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[实用新型]一种5G毫米波超宽带偶极子天线单元及封装天线模组-CN202020643186.3有效
发明人：赵伟;侯张聚;唐小兰;戴令亮;谢昱乾 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了5G毫米波超宽带偶极子天线单元及封装天线模组，5G毫米波超宽带偶极子天线单元，包括第一介质层、设于第一介质层顶面的巴伦和设于第一介质层底面的第一金属层，第一金属层包括地层、缝隙及偶极子，缝隙设于地层上并与巴伦耦合，偶极子连接地层的第一侧边并与缝隙耦合，第一介质层上设有用于给巴伦馈电的第一金属化孔。
一种毫米波宽带偶极子天线单元封装模组

[发明专利]非均质断裂控制储层预测方法及装置-CN202011126267.7在审
发明人：李相文;田军;刘永雷;但光箭;张磊;金梦 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G01V1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均质断裂控制储层预测方法及装置，其中方法包括：获得研究区的地震数据和测井数据；根据所述地震数据和测井数据，确定井震标定关系数据；对所述地震数据进行子波分解，得到致密岩性区的多子波库；根据所述多子波库，确定致密灰岩地层的背景数据；根据所述地震数据和致密灰岩地层的背景数据，确定地震响应特征数据；根据所述地震响应特征数据，井震标定关系数据和预先建立的均质阻抗模型，得到非均质阻抗模型，所述均质阻抗模型根据历史构造数据和历史测井数据预先建立；根据所述非均质阻抗模型，进行非均质断裂控制储层预测。本发明可以预测非均质断裂控制储层，有效提高储层预测精度。
非均质断裂控制预测方法装置

[发明专利]一种宽带双圆极化微带阵列天线和通信终端-CN202211683376.8在审
发明人：王亚伟;高向军;田超;崔星烁;魏鑫 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提供一种宽带双圆极化微带阵列天线和通信终端，涉及通信技术领域，包括金属背板、微带介质板组件以及位于微带介质板组件且相互连接的宽带天线单元和双旋向馈电网络，微带介质板组件包括微带介质复合板，微带介质复合板包括层叠的第一介质板和第二介质板，在第一介质板和第二介质板之间夹设有微带金属地层，第一介质板与金属背板相对且间隔，以在第一介质板和金属背板之间形成背腔，在背腔内设置有端部穿设第一介质板的底馈结构，由此，借助底馈结构能够形成微带金属地层和金属背板的良好电连接
一种宽带极化微带阵列天线通信终端

[发明专利]耦合层及具有该耦合层的印刷电路板-CN200810305274.6无效
发明人：范发平 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种用于印刷电路板的耦合层，其包括：一第一介质层，一电源层及一地层。该第一介质层包括第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该电源层与该地层分别覆设于该第一表面及该第二表面上。在该第一表面上该电源层相对该地层缩进一个距离而形成一个裸露区。在该裸露区覆设有与该电源层绝缘的导电层。该导电层与该地层电连接，从而可以进一步抑制该电源层产生的电磁辐射。
耦合具有印刷电路板

