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[发明专利]硅量子点硼浆及其制备方法-CN202110532217.7在审
发明人：谢浩;郑灵浪;高志飞 -专利权人：宁波革鑫新能源科技有限公司;刘国钧
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C09K11/63 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅量子点硼浆及其制备方法。所述硅量子点硼浆包括如下重量份的组分：硅量子点1‑30份、添加剂0‑5份、溶剂67‑99份，其中，所述硅量子点为掺杂复合结构硅量子点。所述掺杂复合结构硅量子点的一次结构包括核体和包覆于所述核体的壳层，且所述核体的材料为掺硼硅晶体，所述壳层的材料为二氧化硅。所述硅量子点硼浆具有良好的流变特性，属于非牛顿流体，适合于丝网印刷成膜工艺。所述硅量子点硼浆分散体系稳定，储存时间长，在印刷成膜时，烘干溶剂后不遗留任何碳残余，硅量子点颗粒之间保持良好接触。所述硅量子点硼浆制备方法工艺步骤简洁，各步骤工艺条件可控，从而保证制备的硅量子点硼浆性能稳定。
量子点硼浆及其制备方法

[发明专利]P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法-CN202010915777.6在审
发明人：袁声召;崔艳峰;庄宇峰;于元元;胡玉婷;杨斌;张文超;万义茂 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：在背面沉积有隧穿氧化层及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金属区域印刷硼浆；然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中。本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，然后利用激光将硼浆中的硼打入硅中，能够在P型背结接触钝化电池的正面形成局域重扩区域以形成欧姆接触，从而提高P型背结接触钝化电池的转换效率。而且本申请采用硼浆作为硅片正面局域重扩的硼源，能够极大地降低P型背结接触钝化电池的生产成本，适于产业化。利用激光将硼浆中的硼打入硅中，工艺步骤简单，操作性强。
型背结接触钝化电池正面局域方法制备

[发明专利]一种电磁炉用硼硅玻璃面板印刷方法-CN201911139795.3在审
发明人：陆志文 -专利权人：苏州市灵通玻璃制品有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁炉用硼硅玻璃面板印刷方法，属于家电领域，包括以下步骤：对硼硅玻璃面板正面进行印刷并钢化；将定位板与所述硼硅玻璃面板背面重合后，同时进行定位孔开孔；在定位板的定位孔开孔处和硼硅玻璃面板背面的定位孔开孔处分别粘贴磁铁；将粘贴好磁铁的定位板置于丝印机固定后，通过定位板上的磁铁与硼硅玻璃面板上的磁铁进行定位，对硼硅玻璃面板背面进行导电银浆印刷以及碳浆印刷。本发明可进行快速精准地定位，提高导电银浆和碳浆的印刷质量，并降低成本。
一种电磁炉用硼硅玻璃面板印刷方法

[发明专利]一种PERC电池用硼浆-CN201811631494.8有效
发明人：马进;丁冰冰;欧阳洁瑜 -专利权人：广州市儒兴科技开发有限公司;无锡市儒兴科技开发有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种PERC电池用硼浆，所述硼浆包括以下重量百分比的组分：占所述硼浆重量50％‑80％的硼粉、占所述硼浆重量1％‑30％的硅粉、胶黏剂，所述硼粉的粒度0.1μm‑10μm，所述硅粉粒度0.5μm本发明的PERC电池用硼浆具有良好的印刷性能，印刷线宽在50‑80微米，线高10‑20微米，可以提升PERC电池的开路电压3‑5mv，提升光电转换效率0.1‑0.2％。
一种 perc 电池用硼浆

