;耿殿禹;赵新国;刘家平（J.P.LIU);大卫·施尔玛雅(D.J.SELLMYER) -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2001-10-18 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01F10/26 文献下载
摘要：一种纳米复合稀土永磁薄膜材料，由衬底、缓冲层、硬磁相和软磁相交叠层及保护层依次组成，其特征在于所述衬底为陶瓷玻璃、玻璃或Si；所述缓冲层为Ti、Cr、Ta、Mo、Nb或V中的一种，厚度为0～100nm；所述硬磁相和软磁相交叠层分别为，硬磁相R(Fe，T，B)z，其中R是稀土元素，z＝2～8，T是合金元素，其原子百分比为0～60％，B的原子百分比为0.6～20％，剩余的部分由Fe进行平衡，厚度为1～500nm；软磁相Fe、Co或FeCo合金，厚度为0－50nm.米；硬磁相层和软磁相层的层数分别在1～200层之间。
一种纳米复合稀土永磁薄膜材料及其制备

[发明专利]具有高垂直偏置场及大翻转场平台的复合多层膜结构-CN201710717721.8有效
发明人：王可;徐展;王亚宏 -专利权人：华侨大学
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高垂直偏置场及大翻转场平台的复合多层膜结构及其制备方法，由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁金属隔离层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成；薄膜I是XFeCo硬磁合金材料，厚度为7.5‑30nm，其中X是稀土元素Tb或Dy且原子百分比不低于25.5％；薄膜II是GdFeCo软磁合金材料，厚度为7.5‑30nm，其Gd元素的原子百分比不高于24.5％；薄膜I和薄膜II的易磁化方向均垂直膜面薄膜I和II富相相反，可以产生稳定的反铁磁耦合结构，利用隔离层的部分退耦及层间交换耦合作用，不需场冷处理就可在该硬/软复合多层膜材料中产生较高的垂直偏置场及大的翻转场平台，可作为垂直巨磁阻或自旋阀的核心结构材料应用到垂直磁电器件中
具有垂直偏置转场平台复合多层膜结构

[发明专利]一种磁存储用高热稳定性硬磁-非磁-软磁复合薄膜结构-CN202010736792.4有效
发明人：张宗芝;武冠杰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁存储用高热稳定性硬磁‑非磁‑软磁复合薄膜结构，包括由下而上依次设置的缓冲层、种子层、硬磁层、非磁性夹层及软磁层；缓冲层为Ta单层膜，种子层为Pd单层膜，硬磁层为具有垂直磁各向异性的[Pd/Co]5多层膜，非磁性夹层为Cu单层膜，软磁层为具有垂直磁各向异性的[Co/Ni]5多层膜。/Cu(tCu)/[Co/Ni]5复合膜结构，并且Cu厚度在0～2.0nm范围内改变时可以对铁磁耦合场大小进行调控对复合薄膜结构在空气中进行高温加热处理至100℃，发现Cu层的加入可以大大提高垂直各向异性场和磁阻尼的热稳定性。
一种存储高热稳定性复合薄膜结构

[发明专利]薄膜磁头的评价方法-CN200610006811.8无效
发明人：柳修二;高桥彰;角张裕也;山下友宏 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种可以高精度地评价薄膜磁头输出特性是否良好的方法。在具有将反铁磁性层、固定磁性层、非磁性导电层和自由磁性层层叠构成的旋转阀膜、以及与该旋转阀膜的磁道宽度方向的两侧相接触的硬偏磁膜的薄膜磁头中，首先，在磁道宽度方向上磁化硬偏磁膜(第一磁化工序)，施加交流电场来测量磁头输出特性接着，在与磁道宽度方向正交的高度方向上磁化了硬偏磁膜后，至少执行一次在磁道宽度方向上磁化的处理，使该硬偏磁膜的磁化方向返回到磁道宽度方向(第二磁化工序)。
薄膜磁头评价方法

[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法-CN201880035561.1在审
发明人：远藤大三 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；感应部30，其具备感应磁场变化的感应元件31，所述感应元件31由软磁体构成，并且与薄膜磁铁20相对配置，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，长边方向为薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和控制层102，其相对于薄膜磁铁20被配置在设置有感应元件31这侧的相反侧，并将薄膜磁铁20的磁各向异性控制在面内方向
薄膜磁铁感应元件长边磁各向异性内方向单轴磁各向异性磁传感器方向交叉感应磁场相对配置磁通量感应部控制层软磁体相反侧硬磁体短边穿过配置

[发明专利]用于硬盘驱动器的磁头-CN01137195.1无效
发明人：哈达耶尔·S·吉尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于硬盘驱动器的、包括引线覆盖型读头部件的改进磁头,在这种引线覆盖型读头部件中,自由磁层区的无源区磁场受到牵制。在本发明的一个实施例中,诸如硬偏磁层等由磁性材料构成的附加薄膜层沉积GMR磁头中位于覆盖型电引线下面无源区中的自由层上面。当硬偏磁层被磁初始化时,在新薄膜层中建立起来的磁场起到牵制自由层无源区中的磁场的作用。因为自由层无源区被磁牵制住并因而不受来自相邻数据磁道的侧读磁场的影响,所以读头的工作特性提高了,从而,降低了噪声和侧读效应,提高了读头的性能。
用于硬盘驱动器磁头

[发明专利]磁传感器的制造方法及磁传感器集合体-CN201880076450.5在审
发明人：远藤大三 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：磁传感器1的制造方法包括下述工序：硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103；软磁体层形成工序，在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105，所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。
传感器制造方法集合体

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