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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有BJT技术中的选择器的相变存储器及其差分读取方法-CN201811082477.3有效
发明人： A·康特 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及具有BJT技术中的选择器的相变存储器及其差分读取方法。相变存储器设备包括存储器阵列，存储器阵列包括第一存储器单元和第二存储器单元，每个存储器单元包括相变元件和选择器，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一本地位线和第二本地位线，第一本地位线和第二本地位线又分别连接到第一主位线和第二主位线当本地位线被选择为访问存储在相变元件中的相应的逻辑数据时，本地位线的寄生电容首先使用先前存储在主位线的寄生电容中的电荷来进行充电，并且然后通过相应的相变元件来进行放电。
具有 bjt 技术中的选择器相变存储器及其读取方法

[发明专利]一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法-CN201610118179.X在审
发明人：霍如如;蔡道林;陈一峰;魏宏阳;方红波;卢瑶瑶;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监控所述相变存储单元阵列写操作和擦操作的操作次数，根据所述操作次数和相变存储单元阵列的高低阻识别窗口的关系，调整所述写操作和擦操作电流信号。所述相变存储器还包括行译码器、列译码器和读电路模块。本发明通过增加操作次数比较器，监测存储单元的操作条件，实时动态调整操作电流的幅值以及持续时间，从而有效的提高相变存储器的疲劳操作寿命。
一种相变存储器提高疲劳寿命操作方法

[发明专利]一种基于相变存储器的资格迹计算器-CN202111141322.4在审
发明人：杨玉超;路英明 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变存储器的资格迹计算器，包括相变存储器阵列和结果转换器两部分。利用相变存储器的多值特性，将资格迹数据以电导的形式存储在存储器单元中，与传统的二值存储方式相比能够有效降低存储器单元的数量，实现高密度存储；利用相变存储器的电导漂移效应自发地实现随时间的衰减运算，无需使用其他运算电路，有效降低了运算的硬件开销；而且资格迹数据的存储和衰减运算都在相变存储器内部进行，避免了因频繁搬运数据产生的巨大能量消耗。此外，通过调节结果转换器中的参数，资格迹的衰减速度能够被灵活调整，从而适用于不同需求的强化学习任务。本发明还能够突破传统计算架构中存储墙的限制，促进强化学习的进一步发展。
一种基于相变存储器资格计算器

[发明专利]混合主存储器实现节能存储的方法-CN201010509810.1无效
发明人：陈天洲;乐金明;马建良;乔福明;虞保忠 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合主存储器实现节能存储的方法，它包括如下步骤：构造以相变存储器为主、动态随机存储器为缓冲存储器的混合主存储器，并设计适应该主存储器结构的读写策略，并根据该读写策略对磁盘和相变存储器中的数据进行读写本发明是对原来的主存储器结构做出改进，充分利用相变存储器大容量、低功耗的优点以及动态随机存储器低时延的特点，使得混合主存储器在不增加功耗和时延的前提下获得更大的容量，从而减少对磁盘的访问次数，实现存储方面的节能
混合主存储器实现节能存储方法

[发明专利]相变存储器检测结构及其制备方法-CN201510626675.1有效
发明人：高丹;刘波;宋志棠;詹奕鹏 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。
相变存储器检测结构及其制备方法

[发明专利]相变化存储器及其读取方法-CN201310581610.0有效
发明人：王典彦;洪俊雄;陈嘉荣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储器及其读取方法，该相变化存储器包括一相变化存储单元；一参考电路，产生一参考电压与一钳位电压；以及一电流供应电路，接收该钳位电压以形成一单元电流流经该相变化存储单元以形成一单元电压，该单元电压用以配合该参考电压来判断该相变化存储器的储存信息。
相变存储器及其读取方法

[发明专利]一种三维相变存储器结构及制造方法-CN201510786318.1在审
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维相变存储器结构以及制造方法，其中所述的相变存储器单元采用MOS管作为选通管，其特征在于所述三维相变单元沟道垂直，可以实现相变存储器多层堆叠，32～96层堆叠，实现高集成密度，大容量存储本发明中相变材料为锑系材料，锑中掺杂硅、铝、钨、钛、镍等，锑系材料可以通过化学气相沉积的方式沉积，以实现相变存储器的多层堆叠。其中所述相变材料如Si_xSb，掺杂硅含量的不同可以改变材料的性能，可以通过控制掺杂含量，以实现高速读写。
一种三维相变存储器结构制造方法

