“硒化亚锗”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2512040个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法-CN201910261491.8有效
发明人：魏钟鸣;王晓亭;李京波;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件，替代原来的电荷耦合元件，可以实现尺寸小，利于加工和集成的效果。
基于二维硒化亚锗光电探测器成像元件制备方法

[发明专利]一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法-CN201810302159.7有效
发明人：胡劲松;薛丁江;刘顺畅 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一定禁带宽度硒化亚锗薄膜的制备方法。所述硒化亚锗薄膜的禁带宽度为1.14～1.79eV。该方法采用近空间升华法，包括制备非晶硒化亚锗薄膜和非晶硒化亚锗薄膜退火两个步骤。所述硒化亚锗薄膜可用于构建叠层硒化亚锗薄膜太阳能电池，以提高硒化亚锗薄膜太阳能电池的光电转换效率。
一种一定宽度硒化亚锗薄膜制备方法

[发明专利]一种γ相硒化亚锗纳米片的制备方法-CN202310638092.5在审
发明人：郝国林;王凯祎;郝玉龙;周国华;郝世杰;柴晔;周弘毅 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ相硒化亚锗纳米片的制备方法。本发明采用常压气相沉积方法，基于快速降温策略，实现了高质量γ相硒化亚锗纳米片的可控制备。本发明通过控制生长温度，实现了对不同横向尺寸γ相硒化亚锗纳米片的可控生长。本发明无需在基底表面镀金等催化剂，制备工艺较为简单，所制备的γ相硒化亚锗纳米片在柔性传感器、光电器件尤其是近红外光电探测器等方面均具有巨大的应用潜力。本发明所制备的γ相硒化亚锗纳米片在空气中放置半年后仍然非常稳定，也为后续对于该材料后续的物性研究提供了良好的实验平台。
一种相硒化亚锗纳米制备方法

[发明专利]一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜及其制备方法和用途-CN202110362318.4有效
发明人：胡劲松;薛丁江;胡利艳;冯明杰 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，所述薄膜是在水溶性还原剂、锗源、硫或硒源通过水热法在基底上形成非晶膜后，再进行退火处理得到，多晶薄膜的晶粒以站立取向生长。对于硒化亚锗或硫化亚锗多晶薄膜，其XRD分别在晶面(111)出峰，该晶面为晶粒站立取向，有利于载流子的传输，从而得到光电性能优异的硒化亚锗多晶薄膜。
一种硒化亚锗硫化多晶薄膜及其制备方法用途

[发明专利]具有微空心砖结构的硒化亚锗薄膜、太阳能发电和水解制氢装置及其制备方法-CN202210572647.6有效
发明人：江丰;王康;倪欢扬;吴晓敏;肖国鸿;胡玉诚 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有微空心砖结构的硒化亚锗薄膜、太阳能发电和水解制氢装置及其制备方法，该硒化亚锗薄膜具有特殊的微空心砖结构，使得入射的太阳光在其内部多次反射直至完全吸收，能够明显提升光热和光电转化效率，该硒化亚锗薄膜结合光热转化部件应用于太阳能发电装置提升了太阳能发电装置对太阳光的利用率；在该硒化亚锗薄膜上制备缓冲层和析氢催化剂纳米颗粒形成了单阴极光电极，与光热转换部件结合形成的水解制氢装置实现了超过17％的光转氢效率。本发明提供的装置完全由太阳能驱动的、不受电网限制的、可规模化定制，具备极大的产业化发展前景。
具有空心砖结构硒化亚锗薄膜太阳能发电水解装置及其制备方法

[发明专利]一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用-CN202310308922.8在审
发明人：袁延忠;张亚君;郭彩霞;袁秋林;杨豪强;于坤;王芳 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用，包括从下至上依次堆叠的衬底，第一隔离层，硒化锗沟道，第二隔离层，单栅极结构，以及与所述单栅极结构相邻的源极/漏极。本发明具有的优点是该场效应晶体管体积小，结构整齐；并采用硒化锗做沟道，能达到满足HP应用标准的开关电流、亚阈值摆幅，进而提高场效应管的性能。
一种基于硒化锗二维材料场效应晶体管及其应用

[发明专利]一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法-CN201611184377.2有效
发明人：胡劲松;何超;薛丁江;刘顺畅 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量的硒化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硒化亚锗多晶薄膜的太阳能电池及其制备方法。所述硒化亚锗多晶薄膜厚度为300～500nm，所述制备方法是采用近空间升华法，且所述方法制备工艺简单，反应周期短，成膜质量好。
一种硒化亚锗多晶薄膜含有太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。
一种硒化锗靶材及其制备方法

