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[发明专利]一种γ相硒化铟的合成方法-CN201910922320.5有效
发明人：张强;白平平;童培云;肖翀;赵宇飞;张绍桢 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种γ相硒化铟的合成方法。本发明采用两步法来合成γ相硒化铟，即先由单质硒和单质铟合成低硒的硒化物，再由低硒的硒化物与单质硒合成γ相硒化铟，避免了单质铟和单质硒直接合成硒化铟，从而避免了体系放出大量的热导致单质硒的挥发，同时反应能在常压下进行，对设备要求简单，而且合成的硒化铟均为γ相，对选择性合成多种晶相的化合物有一定的指导意义。
一种相硒化铟合成方法

[发明专利]具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法-CN202211490001.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料
具有钇替位掺杂二维硒化铟半金属金属材料制备方法

[发明专利]一种二维黑磷/硒化铟异质结的制备方法-CN202210063878.4在审
发明人：肖全兰;钟子钧 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维黑磷/硒化铟异质结的制备方法，包括：a、取黑磷晶体和硒化铟晶体分别研磨，且在研磨过程中分别加入异丙醇，以获得黑磷溶液和硒化铟溶液；b、将获得的硒化铟溶液与黑磷溶液混合，以获得黑磷/硒化铟混合液；c、将获得的黑磷/硒化铟混合液进行离心和干燥，得到二维黑磷/硒化铟异质结。与现有技术相比，本发明采用液相剥离法成功将黑磷和硒化铟两种材料结合，形成二维材料异质结，两种材料结合以规避单个材料的缺陷，不仅规避了黑磷饱和吸收光强偏大的缺陷，也规避了硒化铟调制深度相对较低的缺陷，从而使得结合获得的二维黑磷/硒化铟异质结调制深度大且饱和吸收光强低，适用于锁模光纤激光器中。
一种二维黑磷硒化铟异质结制备方法

[发明专利]一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法-CN202110442127.9有效
发明人：李煜;晏雨发;郑博方;曾海飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法，其中，硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶，以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下，在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结，在光照下，异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴，而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离
一种利用硒化亚锡纳米进行表面修饰硒化铟光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用-CN202210863080.8在审
发明人：韩理想;张之洋;高伟;霍能杰;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将二维硒化铟纳米片转移至二维硒氧化铋纳米片上，形成二维硒氧化铋/硒化铟异质结，在不重合的二维硒化铟纳米片和二维硒氧化铋纳米片上制作金属电极得到本发明的基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器具有高开关比、宽光谱探测、自驱动等特点，在高性能自驱动光电探测器应用中显示出良好的潜力。
一种基于氧化硒化铟异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法-CN201510759999.2在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓硒高温沉积过程电极反应方法

[发明专利]一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法-CN202010709445.2在审
发明人：李煜;晏雨发;张晗;李峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法，其中，所述基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器包括设置在衬底上的p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜不重叠的两端分别固定有一金属电极。本发明通过构建pn异质结，使p型硒化亚锡薄膜与n型硒化铟薄膜在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，明显提高所制备的光电探测器的光增益、光响应速度及光响应度。
一种基于硒化亚锡硒化铟异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201510760154.5在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池。一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
一种控制铜铟镓金属预制高温过程反应方法铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]一种二维硒化铟晶体材料的制备方法-CN202210617423.2在审
发明人：赵炯;韩伟;郑晓东 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料的制备领域，具体是一种二维硒化铟晶体材料的制备方法。本发明提供的方法通过短距化学气相沉积合成厘米级二维硒化铟晶体材料，以In2O3和硒单质为靶材能够获得β相二维硒化铟晶体材料，以In2O3、InSe和硒单质为靶材能够获得β′相二维硒化铟晶体材料，以β′相二维硒化铟晶体材料为前驱体通过释放应力能够获得α相二维硒化铟晶体材料。本发明提供的方法能够实现大面积，高晶相纯度的β、β′和α相二维硒化铟晶体材料的合成。
一种二维硒化铟晶体材料制备方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201610846012.5有效
发明人：朱延军 -专利权人：江苏丰远新材料科技有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层；硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控，制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好，提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率，增加了太阳能电池的开路电压。
铜铟镓硒薄膜预制层制备铜铟镓硒太阳能电池磁控溅射材料技术领域光电转换效率系列化合物热处理光伏薄膜光吸收层开路电压背电极步形成硒化物沉积衬底硒化薄膜

[发明专利]一种硒化镉铟/硫化锌铜纳米复合材料及其制备方法与应用-CN202110422364.9有效
发明人：韩吉姝;王颖;王磊;赵瑞阳;徐扬帆;杨宇 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化镉铟/硫化锌铜纳米复合材料及其制备方法，及其在光催化制氢方面的应用。所述硒化镉铟/硫化锌铜的制备方法包括以下步骤：(1)利用溶剂热法合成三元硫化物硫化锌铜；(2)合成水相硒化镉铟量子点；(3)将三元硫化物硫化锌铜与硒化镉铟量子点复合得到所述硒化镉铟/硫化锌铜。另外，将本发明制备得到的硒化镉铟/硫化锌铜作为光催化制氢材料，其制氢效果相较于硫化锌铜和硒化镉铟量子点有了明显的提高，6小时的光催化制氢量可以达到4623.2μmol/g，并且该材料在光催化制氢过程中能够保持良好的循环稳定性
一种硒化镉铟硫化锌纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜-CN201380000852.4有效
发明人：鱼英柱;尹庆勋;安世镇;郭智惠;尹载浩;赵雅拉;申基植;安承奎;赵俊植;柳镇洙;朴相炫;朴柱炯 -专利权人：韩国能源技术研究院
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
利用熔点熔剂太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜制作方法据此方法制作铜铟镓硒系

[实用新型]一种基于硒化铟增敏的光纤SPR传感器和传感系统-CN202321521043.5有效
发明人：尹博;陈利安;姚瑞钦;王琦 -专利权人：东北大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于硒化铟增敏的光纤SPR传感器和传感系统，本申请提供的基于硒化铟增敏的光纤SPR传感器，包括光纤本体，所述光纤本体上形成有传感区，金膜和硒化铟膜，金膜设置在所述传感区上，硒化铟膜设置在金膜背离于光纤本体的一侧，本实用新型主要利用硒化铟纳米层具有高载流子迁移率和高折射率使金膜与硒化铟之间存在高强度电荷转移，增强了膜层之间的电场强度，从而增强表面等离子体波和待测物质的相互作用，提高了传感器的灵敏度，其中硒化铟相比于传统的二维增敏材料具有更高的载流子迁移率和更高的折射率，使得金膜和硒化铟纳米层间产生更高的电场强度，使得传感器具有更高的灵敏度。
一种基于硒化铟增敏光纤 spr 传感器传感系统

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

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