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[实用新型]相变存储器、电子系统和电压调节器-CN202021363430.7有效
发明人： M·拉帕拉卡;F·E·C·迪塞格尼;F·戈勒尔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器、电子系统和电压调节器。公开了电压调节器和相变存储器。在一个实施例中，相变存储器包括：多个相变存储器单元的阵列；地址解码器，其被配置用于接收地址信号并选择多个存储器单元的阵列中的子区域，所选择的子区域具有给定数目的比特的数据信号和包括控制电路的写入电路，控制电路被配置用于接收数据信号并且针对所选择的子区域中的每个存储器单元，确定数据信号的相应比特是否指示存储器单元将从非晶态进入多晶态；以及一个或多个驱动电路，其经由经调节的电压供电，并且被配置用于向待从非晶态改变为多晶态的存储器单元施加置位电流达第一间隔。
相变存储器电子系统电压调节器

[发明专利]一种相变存储器读出电路及方法-CN201610242426.7有效
发明人：雷宇;陈后鹏;李喜;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器读出电路及方法，包括存储数据的目标相变存储单元阵列；非晶态参考相变存储单元列；晶态参考相变存储单元列；以及灵敏放大器。初始阶段，将非晶态参考相变存储单元置为非晶态，将晶态参考相变存储单元列置为晶态；选中一个目标相变存储单元、一个非晶态相变存储单元以及一个晶态相变存储单元，其信号输出至灵敏放大器；灵敏放大器以非晶态相变存储单元和晶态相变存储单元的读电流为基准产生参考电流，将目标相变存储单元的读电流和参考电流进行比较，以产生目标相变存储单元的读出电压信号。本发明的相变存储器读出电路及方法具有读取时间短，对工艺变化适应性强和误读取少等优点，有效改善了相变存储器读出电路的性能。
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法-CN200610141578.4有效
发明人：卢振瑞;朴泰相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上。
利用致电效应相变存储器及其制造操作方法

[发明专利]具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法-CN201510333524.7有效
发明人：刘峻;迈克·瓦奥莱特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法。本发明提供一种具有多个电阻状态的相变存储器结构及其形成、编程和感测方法。所述存储器结构包含提供于电极之间的两个或两个以上相变元件。每一相变元件具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于其它相变元件的所述电阻曲线而移位。在使用两个相变元件的一个实例结构中，所述存储器结构能够在四个电阻状态之间切换。
具有电阻状态相变存储器结构及其编程方法

[发明专利]具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品-CN200710160199.4有效
发明人：安亨根;堀井秀树;辛宗璨;安东浩;裴晙洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。
具有相邻单元之间共用相变材料图案存储器件包括存储器电子产品

[发明专利]In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法-CN201910828790.5有效
发明人：徐明;徐萌;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为Inx本发明的In‑Sn‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的In‑Sn‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有更好的热稳定性、低相变密度变化、高阻值，可有效降低相变材料的工作功耗，提升信息数据存储的稳定性和准确性，避免相变存储器进行数据存储时相变材料与电极的脱离，确保信息存储稳定、准确的同时，延长了相变存储器的使用寿命，提升了相变存储器的使用经济性。
in sn sb 相变材料存储器制备方法

[发明专利]一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法-CN201711184979.2有效
发明人：王本艳;景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法，采用超导材料铌作为电极材料制备相变存储器。本发明的技术方案，使得电极材料层、加热电极层、第一电极以及第二电极均采用超导材料制备，使得相变存储器的电极材料在临界温度时电极材料可以实现无损耗地传输电能，减小相变存储器的工作电流，进而有效降低相变材料的低阻态阻值，加大高低阻态的的差异，使相变材料在非晶态和晶态的变化更为显著，提高了存储效率。
一种 d1r 超导电极材料结构相变存储器制备方法

[发明专利]用于相变存储器的相变材料-CN201110306813.X有效
发明人：任堃;饶峰;宋志棠;彭程;宋宏甲;刘波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。
用于相变存储器材料

[发明专利]一种纳米相变存储器器件单元的制备方法-CN200410053564.8有效
发明人：刘波;宋志棠;封松林;陈鲍明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
一种纳米相变存储器器件单元制备方法

[发明专利]具有供电电压调节电路的相变存储器-CN202010668494.6在审
发明人： M·拉帕拉卡;F·E·C·迪塞格尼;F·戈勒尔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有供电电压调节电路的相变存储器。公开了电压调节器和相变存储器。在一个实施例中，相变存储器包括：多个相变存储器单元的阵列；地址解码器，其被配置用于接收地址信号并选择多个存储器单元的阵列中的子区域，所选择的子区域具有给定数目的比特的数据信号和包括控制电路的写入电路，控制电路被配置用于接收数据信号并且针对所选择的子区域中的每个存储器单元，确定数据信号的相应比特是否指示存储器单元将从非晶态进入多晶态；以及一个或多个驱动电路，其经由经调节的电压供电，并且被配置用于向待从非晶态改变为多晶态的存储器单元施加置位电流达第一间隔。
具有供电电压调节电路相变存储器

[发明专利]相变存储器驱动电路及方法-CN201310174829.9有效
发明人：程国胜;王龙;孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路，包括普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器将普通脉冲源产生的脉冲整形成皮秒级的置位本发明实施例的相变存储器驱动电路及方法通过阶跃恢复二极管构成的皮秒脉冲发生器输出皮秒级的置位或复位电流脉冲，在不耗费芯片面积的前提下，大幅度提升相变存储器的相变速度，使相变速度达到皮秒量级，大幅降低整个器件的功耗
相变存储器驱动电路方法

[实用新型]相变存储器单元和存储器装置-CN202120334186.X有效
发明人： P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器单元和存储器装置。所提供的是相变存储器单元。在至少一个实施例中，相变存储器单元包括加热器和堆叠。电阻层位于加热器和堆叠之间。
相变存储器单元装置

[发明专利]相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法-CN200610172989.X无效
发明人：吴泂录;朴茂熙;金杜应 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
相变随机存取存储器控制读取操作方法

[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法-CN202011159709.8有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制作方法，所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储阵列以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直；所述相变存储阵列包括：多个并列设置的相变存储单元；所述相变存储单元包括：由下至上依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层、第三电极层和导电的停止层；其中，所述相变存储单元垂直于所述第一导电线及所述第二导电线
相变存储器制作方法

[发明专利]相变存储器件及其制造方法-CN200910132603.6无效
发明人：郑镇基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及相变存储器及其制造方法。一种相变存储器件包括下部电极以及共用所述下部电极的至少两个相变存储单元。另一种相变存储器件包括加热层，所述加热层具有较小的与相变材料层的接触面积以及较大的与PN二极管结构的接触面积。
相变存储器件及其制造方法

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