[发明专利]一种沥青质沉淀油藏直井稳态产能预测方法-CN201811129903.4有效
发明人：李长勇;唐莎莎;杨莉;邱凌;张迎春;皮建;杨仁锋;蒋百召;刘广为;康博韬;唐嘉伟;李竞 -专利权人：中国海洋石油集团有限公司;中海油研究总院有限责任公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种沥青质沉淀油藏直井稳态产能预测方法，其步骤：根据典型地层原油样品室内实验测试结果，将原油中溶解的沥青质质量分数随着地层压力的变化划分为四个阶段；根据室内实验测试结果，针对沥青质等温沉淀的四个阶段分别建立沥青质沉淀规律数学表征式；以经典的幂率型及指数型孔渗关系式为基础，根据沥青质沉淀规律数学表征式，建立沥青质沉淀油藏储层岩石渗流能力变化规律预测模型；针对幂率型孔渗关系式，建立并求解沥青质沉淀油藏直井等温稳定渗流数学模型；针对指数型孔渗关系式，建立并求解沥青质沉淀油藏直井等温稳定渗流数学模型。本发明在考虑沥青质沉淀对储层渗流能力及流体性质影响的基础上，实现油藏直井稳态产能预测。
一种沥青沉淀油藏稳态产能预测方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510049688.7有效
发明人：韩晓飞;钱钧;张聚宝 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：所述半导体结构包括基板、直通硅穿孔孔洞、层间介电质、衬层及导体。直通硅穿孔孔洞形成于基板中。层间介电质形成于基板上。层间介电质定义出对应直通硅穿孔孔洞的开口。层间介电质包括接近直通硅穿孔孔洞的鸟嘴部分。衬层形成于直通硅穿孔孔洞的底部及侧壁上。导体填充于直通硅穿孔孔洞及开口中。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种检测灰岩地层孔隙压力的方法-CN201110124596.2有效
发明人：饶富培;侯冰;唐世忠;陈勉;张东艳;金衍;余夫 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： E21B47/06 文献下载
摘要：检测灰岩地层孔隙压力的方法，应用于油田钻井技术领域。包括：采集同一地质构造井岩样岩石力学参数数据、建立有效应力模型、求上覆岩层压力与深度间的特征数据、建立上覆岩层压力模型、建立灰岩地层孔隙压力的检测模型、检测灰岩地层孔隙压力。效果是：与现场实测的地层孔隙压力数据进行对比，符合程度较高，趋势符合性较好，基本解决了传统方法不适用检测灰岩地层孔隙压力的难题。
一种检测地层孔隙压力方法

[发明专利]一种纳米液态氟碳硅脂质超声造影剂及其制备方法-CN202210280294.2在审
发明人：朱文健 -专利权人：中山大学附属第七医院（深圳）
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： A61K49/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米液态氟碳硅脂质超声造影剂，包括以下组分：PFP硅脂质：3mg～5mg；DSPE‑PEG2000：5％～15％摩尔比；乙醇：0.2mLpH＝3；超纯水：4mL～5mL；全氟戊烷：2mL～6mL；脂质溶液：3mL～6mL；PFP硅脂质纳米乳：4mL～7mL。本发明还提供了一种纳米液态氟碳硅脂质超声造影剂的制备方法。本发明采用超声细胞破碎法，以硅脂质、全氟戊烷为原料制备液态氟碳硅质纳米乳，以液态氟碳脂质纳米乳作为对照组分析其稳定性，并探究其体外超声造影的效果。所制备的液态氟碳硅脂质纳米乳较脂质纳米乳有更好的稳定性，且超声造影效果显著。成功制备出稳定性好，体外超声造影效果显著的多功能纳米乳，将很好地解决脂质造影剂稳定性差的问题，实现了诊断与治疗一体化。
一种纳米液态氟碳硅脂质超声造影及其制备方法

[发明专利]硅质基板及具有硅质基板的光电元件封装结构-CN200610100967.2无效
发明人：林弘毅 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅质基板的光电元件封装结构。利用微机电工艺或半导体工艺进行硅质基板的批量制造，制作出具备多样化与精密性的硅质基板。根据硅质基板本身的特性与硅质基板上的导引连线、光电元件、凹杯结构及倒装芯片凸块等元件的配置，本发明可增加光电元件封装结构的光学效果、散热效果与封装结构可靠度，并且简化光电元件封装结构的元件复杂度。
硅质基板具有光电元件封装结构

[发明专利]具有倒装芯片凸块的硅质基板-CN200810177450.2无效
发明人：林弘毅 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供一种具有倒装芯片凸块的硅质基板。利用微机电工艺或半导体工艺进行硅质基板的批量制造，制作出具备多样化与精密性的硅质基板。根据硅质基板本身的特性与硅质基板上的导引连线、光电元件、凹杯结构及倒装芯片凸块等元件的配置，本发明可增加光电元件封装结构的光学效果、散热效果与封装结构可靠度，并且简化光电元件封装结构的元件复杂度。
具有倒装芯片硅质基板

