专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种增强生物TPU的制备方法-CN202310994573.X在审
  • 彭勃;杨一鸣;谭伟俊;张莉苗 - 江西绿安新材料有限公司
  • 2023-08-09 - 2023-10-24 - C08L75/04
  • 本发明公开了一种增强生物TPU的制备方法,属于生物TPU技术领域。一种增强生物TPU的制备方法,包括以下步骤:步骤一:准备材料,按照一定比例准备生物TPU原料、功能化材料、增容剂和稳定剂;步骤二:材料预处理,将生物TPU原料进行预处理,去除杂质和不纯物质,得到纯净的生物TPU;步骤三:添加功能化材料,将功能化材料加入到生物TPU中;本发明使得生物TPU材料比传统TPU的力学性能好,不仅降低了生产成本,而且能够减少传统TPU的使用,有助于降低环境污染,还可以通过功能化材料,有效的提高了增强生物TPU的力学性能,通过设置的稳定成分,有效的提高了整个材料在使用时的稳定。
  • 一种增强生物tpu制备方法
  • [发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201410686773.X有效
  • 曾绍海;李铭 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2014-11-25 - 2018-04-06 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种PMOS晶体管的形成方法,其通过在填充锗以形成源漏区之前,先对栅极的侧墙进行离子注入和退火工艺,使碳原子与侧墙表面的断键相结合,以消除断键,从而在后续填充锗时,阻止锗原子以及掺杂的原子与断键相结合,从而抑制栅极侧墙表面锗的淀积,改善侧墙缺陷。本发明较佳地还可使注入的碳原子与侧墙表面的断键相结合,以消除断键。本发明工艺与现有工艺兼容,具有较大应用价值。
  • pmos晶体管形成方法
  • [发明专利]含量硬掩模材料-CN202080090639.7在审
  • 戚波;Z·沈;A·玛里克 - 应用材料公司
  • 2020-12-01 - 2022-08-02 - H01L21/033
  • 含硼材料可包括大于50%的。在一些实施例中,含硼材料可基本上全部由组成。在一些实施例中,方法可进一步包括:将含锗前驱物、含氧前驱物、含前驱物、含磷前驱物、含前驱物和/或含前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、、磷、和/或中的至少一者。
  • 含量硬掩模材料

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