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[发明专利]一种二硒化锗粉末的制备方法-CN201610796972.5在审
发明人：贾红;赵志国;赵纯华;赵建果;靳瑞敏 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料制备技术领域，涉及一种粉末材料，具体涉及一种二硒化锗粉末的制备方法。该方法采用锗粉和硒粉混合均匀，在真空条件下加热保温，然后在反应完成，在然后在氩气流动时，进行保温分离，然后在氩气下冷却，最后在氩气保护下粉碎制备而成。本发明通过真空高温下锗和硒的热扩散反应，制备得到二硒化锗粉末，本发明解决了锗和硒二者反应制备二硒化锗较难控制难提纯的问题，制备得到纯度较高的二硒化锗粉末。
一种二硒化锗粉末制备方法

[发明专利]一种富硒富锗果蔬喷洒液及其制备方法-CN201410258288.2在审
发明人：马纯 -专利权人：陕西恒富源林业有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种富硒富锗果蔬喷洒液及其制备方法，解决现有富硒富锗喷洒液果蔬吸收不理想，致使农作物中硒和锗的含量不好控制，不利于规模化生产的问题。本发明复合型喷洒液是由以下重量百分比的组分原料混合过滤后制成：原露0.0003-0.0007％，糖醇0.2-0.3％，亚硒酸盐0.0008-0.001％，钥酸钠0.001-0.003％，硫酸盐0.0008-0.0011％，硼酸钠0.0008-0.0012％，水75-80％，锗元素添加液10％，其中磷酸氢二铵、尿素、硼酸、氯化钾和二氧化锗的重量比为：100∶100∶10∶30∶8。本发明复合型喷洒液硒和锗的吸收率稳定、高效，制备工艺简单。
一种富硒富锗果蔬喷洒及其制备方法

[发明专利]一种硫化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池-CN202110362553.1有效
发明人：胡劲松;薛丁江;冯明杰;胡利艳 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硫化亚锗多晶薄膜的太阳能电池。所述硫化亚锗多晶薄膜厚度为400～800nm，我们在传统的近空间快速升华法基础上增加了晶种层预沉积和后步原位退火(三步法)制得，该过程运行简单且连贯，可通过调节氮气和气泵的开关顺序得以实现，并利用两步磁控溅射法和高温硒化得到了适合沉积硫化亚锗的基底所述太阳能电池中p型层材料硫化亚锗(GeS)是一种价格低廉且环境友好的半导体光电材料，其带隙为1.73eV左右，覆盖了大部分可见光光谱，且吸光系数高达105cm
一种硫化多晶薄膜含有太阳能电池

[发明专利]一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法-CN201911136111.4有效
发明人：奚圣文;卢良能 -专利权人：奚圣文
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： A01G18/00 文献下载
摘要：一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，器具如下：电钻、50ml注射器、30ml营养液塑料瓶和瓶口软木塞，配制浓度为0.2%亚硒酸氢盐溶液和浓度为0.2%偏锗酸盐溶液，已发菌的灵芝菌棒若干；操作如下：用注射器量25ml亚硒酸氢盐溶液注入30ml营养液塑料瓶中，塞好瓶口软木塞，用注射器量25ml偏锗酸盐溶液注入30ml营养液塑料瓶中，塞好瓶口软木塞；取已发菌的灵芝菌棒或者已发箘到1/2～2/3的灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻二个孔，深度为25～30mm，分别插入已注入亚硒酸氢盐溶液和偏锗酸盐溶液的塑料瓶，在瓶底部开通气孔，以便使溶液慢慢流入灵芝菌棒中，再将其移至大棚中下田栽培。
一种活性灵芝栽培方法

[发明专利]一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法-CN201710444138.4在审
发明人：李瑀;张盼盼;封伟;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备：包括如下步骤：(1)将硒化锗粉末放入反应釜，加入溶剂，升温至100‑200℃，保温8‑48h；(2)将步骤(1)溶剂热后的硒化锗分散液放入细胞粉碎机，进行超声处理；(3)对超声后的硒化锗分散液进行离心处理，得到灰黑色的上层清液，所述灰黑色的上层清液内分散有单层或少层硒化锗。
硒化锗溶剂热制备二维材料上层清液插层法分散液灰黑色放入细胞粉碎机超声处理离心处理反应釜溶剂超声单层少层保温