[发明专利]N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法及其应用-CN202210046732.9在审
发明人：汤佳丽;史卓群;潘琦;杨立功 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶硅电池的选择性硼掺杂方法，包括如下步骤：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，形成硼的浅掺杂，且硼扩面上形成BSG；然后按照金属电极图形，在硼扩面上印刷能与BSG反应的腐蚀浆料，形成覆浆区域；然后通过加热使腐蚀浆料与覆浆区域的BSG发生反应，将覆浆区域的BSG转变为硼硅化合物；然后对覆浆区域进行激光推进，使覆浆区域形成硼的重掺杂。本发明还提供一种N型晶硅电池的制备工艺，其应用上述的选择性硼掺杂方法。本发明利用腐蚀浆料与BSG发生反应，降低了硼源进入硅基底中所需的激光能量，保护硅片表面的金字塔绒面不受到激光破坏，形成高表面浓度深结的重掺杂区，达到选择性硼掺杂的目的。
型晶硅电池选择性掺杂方法及其应用

[发明专利]纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺-CN201310739043.7有效
发明人：刘国钧;将红彬;万剑;沈晓燕;程亮;沈晓东 -专利权人：苏州金瑞晨科技有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01B1/18 文献下载
摘要：本发明公开了纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺，在普通电池生产工艺的基础上，加入印刷本发明所述纳米硅硼浆形成具有“全屏蔽”效果的硼背场，以代替现有铝背场，解决了铝背场带来的硅片翘曲，减少碎片提高良品率；另外，硼背场的电场强度比铝背场高，更有效地阻止光生载流子溢出硅片表面或界面发生复合。同时，纳米硅硼浆中的硅粒发生交联，并形成一层致密结构牢牢粘连在硅片基板上，有效地防止硼、磷扩散相互干扰。
纳米硅硼浆及其应用于制备屏蔽硼背场工艺

[发明专利]一种银浆作为高硼硅石墨烯层供电的方法及装置-CN201910999839.3在审
发明人：甘鹏飞;李高升 -专利权人：珠海烯蟀科技有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及导电连接技术领域，特别涉及一种银浆作为高硼硅石墨烯层供电的方法及装置。本发明包括以下步骤：将银浆粘附在高硼硅上，将粘附银浆的高硼硅烘干，通过胶带将金属电极覆盖在银浆层电极连接部位，将石墨烯浆料粘附在高硼硅和银浆层导电部位上，取下固定在金属电极的胶带，将金属电极压紧在银浆层电极连接部位本发明确保了银浆层不会被氧化，同时产品表面平整光滑，确保发热层和供电层都很薄，扩大了产品的应用范围。
一种作为硅石墨烯层供电方法装置

[发明专利]一种SE结构制备方法及太阳能电池-CN202310166700.7在审
发明人：马玉超;李红博;何保杨;蔡永梅;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触；通过激光辐照硼浆，将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内，在金属接触区形成重掺区域；对N型晶体硅的正面进行清洗，去除聚合物薄膜；对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。
一种 se 结构制备方法太阳能电池

[发明专利]一种铝浆及其制作方法、PERC电池、组件、系统-CN202211593508.8在审
发明人：周建科;马泽元;杨二存;时宝;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种铝浆及其制作方法、PERC电池、组件、系统。PERC电池用的铝浆的制作方法包括：制作硼铝硅复合氧化物；将所述硼铝硅复合氧化物加入至玻璃基础原料，形成玻璃原料；利用所述玻璃原料制作铝浆。如此，由于铝浆的玻璃原料中包括硼铝硅复合氧化物，故可以使得硼更好地留在激光开设的槽中，提高背电场的掺杂，从而提高PERC电池的背面钝化效果，有利于提高PERC电池的光电转换效率。
一种及其制作方法 perc 电池组件系统

