专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]减薄砂轮及所用的砂轮齿-CN201921682316.8有效
  • 林东;张天龙 - 秦皇岛道天精密磨具有限公司
  • 2019-10-10 - 2020-07-14 - B24D7/06
  • 本实用新型针对现有技术中,采用常规减薄砂轮在进行LED芯片减薄加工时,轮齿与芯片表面完全接触,磨削负载大,散热不理想的问题,提供一种减薄砂轮及所用的砂轮齿,砂轮齿本体设置成列的,两相邻列的交错设置,当为圆孔时,同列中两纵向相邻的间距D小于另外一列中位于所述两相邻间的的直径与相邻的两的半径和;当为非圆形时,同列中两纵向相邻的间距D小于另外一列中位于两相邻间的的高度与相邻的两的高度之和的二分之一,当磨削面磨至处时,可在处形成豁口,豁口相互交错,不仅可以减小砂轮齿的磨削载荷,同时可以起到良好的散热功效。
  • 砂轮所用
  • [发明专利]形成方法-CN200710094495.9有效
  • 陈国海;苏娜;聂佳相 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-12-13 - 2009-06-17 - H01L21/768
  • 一种形成方法,包括:在半导体基底上形成介质层;图形化所述介质层,以形成接触;形成覆盖所述接触的粘接金属层和第一合金层;在所述第一合金层上形成第二合金层,所述第二合金层中的碳、氧含量高于所述第一合金层中的碳、氧含量;形成覆盖所述第二合金层并填充所述接触的连接金属层,形成。可减小形成的中产生孔洞的可能性。还提供了一种,形成所述时可减小产生孔洞的可能性。
  • 形成方法
  • [发明专利]电连接器及其制造方法-CN201510301712.1有效
  • 张剑利;郭敬杰 - 富士康(昆山)电脑接插件有限公司;鸿腾精密科技股份有限公司
  • 2015-06-05 - 2018-08-10 - H01R13/52
  • 本发明提供一种电连接器,包括绝缘本体、若干导电端子、金属加强件及遮蔽壳体,绝缘本体包括主体部及设有端子槽的舌板,若干导电端子包括至少一个基本端子及与该基本端子相邻相邻端子,基本端子的连接部包括弯折部,弯折部朝离开相邻端子的方向弯折以增大基本端子与相邻端子之间的间隔空间,舌板形成有开,开包括若干,若干与间隔空间对应设置并和与其相邻的两个端子槽相连通。若干与间隔空间相对应并与相邻两个端子槽相连通以便去除暴露于所述中的料带;上下贯穿舌板,令从中去除的料带从中掉落。
  • 连接器及其制造方法
  • [发明专利]填充结构以及填充方法-CN201310524371.5在审
  • 康晓春 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-10-29 - 2015-04-29 - H01L23/532
  • 本发明揭示了一种填充结构,包括:半导体基底,所述半导体基底中具有;钨层,所述钨层位于所述半导体基底上,并覆盖所述;阻挡层,所述阻挡层位于所述钨层上,并覆盖所述;金属层,所述金属层位于所述阻挡层上,并填充所述。本发明还提供一种填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强,在所述钨层上制备所述阻挡层时,较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述,并且所述阻挡层的厚度均匀;当在所述阻挡层上再制备金属层时,所述金属层能很好的填充到所述中;另外,所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力,并且所述阻挡层较薄,有利于提高的导电能力。
  • 填充结构以及方法
  • [发明专利]填充方法及填充装置-CN202210319015.9在审
  • 陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 - 华中科技大学
  • 2022-03-29 - 2022-07-12 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种填充方法及填充装置,该填充方法包括以下步骤:在基体上刻蚀的底壁为第一表面,的侧壁为第二表面;使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层;使用CVD工艺将第二前驱体导向所述内以形成第二填充层。上述填充方法中,采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充,能同时兼顾填充质量和填充效率,能更好地满足尤其是高深宽比的的填充需要。
  • 填充方法装置
  • [发明专利]用治具及方法-CN202211261403.2在审
  • 陆贤文;王奕恒;濮威 - 常熟市华德粉末冶金有限公司
  • 2022-10-14 - 2022-12-27 - B23P9/02
  • 本发明公开了用治具及方法,用治具包括基座,基座内具有放置,放置由弹簧、支撑块和锁紧块构成,支撑块为圆柱形,锁紧块为上大下小的圆台形,锁紧块、支撑块和弹簧上下分布;弹簧内安装有弹簧,支撑块内安装有支撑块,支撑块为圆柱形,支撑块中部具有芯棒避让,支撑块放置在弹簧上;锁紧块为与锁紧块对应的圆台形,锁紧块中部具有挤压,锁紧块由多块构成;时,将粉末冶金产品的颈部外径通过挤压锁紧,在时锁紧块沿锁紧块内壁的斜度向下滑动,锁紧块的多块拼合时受基座内壁约束挤压将颈部完全锁紧,保证在处理时颈部不会因为时向外的力而扩大。
  • 通孔用治具方法
  • [发明专利]刻蚀方法及掩膜-CN200710040254.6有效
  • 刘乒;沈满华;尹晓明 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-24 - 2008-10-29 - H01L21/311
  • 一种刻蚀方法,包括:提供刻蚀基底;在所述刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层,所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述刻蚀基底;沉积辅助掩膜层,所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述刻蚀基底;刻蚀所述辅助掩膜层,以形成包含辅助掩膜的掩膜;利用所述掩膜刻蚀所述刻蚀基底,以形成。一种掩膜,包括:具有确定图形的抗蚀剂层,所述具有确定图形的抗蚀剂层暴露部分刻蚀基底;以及,辅助掩膜,所述辅助掩膜覆盖所述具有确定图形的抗蚀剂层的侧壁。在固有掩膜基础上,增加一辅助掩膜,以减小固有条件下掩膜的图形尺寸,利于利用所述掩膜形成具有扩展的尺寸极限的
  • 刻蚀方法通孔掩膜
  • [发明专利]针对的光学临近修正方法-CN201410110058.1在审
  • 王丹;于世瑞;张瑜;毛智彪 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-03-24 - 2014-06-18 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种针对的光学临近修正方法,包括:在对执行光学临近修正之前,判断特定分别与其四个侧边处的四个相邻的电位关系,所述电位关系包括同电位关系和非同电位关系;对于所述特定与所述特定侧边处的相邻处于同电位关系,使得特定相应的侧边增加一个同电位补值;对于所述特定与所述特定侧边处的相邻处于非同电位关系,使得特定相应的侧边增加一个非同电位补值;对经过特殊处理的执行光学临近修正。
  • 针对光学临近修正方法

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