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[发明专利]PMOS器件应力层结构及其形成方法-CN201810394662.X在审
发明人：罗康;汪军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS器件应力层结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，浅沟槽隔离结构和栅极结构，栅极结构间隔设置于半导体衬底上；在半导体衬底中形成沟槽，沟槽包括第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽形成于相邻栅极结构之间，第二沟槽形成于栅极结构与浅沟槽隔离结构之间；利用第一工艺在沟槽内形成应力层；当形成于第二沟槽的应力层生长到应力层所用材料的某一晶面时，对沟槽内的应力层进行热处理；和利用第二工艺在沟槽内继续形成应力层。
应力层栅极结构衬底浅沟槽隔离结构半导体应力层结构沟槽形成相邻栅极结构半导体器件热处理间隔设置体积差晶面生长

[发明专利]一种沟槽栅IGBT及其制作方法-CN201710667268.4有效
发明人：肖婷;何昌;史波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本发明提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
一种沟槽 igbt 及其制作方法

[实用新型]一种沟槽栅IGBT-CN201720982042.9有效
发明人：肖婷;何昌;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽栅IGBT，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本实用新型提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
一种沟槽 igbt

[发明专利]具有镶嵌位线的半导体器件及其制造方法-CN201210115760.8有效
发明人：廉胜振;郭鲁正;朴昌宪;黄善焕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一导电图案，所述第一导电图案彼此相邻，并由包括第一沟槽和第二沟槽的沟槽隔离；第二导电图案，所述第二导电图案形成在所述第一沟槽中；以及绝缘图案，所述绝缘图案部分地填充所述第二导电图案之下的所述第二沟槽，并形成在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间。
具有镶嵌半导体器件及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201610079722.X有效
发明人：张海洋;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；刻蚀部分厚度的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽的两侧侧壁形成有对应的若干沟槽凹陷对，相邻的沟槽之间的半导体衬底作为鳍部，所述沟槽凹陷对的区域形成鳍部凸起对
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]挥发性存储器结构及其形成方法-CN200410084919.X无效
发明人：洪金龙;张宏隆;李岳川 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-10 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种形成挥发性存储器结构的方法，包括下列步骤：首先，提供具有一对相邻的沟槽基底，并且每一沟槽的下半部形成有一埋入式沟槽电容。接下来，形成具有高部及低部的项圈绝缘层于每一沟槽的上半部侧壁，其中高部大体设置于每一沟槽邻近预定形成有源区的侧壁上。本发明还涉及挥发性存储器结构。
挥发性存储器结构及其形成方法

[发明专利]用于制造薄膜太阳能电池装置的方法及薄膜太阳能电池装置-CN201580074403.3有效
发明人：约翰·博斯曼;崔斯特瑞姆·布德尔 -专利权人：荷兰能源研究中心基金会
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：第一沟槽(10A)和在第一侧与第一沟槽平行的第二沟槽(11A)分离第一太阳能电池和相邻的第二太阳能电池。使用绝缘材料填充第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽延伸至基底。第二沟槽延伸至顶电极下面的光伏活性层中。延伸至底电极的第三沟槽位于第一沟槽与第二沟槽之间。延伸至顶电极的第四沟槽位于第一沟槽的第二侧处。使用导电材料填充第三沟槽和第四沟槽。导电桥接件(16)横跨第一沟槽连接第三沟槽和第四沟槽。
用于制造薄膜太阳能电池装置方法

[发明专利]一种陶瓷介质填充拓扑结构-CN202111523771.5在审
发明人：李龙章;杨佳卓 -专利权人：广东通宇通讯股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷介质填充拓扑结构，包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽，通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量，而且，连通沟槽为灵活分布，可以实现多种腔与腔之间的耦合效果，从而实现左右传输零点不对称的滤波器。
一种陶瓷介质填充拓扑结构

