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[发明专利]相变存储器以及相变存储器的制造方法-CN202011444850.2有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种相变存储器以及相变存储器的制造方法，相变存储器包括第一导电线、第二导电线以及相变存储单元，第一导电线沿第一方向延伸，第二导电线沿第二方向延伸，相变存储单元垂直设置于第二导电线和第一导电线之间，相变存储单元包括沿第三方向叠置的选通元件以及相变元件，其中，第一方向、第二方向以及第三方向相互垂直；相变元件包括相变部以及侧墙，相变部的沿第一方向或第二方向的至少一个侧面设有侧墙，相变部在第一方向或第二方向上的尺寸小于选通元件在对应方向上的尺寸，本申请实施例提供的相变存储器的相变部的有效截面积较小，因此，相变存储器具有较小的编程电流，较小的功耗。
相变存储器以及制造方法

[发明专利]相变存储器单元-CN202110162040.6在审
发明人： P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器单元。所提供的是相变存储器单元以及制造和操作相变存储器单元的方法。在至少一个实施例中，相变存储器单元包括加热器和堆叠。电阻层位于加热器和堆叠之间。
相变存储器单元

[发明专利]基于纳米液态金属颗粒的相变存储单元及该单元构成的存储器-CN201711034823.6有效
发明人：国瑞;刘静 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于纳米液态金属颗粒的相变存储单元及该单元构成的存储器，相变存储单元包括加热电极、相变材料层和顶电极等部分，使用聚合物薄膜或者微流道构建出特定形状的相变材料层，采用电极或者激光的方式对相变材料层进行加热，并且与半导体元件连接可构建相变存储器阵列。本发明相变存储器具有相变速度快、结晶温度低等优点。
基于纳米液态金属颗粒相变存储单元构成存储器

[发明专利]一种低功耗相变存储器及其写操作方法-CN201010191266.0无效
发明人：王彬 -专利权人：王彬
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种低功耗相变存储器及其写操作方法，属于相变存储器技术领域。本发明提供的相变存储器包括相变存储单元阵列、列译码器、行译码器，写驱动模块、读电路模块、锁存器和比较电路模块，比较电路模块用于控制写驱动信号是否输入至列译码器，输入列地址至列译码器实现相变存储单元阵列的列选中，输入行地址至行译码器实现相变存储单元阵列的行选中，读电路模块的读出的数据信号通过锁存器存储并输入至比较电路模块，写数据信号同时输入至写驱动模块和比较电路模块。该相变存储器具有功耗相对较低的特点。
一种功耗相变存储器及其操作方法

[发明专利]相变存储器结构及方法-CN201180045055.9有效
发明人：刘峻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本文中描述与相变存储器结构相关联的方法、装置及系统。一种形成相变存储器结构的方法包含：在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；形成与所述第一导电元件自对准的加热器；在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。
相变存储器结构方法

[发明专利]二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法-CN201910818242.4在审
发明人：程晓敏;冯金龙;吴文豪;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，属于微电子器件及存储器技术领域；该超晶格相变薄膜包括相变材料层和导电二维材料层；所述相变材料层、导电二维材料层交替堆叠形成周期性结构，该导电二维材料层的原子间距小于相变材料层且其机械强度大于相变材料层；具有较小原子间距的导电二维材料可以阻止相变材料层的原子迁移，减少超晶格相变存储材料在循环擦写过程中由原子迁移造成的器件失效，增强其循环擦写的稳定性；将该超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增强超晶格相变存储器件的循环擦写稳定性，增加其使用寿命，进一步提升相变存储器的电学性能。
相变材料层二维材料超晶格导电相变存储器相变薄膜擦写原子迁移存储器技术领域相变存储材料相变存储器件微电子器件周期性结构电学性能交替堆叠器件失效使用寿命小原子制备改良应用

[发明专利]相变随机存储器及其制造方法-CN200610142347.5无效
发明人：卢振瑞;金基俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了具有改进的结构以改善相变材料层的附着的相变存储器，以及该存储器的制造方法。该相变存储器包括开关装置以及连接到该开关装置的存储节点，该存储节点包括底部电极、顶部电极、夹置在该底部电极和该顶部电极之间的相变材料层、以及夹置在该底部电极和该相变材料层之间的附着界面层。
相变随机存储器及其制造方法

[发明专利]一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法-CN202210551303.7在审
发明人：周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
一种界面相变存储材料存储器及其制备方法

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN202110350652.8有效
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;付志成;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和选通层；阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。
相变存储器及其制作方法

[发明专利]高速互补单元相变存储器-CN200810040951.6无效
发明人：宋志棠;富聪;陈邦明;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高速互补单元相变存储器，所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。本发明的高速互补单元相变存储器可以加快存储器读出速度，增加读出裕量，并且减小读电流或电压的累积效应以及工艺，版图布局对相变存储器的影响。同时，还可以减小多次读操作或写操作后，相变单元上电阻的改变对正确读出存储数据的影响。
高速互补单元相变存储器

[发明专利]相变化存储器写入的驱动方法与系统-CN200710086370.1无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;王文翰 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器写入的驱动方法，包括计数一相变化存储器的一存取次数以及当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。
相变存储器写入驱动方法系统

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN202180091680.0在审
发明人：周雪;秦青;焦慧芳 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种相变存储器及其制造方法。相变存储器(PCM)可以包括多个相变存储单元，每一个相变存储单元包括上电极、下电极以及位于上电极和下电极之间的两个相变层。上电极的截面面积小于下电极的截面面积。靠近上电极的相变层的熔融温度低于靠近下电极的相变层的熔融温度，并且靠近上电极的相变层的截面面积小于或等于靠近下电极的相变层的截面面积。这种相变存储器可以加速结晶过程，提高相变速度，加速写入操作。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]相变存储器装置-CN200810096348.X无效
发明人：中井洁 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供一种相变存储器装置，能不需进行核实动作，使电路构成、写入次序变简单，并且，能在以前的1位的存储器单元区域中写入2位。具有使用相变膜作为存储元件的存储器单元的相变存储器装置具有：形成于所述相变膜的一个面侧的第1相变区域；和在所述相变膜的其他面侧上与所述第1相变区域相对应的位置形成的第2相变区域，利用在所述第1相变区域及所述第2相变区域中的、基于非晶化的高电阻状态和基于结晶化的电阻值比所述高电阻状态低的低电阻状态的组合，来存储2位数据。
相变存储器装置

[发明专利]一种相变存储器单元及相变存储器-CN202111480788.7在审
发明人：马平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请涉及相变存储器技术领域，公开了一种相变存储器单元及相变存储器。其中，相变存储器单元包括底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层；底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层从下至上依次层叠设置；加热电极结构包括第一加热电极和至少一个第二加热电极；其中，至少一个第二加热电极围绕第一加热电极设置基于上述技术方案，可以在第一加热电极外围形成次级加热中心，有效降低相变材料结构中的相变区域与其周围区域之间的温度梯度，能够有效避免相变区域与其周围区域的连接处发生分相而到导致擦除过程失效的情况发生，进而提高相变存储器的寿命
一种相变存储器单元

[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法-CN201110154094.4无效
发明人：林殷茵;田晓鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域
一种相变多层结构存储器及其制备方法