[发明专利]背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法-CN202011391535.8有效
发明人：王璞;苏荣;陈坤;王岚;李书森;李忠涌;黄艳琴 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法。一种背场掺杂用硼铝浆，按照质量分数计，所述背场掺杂用硼铝浆包括：35％～55％的硼源，15％～25％的铝源，15％～30％的硅源以及20～40％的有机载体。上述背场掺杂用硼铝浆在掺杂后会在硅衬底上形成铝硅合金，降低了掺杂层与背银电极导出层接触的空洞，降低接触电阻，进而降低了电池的串联电阻，增加了太阳电池的填充因子，提高太阳电池的开路电压，最终提升太阳电池的效率
掺杂用硼铝浆太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法-CN202311030435.6在审
发明人：肖奇;胡琴;张飞;孙铁囤 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及电池制备技术领域，尤其是涉及一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，包括如下步骤：（1）硅基底双面制绒；（2）硼浆沉积；（3）退火推结；（4）背面去BSG；（5）硅基底背面抛光；（6）双面沉积遂穿氧化层和非晶硅层；（7）高温磷扩散实现非晶硅层的掺杂和晶化；（8）正面去PSG；（9）RCA清洗去绕度；（10）正面沉积氧化铝膜；（11）双面沉积氮化硅膜；（12）在基底的正面背面进行丝网印刷，制得TOPCON硼掺杂选择性发射极电池，采用硼浆印刷，在丝网栅线区域印刷高质量浓度硼浆进行重掺杂，其他区域印刷低质量浓度硼浆进行轻掺杂，避免了激光对硅片表面金字塔的破坏，提高了短路电流。
一种掺杂选择性发射极电池制备方法

[发明专利]提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法-CN02159060.5有效
发明人：吴欣昌;蔡正原;方郁文;杨能辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-27 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的
提高玻璃氮化之间粘合强度方法

[发明专利]铝硅硼浆料及其制备方法-CN201210035462.8无效
发明人：杜国平 -专利权人：杜国平
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：常规铝浆料的组份包括铝粉、无机玻璃粉、有机载体、和其它添加剂，其中铝粉由微米级铝颗粒组成，而本发明铝硅硼浆料则以铝-硅-硼粉代替常规铝浆中的铝粉，这种铝-硅-硼粉由铝-硅-硼颗粒组成，其特征是这些元素均匀地共存于各颗粒中这种铝硅硼浆在晶体硅中所能达到的p+型掺杂浓度比常规铝浆所能达到的要高得多，当用于p型晶体硅太阳能电池时可以获得钝化性能更好的背表面场；当用于n型晶体硅太阳能电池时可以制得电性能更优的发射极。对实现晶体硅半导体的p+型高浓度掺杂、以及提高晶体硅太阳能电池的光伏性能提供一种有效的技术方法。
铝硅硼浆料及其制备方法

[发明专利]一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法-CN201310426654.6有效
发明人：汪炜;洪捐;张伟;代建东 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括在晶硅太阳能电池背面，利用P型硅球配制硅墨或浆料作为硼源，采用喷墨打印或者丝网印刷来转移图案，经烘干，退火形成带硼掺杂的局部背场，再经沉积背表面钝化膜，印刷银浆，最后快速烧结使得背面电极银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触。
一种利用型硅球作为制备局部方法

[发明专利]选择性发射极的制备方法及太阳能电池的制备方法-CN202010953809.1在审
发明人：李得银;张敏;常纪鹏;王冬冬;杨超;陶延宏;马岩青;石慧君;陈丹 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极的制备方法，包括：S01、对制绒后的N型硅片的正面进行硼扩散；S02、去除硼硅玻璃；S03、在硅片正面丝网印刷纳米硼浆，并烘干；S04、利用皮秒激光进行纳米硼浆推进，在硅片的电极区域形成选择性重掺杂；S05、去除残留的纳米硼浆。本发明采用丝网印刷纳米硼浆，并借助皮秒激光掺杂设备实现硅片的电极区域的纳米硼浆的激光推进，可以选用能量较低的皮秒激光进行推进，减少了激光推进对硅基体的损伤，也方便更好的控制推进程度，使硅片与电极接触区域达到预期的方阻值并且，纳米硼浆通过激光熔覆后更容易同基体材料形成良好的冶金结合。
选择性发射极制备方法太阳能电池

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