[发明专利]一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法-CN202111515023.2有效
发明人：刘韵丹;罗嗣明;祁祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法，该方法包括：制备硒化锗纳米片悬浮液；将制得的纳米片悬浮液通过电泳沉积到ITO基板上形成硒化锗膜；将经过电泳沉积处理的ITO基板进行干燥处理；将经过干燥处理的ITO基板通过离子层连续吸附反应依次在镉离子的前驱体溶液和硫离子或硒离子的前驱体溶液吸附4～8min，交替循环吸附3～10次，在硒化锗膜上形成硫化镉膜或硒化镉膜；将经过离子吸附处理的ITO基板进行干燥处理，即得硒化锗复合材料的光电器件。本发明通过电泳沉积法和离子层连续吸附反应法制备出高光响应特性的硒化锗复合材料光电器件。该方法操作简单，易于控制，实验环境要求低，有利于工业化推广。
一种硒化锗复合材料光电器件及其制备方法

[发明专利]双富型负离子中药硒锗复合型无抗饲料添加剂及试验方法-CN201910399723.6在审
发明人：张敏;耿春银 -专利权人：延边大学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： A23K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了双富型负离子中药硒锗复合型无抗饲料添加剂及试验方法，包括培养的酵母菌4～10份、亚硒酸钠的含量为2～7份、二氧化锗的含量为5～7份、米糠的含量为2～5份、氧化锌的含量为3～6份、电气石粉的含量为6～10份和中草药饲料添加剂的含量为5～10份，试验利用酵母菌同时富集硒锗元素，并将矿物质负离子及中药添加剂按比例进行混合，为三种物质的混合应用在提高育肥猪的生产性能及改善猪肉肉品质方面提供理论依据，分离有机硒锗比较困难，但其生物转化量在90％以上，无机硒锗极少，对人和动物不构成危害，负离子中药硒锗复合型无抗饲料添加剂，提高育肥猪的生长性能，改善育肥猪的猪肉品质，同时可以提高猪肉中硒锗沉积量，使猪肉具有保健作用。
硒锗负离子饲料添加剂育肥猪酵母菌猪肉中药试验中草药饲料添加剂中药添加剂保健作用电气石粉二氧化锗生产性能生长性能生物转化亚硒酸钠猪肉品质沉积量矿物质肉品质无机硒氧化锌有机硒富集米糠应用

[发明专利]基于二维硒化锗/二硫化钼的偏振光电探测器及其制备方法-CN202211659301.6在审
发明人：程迎春;罗小光;弥慧如;闫雨婷 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维硒化锗/二硫化钼的偏振光电探测器及其制备方法，属于硒化锗晶体材料的技术领域。本发明公开的一种基于二维硒化锗/二硫化钼的偏振光电探测器，采用二维硒化锗作为各向异性二维半导体层，采用二硫化钼作为二维半导体层，二硫化钼是主要的导电沟道，硒化锗作为顶层光敏材料，所构成的PN结在垂直方向上的内建电场采用气相传输的方法利用锗粉末、硒粉末和结晶碘粉末合成硒化锗晶体作为各向异性二维半导体层的二维硒化锗，具有操作步骤简单，生产成本低，可以用于工业化生产的优点。
基于二维硒化锗二硫化钼偏振光电探测器及其制备方法

[发明专利]二硒化铂薄膜/n-型锗异质结近红外光探测器及其制备方法-CN201811267218.8在审
发明人：谢超;李晶晶;王莉;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了二硒化铂薄膜/n‑型锗异质结近红外光探测器及其制备方法，其是以n‑型锗基底为光电探测器的基区，在n‑型锗基底的下表面设置n‑型锗基底电极，上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化铂接触电极，在二硒化铂接触电极上铺设二硒化铂薄膜，二硒化铂薄膜一部分与二硒化铂接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型锗基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。
硒化铂薄膜锗基接触电极异质结绝缘层近红外光探测器光电探测器制备覆盖绝缘层欧姆接触区域覆盖底电极上表面下表面响应度基区铺设响应覆盖