[发明专利]多端子相变存储器器件-CN202180018252.5在审
发明人： T·M·飞利浦;L·克莱文杰;K·布鲁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种相变存储器器件。该相变存储器器件包括在电绝缘壁内的相变存储器材料、在该电绝缘壁中的第一加热器端子、以及在该电绝缘壁中的两个读取端子。
多端相变存储器器件

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN201210053872.5有效
发明人：李莹;吴关平;王蕾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：衬底，位于衬底上的存储单元阵列和电路单元，所述电路单元位于所述存储单元阵列周围，所述相变存储器还包括位于所述存储单元阵列和所述电路单元之间的、围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构所述相变存储器的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上的存储单元区域形成存储单元阵列；在衬底上形成围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构；在衬底上沟槽隔离结构的周围区域形成电路单元。所述沟槽隔离结构可以使所述存储单元阵列和所述电路单元之间绝缘，可以减小存储单元阵列和电路单元之间的寄生二极管，以提高相变存储器的性能。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]中央处理器的制造方法、中央处理器及其控制方法-CN202110124866.3有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)的制造方法、CPU及其控制方法。其中，CPU包括：选通层选通层至少一个内核；与所述内核信号连接的N级缓存器；其中，所述N等于三或四；所述N级缓存器中的第N级缓存器包括三维相变存储器；所述三维相变存储器包括多个存储单元；所述存储单元包括：依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层和第三电极层；通过所述相变存储器层的晶态与非晶态之间的切换实现数据的存储；通过所述选通层的导通实现电极对所述相变存储器元件的加热或淬火，以实现所述相变存储器层的晶态与非晶态之间的切换
中央处理器制造方法及其控制

[发明专利]相变存储器及其形成方法-CN201110297157.1有效
发明人：朱南飞;吴关平;任佳栋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其形成方法，本发明所提供的相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离介质层，以及贯穿所述隔离介质层的导电插塞；形成与所述导电插塞电连接的底部电极；在所述底部电极的表面形成与所述底部电极交叉的相变层通过本发明所提供的相变存储器形成方法，可以减小相变存储器的底部电极和相变层的接触面积，从而提高驱动电流。
相变存储器及其形成方法

[发明专利]相变存储器的制作方法-CN201210492217.X有效
发明人：李莹;朱南飞;吴关平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相变存储器区和外围电路区，所述外围电路区的半导体衬底上具有外围电路晶体管的栅极；形成相变存储器的底部电极的下电极部和外围电路晶体管的第一接触孔；形成所述相变存储器的底部电极的上电极部和外围电路晶体管的第二接触孔，所述上电极部位于所述下电极部上并互相连通，所述第二接触孔位于所述第一接触孔上并互相连通，所述上电极部的径宽小于所述下电极部的径宽；形成所述相变存储器的相变层；形成连接所述第二接触孔的沟槽和部分暴露所述相变层的通孔。这样的相变存储器的制作方法能确保第二接触孔中填充的导电材料不会出现填充空洞，保证了器件的有效工作。
相变存储器制作方法

[发明专利]一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法-CN201810736771.5在审
发明人：吴良才;刘广宇;宋志棠;李涛;石建军;封松林 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述材料为Ge‑Sb‑Te/Sb‑Te或Ge‑Te/Sb‑Te；其中Sb‑Te的化学通式为Sb_xTe_{100‑x相变存储器单元，结构包括下电极层、上电极层及位于之间的相变材料层，相变材料层为双层相变材料Ge‑Sb‑Te/Sb‑Te或Ge‑Te/Sb‑Te。双层相变材料作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的可靠性得到了提高。}
相变材料相变存储器单元相变材料层制备相变存储单元相变存储器写操作电流存储介质化学通式下电极层电极层

[发明专利]适于高温操作的相变存储器器件-CN201080050550.4无效
发明人： M·J·布莱特韦斯;C·H·拉姆;B·拉简德兰;S·劳克斯;A·G·施罗特;D·科雷布斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，与底部电极分开；以及生长主导型相变材料，沉积于底部电极和顶部电极之间并且接触底部电极和顶部电极并且在其侧壁处由绝缘材料包围。重置状态的相变存储器单元仅包括在相变存储器单元的有效体积内的生长主导型相变材料的非晶相。
适于高温操作相变存储器器件

[发明专利]用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料-CN201210335059.7无效
发明人：任堃;饶峰;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，所述Al-Ge-Te相变材料的化学通式为Al100-x-yGexTey，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。Al-Ge-Te相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Ge-Te相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Ge-Te基相变存储器在循环擦写103次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。
用于相变存储器 al ge te 材料

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