[发明专利]大规模合成硒化锗玻璃及硒化锗玻璃化合物-CN03813728.3无效
发明人： S·乌伦布罗克 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C03B5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成硒化锗玻璃的设备和方法以及硒化锗玻璃化合物。更具体说，本发明涉及一种以较缩时间大规模合成硒化锗玻璃的设备和方法以及硒化锗玻璃化合物。这里所指的硒化锗玻璃化合物包含锗、硒、和可变的元素组分(如掺杂剂)。
大规模合成硒化锗玻璃化合物

[发明专利]过亚镓碱土锗酸硒玻璃-CN201180057167.6有效
发明人： B·G·艾特肯;S·C·库里 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C03C3/32 文献下载
摘要：IR透光碱土硒亚镓-和/或硒铟-锗酸盐玻璃能够作为主体发光稀土掺杂剂。大多数组合物的较高Ga和/或In含量起了消除硫属化物玻璃中稀土掺杂剂成簇的一般趋势，改善了发光。
碱土锗酸硒玻璃

[发明专利]一种硒化锗粉末的制备方法-CN201610793216.7在审
发明人：贾红;赵志国;赵纯华;赵建果;靳瑞敏 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料技术领域，涉及一种粉末材料，具体涉及一种硒化锗粉末的制备方法。该方法采用锗粉和硒粉混合均匀后，首先在真空条件下加热保温，然后在氩气保护下粉碎制备而成。本发明通过真空高温下锗和硒的扩散反应，制备得到硒化锗粉末，本发明解决了锗和硒二者反应制备硒化锗较难控制的问题，制备得到纯度较高的硒化锗粉末。其工艺方法简单、原料易得，能耗低，便于大量生产。
一种硒化锗粉末制备方法

[发明专利]一种硒化锗薄膜及其制备方法-CN201710745282.1有效
发明人：贾红;李晨;李歧;郑浩然;刘中利;靳瑞敏 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种硒化锗薄膜及其制备方法。一种硒化锗薄膜，所述薄膜采用电化学法在ITO基片上沉积得到。一种硒化锗薄膜的制备方法，所述硒化锗薄膜沉积在ITO的导电侧面。采用该方法不仅简单，而且能够制备具有扩大硒化锗应用的硒化锗薄膜。
一种硒化锗薄膜及其制备方法

[发明专利]新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法-CN202210292053.X有效
发明人：魏钟鸣;王鑫刚;杨珏晗;刘岳阳;邓惠雄;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
新型二维三维异质异构高速光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硒化锗纳米材料的制备方法以及硒化锗纳米材料的应用-CN202111316172.6在审
发明人：赵志成;李顺;刘勇;张双猛;罗睿杰 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化锗纳米材料的制备方法以及硒化锗纳米材料的应用。，然后将反应混合物在高温下以及惰性气体环境下回流，冷却室温后，依次使用丙酮、酒精以及去离子水进行洗涤，干燥，得到硒化锗纳米颗粒。本发明的硒化锗纳米材料的制备方法将硒脲和GeI4在油胺溶剂下，在高温下进行氧化还原反应，合成了硒化锗纳米颗粒，冷却室温后，经过丙酮、酒精、去离子水三种溶剂洗涤后，干燥得到硒化锗纳米颗粒材料，整个制备方法操作简单，环保无污染，易于工业化生产。本发明的硒化锗纳米材料的应用为降解有机污染物。
一种硒化锗纳米材料制备方法以及应用

[发明专利]锗和硒螺旋藻的制备方法-CN94110441.9无效
发明人：曹吉祥 -专利权人：曹吉祥
申请日： 1994-01-30 - 公布日： 1994-09-14 - 主分类号： C12N1/12 文献下载
摘要：一种锗和硒螺旋藻的制备方法，属生物工程技术，用于制备保健食品和药物的中间体。其特征是该制备方法包括二氧化锗和亚硒酸钠混合溶液的配制，往该溶液内移入刚收获的鲜活螺旋藻，在适宜的条件下培养、捞取和干燥等工艺步骤。具有工艺简便、流程短、易操作、能将无机锗和硒转化为有机锗和硒，富集了有机锗和硒的螺旋藻，集三者的优点和功能于一体，抑癌抗癌、防老抗衰、提高机体免疫力，清除人体过剩氧自由基，防病治病等优点。
螺旋藻制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top