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[发明专利]一种圆柱形锂电池-CN201110006070.4无效
发明人：高立军;廖详飞 -专利权人：苏州能斯特新能源有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆柱形锂电池，包括有圆柱形外壳，其特点是：圆柱形外壳的底部设有底部绝缘片，圆柱形外壳顶部设有构成正极端的盖帽；盖帽下设置有安全阀；安全阀下分布有顶部绝缘片。圆柱形外壳内部构成电池容纳空间，电池容纳空间内设置有芯轴，芯轴两侧均堆叠有蓄电层，蓄电层从外至内依序由隔膜层、负极层、隔膜层、正极层堆叠而成。蓄电层与绝缘片之间分布有负极极耳，蓄电层与盖帽之间分布有正极极耳，正极极耳上分布有断电防爆组件。这样，依托于硬碳层所构成负极层，与磷酸亚铁锂构成的正极层相配合，能够实现循环寿命长、比容量高。
一种圆柱形锂电池

[实用新型]圆柱形锂电池-CN201120008692.6无效
发明人：高立军;廖详飞 -专利权人：苏州能斯特新能源有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆柱形锂电池，包括有圆柱形外壳，其特点是：圆柱形外壳的底部设有底部绝缘片，圆柱形外壳顶部设有构成正极端的盖帽；盖帽下设置有安全阀；安全阀下分布有顶部绝缘片。圆柱形外壳内部构成电池容纳空间，电池容纳空间内设置有芯轴，芯轴两侧均堆叠有蓄电层，蓄电层从外至内依序由隔膜层、负极层、隔膜层、正极层堆叠而成。蓄电层与绝缘片之间分布有负极极耳，蓄电层与盖帽之间分布有正极极耳，正极极耳上分布有断电防爆组件。这样，依托于硬碳层所构成负极层，与磷酸亚铁锂构成的正极层相配合，能够实现循环寿命长、比容量高。
圆柱形锂电池

[实用新型]一种电镀后电池负极底盖质量检测板-CN201420329710.4有效
发明人：王卫东 -专利权人：上海金杨金属表面处理有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用型新涉及一种电镀后电池负极底盖质量检测板，其特征在于：包括一底板(1)以及与该底板一端边固定连接的薄型隔离层(3)，所述的底板(1)的一面涂覆由弱磁性涂料层(2)，由此构成附设有一层隔离层的磁性吸附板通过磁性层将检验完一面的负极底盖吸附在检测板底板上，通过翻转检测板，便可批量查验负极底盖的另一面，检验完成后，掀起剥离层，使得负极底盖远离磁性层，此时盖帽失去磁力吸引，纷纷从隔离层上落下。这种批量翻转、批量检验盖帽的方法无疑比逐一翻转，逐一检验盖帽的效率更高。
一种电镀电池负极质量检测

[发明专利]空穴型半导体异质结霍尔棒、其制备和使用方法及用途-CN201710498740.6有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N52/01 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入所述非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在所述绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。
空穴半导体异质结霍尔制备使用方法用途

[实用新型]空穴型半导体异质结霍尔棒-CN201720754071.X有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。
空穴半导体异质结霍尔

[实用新型]芪龙胶囊专用高效液相色谱流动相的瓶盖-CN201621042200.4有效
发明人：卞宪明;张秀清;周金梅 -专利权人：济宁华能制药厂有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B65D51/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了芪龙胶囊专用高效液相色谱流动相的瓶盖，包括盖身和盖帽，盖身外侧设置防滑条纹，内侧设置螺纹与瓶口配合，其特征在于所述盖帽设置上下两层，包括上盖帽和下盖帽，设置有位置和大小相同的小圆孔、大圆孔和矩形方孔，上盖帽下端设置有卡槽，本实用新型的有益效果是大圆孔可方便烧结不锈钢过滤器穿过，省去拔掉的过程，避免了产生交叉污染的危险以及漏气的产生；小圆孔供流路管线穿过，可依据流路管线的个数调节角度，调节两个小圆孔的位置，固定流路管线，防止灰尘落入或小虫爬入；卡槽与下盖帽边缘设置的凹槽相匹配，卡槽能够沿着凹槽转动。
胶囊专用高效色谱流动瓶盖

[实用新型]一种具有防爆盖帽的圆柱电池-CN201621376314.2有效
发明人：袁东 -专利权人：东山电池工业（中国）有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有防爆盖帽的圆柱电池，包括电池壳体、卷绕电芯与防爆盖帽，卷绕电芯设于电池壳体内，防爆盖帽安装在电池壳体上，防爆盖帽包括顶壳、热敏电阻、安全气片、绝缘垫圈、通气板与密封底壳，通气板、绝缘垫圈本实用新型的具有防爆盖帽的圆柱电池通过设置顶壳、热敏电阻、安全气片、绝缘垫圈、通气板与密封底壳的防爆盖帽，从而具有三层电池防爆的功能。
一种具有防爆盖帽圆柱电池

[实用新型]一种高可靠高稳定超声流量传感器-CN201721110449.9有效
发明人：柳智勇;范遥;高天鹤;毛晶;赵强 -专利权人：武汉海创电子股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G01F1/66 文献下载
摘要：它包括外壳，外壳上端面腔体与下端面腔体连接部位形成台阶，盖帽的帽边压在所述台阶上；压电陶瓷元件、弹性胶垫和盖帽及连接线设置于外壳内；压电陶瓷元件两焊接点位于盖帽两侧对称的凹槽中，压电陶瓷元件连接线通过盖帽两边的对称导线槽引出，引出的压电陶瓷元件连接线位于盖帽中心孔中，通过密封胶层密封于外壳内；外壳上端腔体内圆壁上设置卡扣，盖帽通过卡扣锁紧于外壳内，外壳下端外侧壁与外壳上端腔体外侧壁连接处设置有容纳密封圈的平台。
一种可靠稳定超声流量传感器