[发明专利]功率集成器件、包括其的电子器件及电子系统-CN201510115565.9有效
发明人：朴柱元;李相贤 -专利权人：爱思开海力士系统集成电路有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率集成器件包括：漂移区，其设置在衬底中；源极区，其设置在衬底中与漂移区间隔开；漏极区，其设置在漂移区中；栅绝缘层和栅电极，其顺序地层叠在源极区与漂移区之间的衬底上；沟槽隔离层，其设置在与漏极区的一侧相邻的漂移区中；以及深沟槽场绝缘层，其设置在与漏极区的另一侧相邻的漂移区中，其中深沟槽场绝缘层的垂直高度大于深沟槽场绝缘层的宽度。
功率集成器件包括电子器件电子系统

[实用新型]一种陶瓷介质填充拓扑结构-CN202123130331.1有效
发明人：李龙章;杨佳卓 -专利权人：广东通宇通讯股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种陶瓷介质填充拓扑结构，包括陶瓷介质块和谐振腔组，陶瓷介质块上设置所述谐振腔组，所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔，单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽，任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽，通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量，而且，连通沟槽为灵活分布，可以实现多种腔与腔之间的耦合效果，从而实现左右传输零点不对称的滤波器。
一种陶瓷介质填充拓扑结构

[实用新型]一种冷凝换热管-CN202223057457.5有效
发明人：魏目青;方金艳;马涛;于志强;张会明;王红新;姜华夏 -专利权人：烟台海卓新材料科技有限公司;烟台冰轮数字科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： F28F1/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种冷凝换热管，包括换热管基体（1），还包括固定于换热管基体（1）外表面的若干棱锥状凸起（2）；相邻两排棱锥状凸起之间具有一条排液沟槽（3）；所述排液沟槽（3）的内壁涂有一侧疏水涂层（4）。本实用新型相邻两条排液沟槽间具有一排棱锥状凸起，棱锥状凸起为亲水区域，并具有尖锐角或边，能够更有效地降低液膜厚度。排液沟槽涂有超疏水涂层，使凝结液体向棱锥根部快速汇聚并不间断地流走，进一步提高了换热效率。
一种冷凝热管

[发明专利]一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件-CN200910215280.7有效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型功率MOS器件，尤其是一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件。在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区包括若干并联的元胞，并位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构，所述元胞区内元胞通过位于沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区采用沟槽结构，所述沟槽结构包括至少两个分压沟槽，相邻两个分压沟槽间设有欧姆接触孔，使相邻两个分压沟槽间的第二导电类型层具有与源极相等的电势本发明分压保护区能够平均分配电场，可以缩小保护区的尺寸，从而减小管芯面积，降低成本，与现有沟槽型功率MOS工艺兼容，制造方便。
一种具有改进型终端保护结构沟槽功率 mos 器件

[实用新型]一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件-CN200920353216.0无效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽型功率MOS器件，尤其是一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件。在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区包括若干并联的元胞，并位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构，所述元胞区内元胞通过位于沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区采用沟槽结构，所述沟槽结构包括至少两个分压沟槽，相邻两个分压沟槽间设有欧姆接触孔，使相邻两个分压沟槽间的第二导电类型层具有与源极相等的电势本实用新型分压保护区能够平均分配电场，可以缩小保护区的尺寸，从而减小管芯面积，降低成本，与现有沟槽型功率MOS工艺兼容，制造方便。
一种具有改进型终端保护结构沟槽功率 mos 器件

[发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN201710470897.8在审
发明人：单亚东;谢刚;张伟;李一枝 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及制造方法，用以解决现有沟槽栅肖特基二极管可靠性低的问题。所述半导体器件包括具有P型埋层的N型漂移区和沟槽结构；所述沟槽结构设置在所述N型漂移区的端部；所述P型埋层位于任意相邻两个沟槽之间。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法-CN202110776208.2在审
发明人：乔梦竹 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在解决浅沟槽隔离结构附近的漏电流的问题。该浅沟槽隔离结构包括衬底、第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层。衬底包括第一沟槽，第一隔离层位于第一沟槽中，且第一隔离层中具有第二沟槽；第二隔离层位于第二沟槽中，且第二隔离层中具有第三沟槽；第三隔离层填充第三沟槽；第二沟槽为V型槽，第二隔离层的底表面为与第二沟槽的形状相适配的本发明能够有效减小相邻的源/漏区在浅沟槽隔离结构处的漏电流，从而提高浅沟槽隔离结构的隔离效果。
沟槽隔离结构及其制备方法