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[发明专利]一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池的制备方法-CN201710616116.1有效
发明人：刘辉;刘聪贤;朱眉清 -专利权人：卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池的制备方法。该方法包括：清洗N型硅基底，在N型硅基底中制备N型硅纳米线阵列，然后在N型硅纳米线阵列上依次形成本征非晶锗层、P型黑磷烯层以及透明导电层，最后在N型硅基底的背面形成背电极并在透明导电层上形成上电极。本发明的制备方法简单，硅纳米线线阵列的设置提高了该太阳能电池对太阳光的吸收效率，黑磷烯作为新型二维半导体材料，与N型硅纳米线线阵列以及本征非晶锗层形成PIN异质结，可以有效的进行光电转换，且径向结构的设置
一种黑磷 pin 异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201110376884.7有效
发明人：陈雄斌;陈帆;薛恺 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，基区由硅缓冲层、锗硅单晶层和硅帽层中的本征硅部分组成基区，发射区由N型多晶硅和N型掺杂的硅帽层两部分组成。通过增加发射区的位于硅帽层中的部分的厚度，能使发射区中起作用部分的主要为硅帽层中的N型掺杂区，而N型多晶硅在发射区中主要起连接作用，这样就能显著减少硅帽层和N型多晶硅的交界面的界面态对器件的性能的影响，使器件的电流放大能力保持稳定，从而能显著的提高器件的稳定型，同一硅衬底上形成的所有器件的性能的片内的标准偏差能从15％降低到5％左右，有利于实现量产。本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种硅基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611077051.X有效
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：林伟
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括：一N型掺杂的硅半导体层；一本征的硅基半导体层；一P型硅锗过渡层；一P型锗半导体层；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏电极；一在P型锗半导体材料上形成的源电极
一种硅基异质结遂穿场效应晶体管

[发明专利]基于硅-锗硅异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法-CN201110391692.3无效
发明人：黄晓橹;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种基于硅-锗硅异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在绝缘体上硅晶片的顶层中形成SiGe外延层；对该SiGe外延层进行表面干氧氧化工艺，以形成第一导电类型SiGe体区，并且该干氧氧化工艺一直进行到导致该第一导电类型SiGe体区中的锗含量达到的摩尔比让该第一导电类型SiGe体区的价带位置高于该绝缘体上硅晶片的顶层材料的价带位置后才停止；以及在经过上述处理的绝缘体上硅晶片中形成包括基于硅-锗硅的异质结的NMOS晶体管，该NMOS晶体管即该单晶体管。
基于锗硅异质结晶体管 dram 单元及其制备方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201810024847.1有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，集电区包括整体集电区和局部集电区并和赝埋层接触；基区由形成于集电区表面的P型锗硅外延层组成；发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成且分成底部多晶硅和顶部多晶硅。局部集电区和底部多晶硅的发射区窗口采用相同的光刻图形定义实现局部集电区和底部多晶硅的完全对准；外基区的离子注入前所述发射区窗口介质层被去除，外基区的带倾角的离子注入和底部多晶硅的侧面自对准，使底部多晶硅外被顶部多晶硅覆盖的交叠外基区的掺杂增加从而降低基区电阻本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能同时提高器件的特征频率和最高振荡频率，适用于器件的超高频的应用需求，且工艺成本低。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管-CN201380015922.3有效
发明人： J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：pnp型硅锗异质结双极晶体管(HBT)(300)通过外延生长发射极以包括单晶锗区(316)和上覆的单晶硅区(318)，降低晶体管的p+发射极(310)中的p‑型掺杂物原子向外扩散到晶体管的基极(150)
具有向外扩散发射极锗化硅异质结双极晶体管

[发明专利]基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法-CN201410406739.2在审
发明人：郭红霞;郭旗;李培;文林;王信;刘默寒;崔江维;陆妩;余学峰;何承发 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模型的单粒子响应进行对比，验证锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的抗辐射加固效果该方法解决了地面模拟试验成本较高、机时紧张的问题；有效提高了锗硅异质结双极晶体管的抗单粒子效应能力，同时弥补了工艺实验费用昂贵、周期较长的不足。
基于仿真锗硅异质结双极晶体管粒子效应加固方法