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201610420453.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：回刻蚀去除PMOS区域的第一开口侧壁上第一厚度的P型功函数层以及N型功函数层；在所述第二开口的N型功函数层上形成盖帽层，所述盖帽层还位于回刻蚀后的第一开口内的N型功函数层上以及P型功函数层上；在所述盖帽层上形成填充满所述第一开口和第二开口的第一金属层；在所述第一金属层上以及层间介质层上形成顶层介质层；形成贯穿所述顶层介质层以及层间介质层的接触通孔，所述接触通孔暴露出PMOS区域的第一金属层顶部以及位于第一开口一侧的第一源漏掺杂区顶部；形成填充满所述接触通孔的接触插塞。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]电子器件以及制造电子器件的方法-CN200910141101.X无效
发明人：广川友明;松野下诚;角田雄二;佐仓直喜 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的电子器件包括：衬底；导电图形(电极)，其设置在衬底上方；半导体芯片，其安装在衬底上方，并且与电极电连接；树脂盖帽，其设置在衬底上方，并且由两个或更多个树脂层构成，以便于中空密封所述半导体芯片；以及粘合剂层(金属-树脂粘合保持层)，其将树脂盖帽与电极接合。
电子器件以及制造方法

[实用新型]一种圆柱形散热锂电池-CN201220739641.5有效
发明人：张文奇 -专利权人：深圳市文威实业有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01M10/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种圆柱形散热锂电池，包括外壳、防爆盖帽、电池芯、保护膜、导热硅胶绝缘层和散热层。电池外壁内侧设有散热层，使锂电池在电池临近爆炸点时及时散热，防爆盖帽设置在锂电池上部，能够缓冲电池内压冲力，使电池内部气压降低，进一步提高电池的安全性。
一种圆柱形散热锂电池

[发明专利]一种源端场板高电子迁移率晶体管-CN201310611822.9在审
发明人：唐武;王云波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管沟道电场分布不均匀的问题，提供了一种源端场板高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：一种源端场板高电子迁移率晶体管，与现有技术区别在于，其势垒层为：AlGaN第一势垒层及AlGaN第二势垒层，AlGaN第二势垒层上还具有氮化镓盖帽层及氮化硅钝化层，氮化镓盖帽层上设置源极金属、漏极金属及栅极金属，氮化硅钝化层设置在氮化镓盖帽层上，源极金属及漏极金属之间，所述氮化硅钝化层上靠近源极金属位置设置有源端场板
一种源端场板高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310411051.9有效
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法，通过在栅极叠层结构中增加盖帽层和阻挡层，实现了对晶体管的阈值电压的调节，可以更好地实现具有多阈值电压的半导体器件。本发明的半导体器件，由于在栅极叠层结构中增加了盖帽层和阻挡层，可以实现对晶体管的阈值电压的调节，具有更好的阈值电压特性。
一种半导体器件及其制造方法

[实用新型]气囊包装结构-CN201320298051.8有效
发明人：肖三万 -专利权人：云南古柏气囊科技股份有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B65D81/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气囊包装结构，其具有一个由内外塑料层构成的袋体,袋体具有盖帽，袋体具有：构成袋体前侧壁的第一前围护部分；构成袋体后侧壁的第一后围护部分；构成袋体底部的第一过渡部分，其设于前、后围护部分的下端；构成盖帽后侧壁的第二后围护部分；构成盖帽前侧壁的第二前围护部分；构成盖帽顶部的第二过渡部分；第一前后围护部分的左右端部具有热封条结构，第二前后围护部分的左右端部具有局部热封条结构；第一前、后围护部分、第二前、后围护部分以及第一、第二过渡部分具有若干条平行布置且相互独立的气管柱，气管柱具有设于第一前围护部分上端的充气口；袋体以及盖帽表面设有超晶格材料层。超晶格材料层不仅仅能够反射光源，而且具有自发光的功能，包装在光线较暗的情况下也能辨别其具体位置。
气囊包装结构

[实用新型]一种写字笔-CN201420231602.3有效
发明人：李润泽 -专利权人：李润泽
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： B43K29/00 文献下载
摘要：一种写字笔，包括笔体，在笔体顶部设有一喷雾器，一位于喷雾器的喷嘴上方的弧形挡板的一端与喷雾器的喷雾按钮固连，在喷雾器顶部扣设一盖帽，在盖帽顶部的凹槽内活动设有一按摩滚珠，在盖帽外侧套设一环形海绵层。本实用新型采用上述结构，结构设计合理，集按摩和喷雾功能于一体，可在工作、学习的间歇进行按摩或喷雾以方便醒神、提高注意力，喷雾按钮上设置的弧形挡板可防止喷雾不小心喷到眼睛里面，盖帽侧部设置的环形海绵层可用来擦拭不小心多喷出来的液体或者将喷出来的液体涂抹均匀，并且盖帽上设置的按摩滚珠还可用来按摩太阳穴等穴位，进一步达到提神、安逸的效果。
一种写字