[发明专利]一种二硒化锗纳米材料的制备方法-CN202011369389.9有效
发明人：郝国林;高炜奇;周国梁;刘文祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种二硒化锗纳米材料的制备方法。基于化学气相沉积法，通过调节载气流量以及生长基底的空间放置位置，可以实现二硒化锗纳米材料的可控生长。待化学沉积系统加热到指定温度后，快速将硒化锗高纯粉末推至加热中心，反应前驱体被载气输运至低温区；放置在低温区的不同空间位置的基底上可以获得形貌、尺寸、厚度可调的二硒化锗纳米材料(纳米带、纳米薄膜)；且依据本发明的实验方法，可实现二硒化锗纳米结构的工业化生产。
一种二硒化锗纳米材料制备方法

[发明专利]一种硒化锗纳米片及其制备方法-CN202210852035.2在审
发明人：毛宇亮;吴鑫;邓纪财;周星 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种硒化锗纳米片及其制备方法。具体技术方案为：一种硒化锗纳米片，呈矩形，表面平整横截面面积为50～200平方微米，厚度最小为8.9nm。本发明提供了一种全新的制备硒化锗纳米片的方法，具体通过CVD方法制备，原材料为锗粉与硒粉，制备工艺简单，生产成本低，反应条件易于控制，可重复性高。
一种硒化锗纳米及其制备方法

[实用新型]一种光纤SPR传感器-CN202220865952.X有效
发明人：郝泽颖;刘瑶;赵洲浩;王琦 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光纤SPR传感器，包括纤芯、硒化锗纳米层和金纳米层，硒化锗纳米层包在纤芯的外侧，金纳米层镀在硒化锗纳米层的外侧。其中，硒化锗纳米层能够增强光纤SPR传感器的表面等离子共振现象，由此实现对生物分子溶液浓度的高灵敏度测量，本实用新型提供的光纤SPR传感器兼具良好的稳定性与重复性，且结构简单，易于制备。
一种光纤 spr 传感器

[发明专利]一种高光电转化效率的GeSe太阳能电池吸收层及制备方法-CN202210421149.1在审
发明人：李宗宝 -专利权人：铜仁学院
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光电转化效率的GeSe太阳能电池吸收层及制备方法，所述太阳能电池吸收层由硒化亚锗多晶薄膜构成，所述多晶薄膜是在基底上形成非晶膜后，再进行退火处理沉积得到，多晶薄膜的晶粒以站立取向生长，所述的硒化亚锗多晶薄膜的厚度为200～400nm。
一种光电转化效率 gese 太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法-CN202211681298.8在审
发明人：徐明生;朱清海;陈叶馨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法，该异质结及其光电探测器在二硒化铂和锗层之间存在一薄层的超薄绝缘层，该绝缘层能够提高异质结界面势垒，作为隧穿层可以调控电荷输运特性，同时能够钝化锗界面态为了防止锗衬底在铂薄膜硒化过程中生成硒化锗，本发明还公开了在该异质结结构的锗衬底背面制备绝缘层，从而形成二硒化铂/超薄绝缘层/锗/背面绝缘层的异质结结构。
一种基于二硒化铂异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]高微量元素食药用菌的栽培方法-CN200910248996.7无效
发明人：张寿禄;张晓微;张晓菊 -专利权人：张寿禄
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： A01G1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高微量元素食药用菌栽培方法，该方法是将无机亚硒酸钠和二氧化锗，以食药用菌为载体，通过菌丝体的吸收利用，便无机制剂转化为易吸收利用的有机制剂，在栽培拌料时再加一定量的有机微量元素钙、铁、硼、锌、硒，以达到高微量元素食药用菌标准。在高微量元素食药用菌菌种驯化过程中，首先是将各级菌种微量元素的施加量逐级增加，高微量元素食药用菌栽培拌料时再添加适量的亚硒酸钠、二氧化锗，以及有机微量元素钙、铁、硼、锌、硒。通过该方法栽培的高微量元素食药用菌，质量和产量与普通食药用菌相比，可提高10％以上，效益可提高30％以上，硒含量提高150倍左右，锗提高100倍左右，钙、铁、硼、锌提高50倍左右。
微量素食药用栽培方法