[发明专利]具有硅质基板的光电元件封装结构-CN200810177449.X无效
发明人：林弘毅 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供一种具有硅质基板的光电元件封装结构。利用微机电工艺或半导体工艺进行硅质基板的批量制造，制作出具备多样化与精密性的硅质基板。根据硅质基板本身的特性与硅质基板上的导引连线、光电元件、凹杯结构及倒装芯片凸块等元件的配置，本发明可增加光电元件封装结构的光学效果、散热效果与封装结构可靠度，并且简化光电元件封装结构的元件复杂度。
具有硅质基板光电元件封装结构

[发明专利]具有废料回收功能的铸锭硅芯自动截断设备及其运转方法-CN202210136938.0有效
发明人：周波;虞志静 -专利权人：浙江晶阳机电股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了铸锭硅芯自动截断技术领域的具有废料回收功能的铸锭硅芯自动截断设备及其运转方法，包括底板，所述底板上固定安装有第一U型板，所述第一U型板与底板上设有夹持机构，且底板上设有与夹持机构配合使用的回收机构，所述回收机构的内部设有配合使用的防堵塞机构，通过夹持机构的设置使用，能够便捷快速的将圆柱状铸锭硅芯进行稳定夹持，从而便于后续截断作业的稳定开展，避免出现铸锭硅芯偏移的现象，在驱动机构与回收机构的协调作用下，能够带动扇叶进行转动，从而能够将铸锭硅芯截断时所产生的碎屑通过落料槽吸入集料箱内，之后再由输送管将碎屑导入回收箱内存放，进而实现铸锭硅芯碎屑的回收再利用，从而节约了资源。
具有废料回收功能铸锭自动截断设备及其运转方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201910116311.7有效
发明人：后平拓;箕浦佑也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的技术问题为抑制在由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜形成的孔或者槽的弯曲。解决方案为：等离子体蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，其利用等离子体来蚀刻由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜；和第二蚀刻工序，其在使蚀刻多层膜而形成的孔或者槽的内侧壁中与硅氮化物膜对应的部分相对于该孔或者该槽的深度方向的倾斜减少的处理条件下
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]一种高硅瓷质填料-CN95112551.6无效
发明人：李敦武 -专利权人：湖南安沙尼传质设备有限公司
申请日： 1995-11-20 - 公布日： 2000-11-15 - 主分类号： B01J19/30 文献下载
摘要：本发明介绍的一种高硅瓷质填料，其中的二氧化硅含量在９０～９５％这种高硅瓷质填料主要由高硅质粘土、瓷土及钾长石粉组成，其中所用的高硅质粘土用量为７０～９０％；瓷土用量为２７～７％；钾长石粉用量为３％，该种材质的瓷质填料其耐酸度可达
一种高硅瓷质填料

[发明专利]一种地层中烃源岩纵向非均质特征的定量表征方法-CN201810568627.5有效
发明人：王保华;陆建林;李浩;宋振响;左宗鑫;王苗;刘娅昭 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01V1/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种地层中烃源岩纵向非均质特征的定量表征方法，其特征在于，包括以下步骤：确定输入参数数据；确定目标地层中烃源岩的纵向单元数目和纵向单元属性；确定目标地层中烃源岩的等效分布指数和分散系数；根据烃源岩的等效分布指数，确定烃源岩在目标地层纵向的分布位置，根据烃源岩的分散系数，确定烃源岩在目标地层纵向的离散程度。本发明能够定量描述不同品质烃源岩在地层中的纵向分布特征，以便于简易、直观、准确地开展地层中烃源岩评价。
一种地层中烃源岩纵向非均质特征定量表征方法