专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]沟槽栅功率器件及其制造方法-CN201910742228.0在审
  • 刘坚;肖胜安 - 南通尚阳通集成电路有限公司
  • 2019-08-13 - 2021-02-23 - H01L27/088
  • 本发明公开了一种沟槽栅功率器件,电荷平衡沟槽形成沟槽栅之间的漂移区中,电荷平衡沟槽的深度大于沟槽栅的栅极沟槽的深度;在电荷平衡沟槽的底部形成有电荷平衡区,电荷平衡区和邻近漂移区互相耗尽;在电荷平衡沟槽外部的沟道区的表面区域自对准形成有源区;在源区的顶部形成有穿过层间膜的源接触孔,源接触孔的开口横向尺寸大于电荷平衡沟槽的横向尺寸,由导电材料组成的源引出结构形成在源接触孔的开口和底部的电荷平衡沟槽中,源引出结构的底部和电荷平衡区、沟道区和源区形成欧姆接触
  • 沟槽功率器件及其制造方法
  • [发明专利]电荷平衡器件及其制造方法-CN201911280574.8在审
  • 周翔 - 南通尚阳通集成电路有限公司
  • 2019-12-13 - 2021-06-18 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种电荷平衡器件,漂移区中包括一层以上的电荷平衡层;漂移区的导电载流子类型为第一导电类型;电荷平衡层包括:第一导电类型的第一外延层以及在第一外延层的选定区域中形成的多个第二导电类型掺杂的第一掺杂区;各第一掺杂区的结深小于第一外延层的厚度,各第一掺杂区之间具有间距;电荷平衡层内的第一外延层和各第一掺杂区电荷平衡,在漂移区承受反向偏压时电荷平衡层内的第一外延层和各第一掺杂区互相完全耗尽。本发明公开了一种电荷平衡器件的制造方法。本发明能降低器件的比导通电阻、开通能量损耗和开关动态损耗,能很好的适用于例如碳化硅等杂质不容易扩散的半导体材料形成的器件,工艺更易实现且成本更低。
  • 电荷平衡器件及其制造方法
  • [发明专利]栅底电荷平衡改善的碳化硅MOSFET器件及制造方法-CN202111370423.9有效
  • 任炜强 - 深圳真茂佳半导体有限公司
  • 2021-11-18 - 2022-08-30 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种栅底电荷平衡改善的碳化硅MOSFET器件及其制造方法,器件包括:具有电荷平衡柱的外延片结构、嵌埋式栅极结构、位于顶层的源极结构及位于底层的漏极结构,外延片结构的碳化硅外延层上形成有挖槽后的沟道顺从层利用位于栅极沟槽与接触沟槽下方的电荷平衡柱且基本由预置叠层阱所构成,以避免电荷平衡柱穿透到外延片结构的碳化硅衬底。本发明具有规范栅底电荷平衡结的底部深度与外形受到比较好的截面柱形的效果,以解决在沟道顺从层的设置基础上导致电荷平衡结不能调整注入浓度与无法形成结侧柱形与结底深度随沟槽深度变化的电性能不稳定缺陷。
  • 电荷平衡改善碳化硅mosfet器件制造方法
  • [发明专利]提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件-CN202310822107.3有效
  • 王荣华;梁凯;许龙来;章文红 - 无锡美偌科微电子有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-09-12 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种提高终端耐压能力的电荷平衡功率半导体器件;对所述终端区内的任一终端耐压环,包括耐压平行部以及耐压垂直部,耐压平行部与耐压垂直部依次首尾相连;在终端区内,至少将一个耐压垂直部邻近有源区的侧边配置成波浪状侧边,其中,对耐压垂直部的波浪状侧边,包括若干依次交替分布的波谷区以及波峰区,波谷区与相邻的波峰区适配连接;波浪状侧边内的一波谷区与一条形元胞的条形电荷平衡结构对应,波浪状侧边内的一波峰区与相邻条形电荷平衡结构之间的间隙区域对应,且波谷区的宽度不小于所对应条形电荷平衡结构的宽度。本发明可在终端到达最佳的电荷平衡状态,提升终端的耐压能力。
  • 提高终端耐压能力电荷平衡功率半导体器件
  • [发明专利]用作电致变色器件的电荷平衡材料的具有VOX-CN202080090981.7在审
  • 李雪霏;梅建国 - 安比莱特
  • 2020-08-26 - 2022-08-12 - C01G31/02
  • 本申请公开了运用了一种具有VOx分子式的新型氧化钒电荷平衡薄膜的电致变色器件,该薄膜具有高电荷密度、低着色效率、与某些电致变色材料接近的电活性电压以及高的化学和电致变色稳定性等特点VOx电荷平衡薄膜具有多孔纳米结构,是非晶态或非晶态与多晶态的混合,可以与器件中的电致变色聚合物以最小变色模式配对。本申请同时公开了一种设计电荷平衡薄膜材料以便与工作电极配对并在电致变色器件中获得低器件电压的方法。本申请还公开了制备相关电荷平衡薄膜的方法。
  • 用作变色器件电荷平衡材料具有vobasesub

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