[发明专利]SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法-CN201110377076.2有效
发明人：韩峰;刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：型和P型赝埋层和掺杂集电区，在浅槽隔离底部高剂量、低能量地注入硼离子或磷离子杂质，经过热处理后杂质的扩散，形成N和P型赝埋层；步骤三、利用P型衬底形成P型集电区，由P型赝埋层通过深接触孔引出；步骤四、硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成N型基区，由N型赝埋层通过深接触孔引出；步骤五、利用硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型SiGe基区形成发射区，并由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。
sige hbt 工艺中的隔离寄生 pnp 器件制造方法

[发明专利]采用硅－锗和硅－碳合金的异质结场效应晶体管-CN03821362.1无效
发明人：道格拉斯·A·韦布;道格拉斯·沃德 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：利用硅－锗缓冲层和硅－碳沟道层结构制造的诸如异质结场效应晶体管的半导体器件。本发明提供了一种通过降低其上形成有应变硅沟道层的SiGe驰豫缓冲层之中的锗组分从而减少穿透缺陷密度的方法，该方法通过形成硅－碳合金的应变硅沟道层来实现，该碳－硅合金包含例如替代式地结合入合金的Si晶格中的
采用合金异质结场效应晶体管

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件-CN202011249244.5在审
发明人：徐杨;吕建杭;刘威;刘亦伦;刘晨;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件，包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层，被锗，以及锗与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应，器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体，对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。
基于单层石墨绝缘结构电荷注入器件

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201010590206.6有效
发明人：梅绍宁;钱文生;胡君;刘冬华;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成并和形成于有源区周围的浅槽场氧底部的N型赝埋层相连接并通过在赝埋层顶部的浅槽场氧形成的深孔接触引出集电极；本征基区由形成于发射极窗口底部为P型锗硅外延层组成、在发射极窗口外部的P型锗硅外延层通过硼硅玻璃的退火推进进一步掺杂并形成外基区。发射极窗口的内侧壁形成有内侧墙，发射区由完全填充于发射极窗口内并在顶部延伸到发射极窗口外部的N型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件-CN201510976592.5有效
发明人：刘继芝;刘聂;刘志伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于集成电路静电放电保护领域，具体为一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件，用于克服现有SiGe异质结双极型晶体管HBT器件不能实现相同的双向ESD保护能力的问题。该结构包括：第一种导电类型硅衬底，衬底上依次形成第二种导电类型埋层、第二种导电类型阱区，所述阱区上形成呈左右对称分布的两个第一种导电类型SiGe层，每个SiGe层上分别形成N个第二种导电类型多晶硅层，其中，左侧SiGe层上形成的多晶硅层连接阳极，右侧SiGe层上形成的多晶硅层连接阴极。本发明基于锗硅异质结双极型晶体管HBT的基本结构，构成双向完全对称的SCR结构；当该SCR器件结构的阴极接地，该器件具有双向相同的ESD保护能力。
一种基于锗硅异质结工艺双向 esd 保护器件

[发明专利]NPN异质结双极晶体管及其制造方法-CN201210128958.X有效
发明人：陈乐乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种NPN异质结双极晶体管及其制造方法，由应力硅锗作为基极区，并只在集电极引出端与基极引出端之间形成浅沟槽隔离，与现有技术相比减少了形成P阱的P型离子注入和形成深N阱的N型离子注入，且由于应力硅锗可增加NPN晶体管的性能，并可与现有CMOS工艺相匹配，因此，在减少工艺流程步骤，节约成本的同时，提高了异质结双极晶体管的器件性能。
npn 异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法-CN201010596089.4有效
发明人：陈帆;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其集电区的形成方法为：在三极管有源区打开后渐变深度的多次注入集电区N型杂质，然后通过快速热退火使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型集电区杂质分布该方法能有效降低集电区的总体电阻，与高成本的外延层集电区性能相一致，采用该方法制造的高压锗硅异质结双极晶体管成本低、且性能高。
高压锗硅异质结双极晶体管制造方法