专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种智能直写-CN201711159904.9有效
  • 杨春燕;易锟;李文军 - 广东工业大学
  • 2017-11-20 - 2023-07-25 - G06F3/0354
  • 本发明公开了一种智能直写笔,包括笔帽、笔后端、笔芯、笔中端和笔前端。其中,智能直写笔微处理器用于处理中波长红外线接收器接收的中波长红外信号,在实现书写的同时,准确判断智能直写笔与笔帽的相对位置。智能直写笔中的第一中波长红外线发射器和第二中波长红外线发射器向外发射1.5‑5.6微米波长段的中波长红外线,中波长红外线对人体和眼睛安全无害;同时,该智能直写笔结构简单,携带、使用方便,自配可充电式电池,适用于初中及其以上人群在任意场合、任意环境下使用,另一方面,由于该智能直写笔在设计中充分结合了具体使用中的情况,使得书写本或纸张可以在不印刷格子情况下实现直写,使用方便,对人体无害且实用性强,适合大范围推广
  • 一种智能直写笔
  • [发明专利]一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法-CN202010614295.7在审
  • 顾晓文;郁鑫鑫;周建军;钱广 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 2020-06-30 - 2020-11-03 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种改善电子束直写曝光邻近效应的方法,包括如下步骤:对设计的初始版图进行处理,根据电子束曝光的剂量经验对同一步直写曝光的版图图层进行分层,相同剂量的列为一层,每个图形分割为3个图层,对于相邻的图形则分为两组单独的3个图层;在衬底材料上依次涂覆黏附剂、电子束光刻胶和导电胶;采用分层处理的版图进行电子束直写程序编制,并进行直写曝光;利用显影制备出电子束胶的掩膜图形,实现图形的精确加工。本发明采用简单布尔运算方法实现版图的分层处理,并采用不同的剂量进行电子束直写曝光,实现图形的精确加工;在涂胶上针对电子束工艺,增加一层导电胶,有效解决衬底材料的导电性差的问题,同时降低直写过程中的荷电效应
  • 一种改善电子束曝光邻近效应方法
  • [发明专利]一种直写笔和直写装置-CN201910257020.X在审
  • 尹涛;张金权 - 北京梦之墨科技有限公司
  • 2019-04-01 - 2020-10-13 - B22F3/00
  • 本发明公开了一种直写笔及直写装置,涉及打印设备技术领域。其中,直写装置包括直写笔,包括笔管、笔尖、以及笔管内部的、向笔管内部提供原料的供料管,供料管自笔管的上端延伸至笔管的内部,使供料管的下端口与笔管的内腔连通构成连通器;笔管设有测压气口;物料盒,用以存放原料,其上具有出料口和调节气口,其出料口与供料管的上端口连通;压力闭环控制系统,分别与测压气口和调节气口连通,维持直写笔的笔尖处恒定的出墨压力。本发明通过将直写笔的内部打造成连通器结构,然后配合压力闭环控制系统,将笔管内腔中的原料液面保持在恒定状态,从而维持笔尖处的出墨压力在稳定水平,解决了出墨效果不稳定的问题,提高了装置的可靠性和稳定性。
  • 一种直写笔装置
  • [发明专利]一种直写曝光光刻系统-CN202210340646.9在审
  • 柯华恒;黄燕燕;王笑冰;李洪江;梁德文 - 深圳市深大极光科技有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-07-22 - G03F7/20
  • 本申请提供的直写曝光光刻系统,包括:计算机、控制器、光源、光功率调制器、激光匀光准直器、第一偏振调制器、第一偏振分光镜、激光扩束器、第一反射镜、空间光调制器、第一中继透镜、第二偏振分光镜、第二偏振调制器、第二反射镜、第三偏振分光镜、第三偏振调制器及第四偏振调制器、运动轮盘、第一光刻聚焦物镜、第二光刻聚焦物镜、感光材料、多维运动台、第二中继透镜及CCD探测器,本申请提供的直写曝光光刻系统,综合高效率大幅面图形化投影直写与高分辨无缝激光束直写两种直写技术,将两种直写技术混合光刻可提高光刻效率和降低生产制造成本。
  • 一种曝光光刻系统
  • [发明专利]一种提高激光直写碳基超级电容器比电容的方法-CN202210798875.5在审
  • 王树同;黄斐;张弘 - 四川大学
  • 2022-07-08 - 2022-10-21 - H01G11/86
  • 本发明公开了一种提高激光直写碳基超级电容器比电容的方法,属于电容器技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤:(1)利用静电纺丝制备纤维膜;(2)利用真空高温热处理纤维膜;(3)利用激光直写诱导碳基纤维,其具有高导电性;以上激光直写碳基纤维材料作为电极,组装得到比电容提高的激光直写碳基电容器本发明通过对前驱体材料进行纺丝、预热以及激光直写,能够获得高导电性的碳基材料,同时纤维中的空隙有效提高了离子迁移率,以此能有效提高激光直写碳基电容器的比电容;同时本发明提供的方法克服了传统方法操作复杂、
  • 一种提高激光直写碳基超级电容器电容方法

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