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[发明专利]多层电极及其制造方法-CN202310922590.2在审
发明人：南艺真 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明涉及多层电极及其制造方法。所述多层电极包括电极集流体和依次涂布在电极集流体的一个或两个表面上的两个以上电极活性材料层，电极活性材料层包含含有碳基材料和硅基材料的电极活性材料、粘合剂、导电材料和增稠剂；基于电极活性材料层的形成方向，在相互邻接的电极活性材料层中，位置相对靠近电极集流体的电极活性材料层的碳基材料和粘合剂的含量分别大于位置相对远离电极集流体的电极活性材料层的碳基材料和粘合剂的含量，位置相对远离电极集流体的电极活性材料层的硅基材料的含量大于位置相对靠近电极集流体的电极活性材料层的硅基材料的含量；所述多层电极包括第1至第n电极活性材料层，并且第1电极活性材料层不含硅基材料。
多层电极及其制造方法

[发明专利]制造包括具有硅化物层的MOS晶体管的半导体器件的方法-CN202210259896.X在审
发明人：尹荣广 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了制造包括具有硅化物层的MOS晶体管的半导体器件的方法。一种制造MOS晶体管的方法，包括：在衬底之上形成栅极介电材料层；在栅极介电材料层之上形成下部栅电极材料层；执行第一离子轰击工艺，用第一离子轰击下部栅电极材料层；在下部栅电极材料层之上形成包括非晶硅层的中间栅电极材料层；在中间栅电极材料层之上形成上部栅电极材料层；执行第二离子轰击工艺，以用第二离子轰击上部栅电极材料层；以及在下部栅电极材料层和上部栅电极材料层中形成硅化物层，以形成下部栅电极层和上部栅电极层。
制造包括具有硅化物层 mos 晶体管半导体器件方法

[发明专利]环形垂直结构相变存储器的制备方法-CN201310101003.X无效
发明人：付英春;王晓峰;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种环形垂直结构相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次淀积第一电热绝缘材料层和下电极材料层；在下电极材料层上淀积第二电热绝缘材料层，在下电极材料层上开孔；在第二电热绝缘材料层上依次淀积插塞电极材料层和第三电热绝缘材料层；在第三电热绝缘材料层上形成圆柱形的电热绝缘材料层掩模；干法刻蚀插塞电极材料层至第二电热绝缘材料层上表面；在其上依次淀积第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层；形成第一低热导率材料层、相变材料层、第二低热导率材料层构成的侧墙；在第二电热绝缘材料层的上表面、侧墙的外表面以及电热绝缘材料层掩模的上表面，制备上电极材料层；在下电极材料层上引出下测试电极，在上电极材料层上引出上测试电极，完成器件的制备
环形垂直结构相变存储器制备方法

[发明专利]相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体-CN202010477856.3有效
发明人：林仲汉;朱煜;罗国峰 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体，方法包括：形成堆叠结构，其包括：导电层；下电极层，位于导电层上方；上电极层，位于下电极层上方；相变化材料，位于下电极层与上电极层之间；以及选择器材料，位于导电层与下电极层之间；根据第一遮罩蚀刻上电极层，以形成上电极线；根据上电极线蚀刻相变化材料，以形成相变化材料层于上电极线的下方，并暴露出下电极层的一部分，其中相变化材料层具有暴露的侧表面；在蚀刻相变化材料之后，对相变化材料层的侧表面进行氮化处理，以形成氮化的相变化材料层覆盖相变化材料层的侧表面；以及根据相变化材料层及氮化的相变化材料层蚀刻下电极层、选择器材料及导电层，以形成下电极线、选择器材料层及其下方的导线。此方法透过在相变化材料层的暴露表面上形成可保护相变化材料层的氮化的相变化材料层，以避免相变化材料层在后续蚀刻制程中严重受损。
相变记忆体制造方法

[发明专利]包含不同电极材料层的电极和锂二次电池-CN201480030801.0有效
发明人：金京昊;严仁晟;权芝允;河会珍;金镒弘 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供电极，所述电极包含集电器和在所述集电器上形成的电极材料层，所述电极材料层包含具有不同电极活性材料的第一电极材料层和第二电极材料层。
包含不同电极材料二次电池

[发明专利]多层电极及其制造方法-CN201880018067.4在审
发明人：南艺真 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明涉及多层电极及其制造方法，更具体地涉及包含电极集流体和依次涂布在电极集流体的一个或两个表面上的两个或多个电极活性材料层的多层电极，其中所述电极活性材料层各自包括碳基材料、粘合剂和硅基材料；其中，基于所述电极活性材料层的形成方向，在相互邻接的电极活性材料层中，位置相对靠近电极集流体的电极活性材料层中的碳基材料的含量和粘合剂的含量大于位置相对远离电极集流体的电极活性材料层中的碳基材料的含量和粘合剂的含量，并且其中，位置相对远离电极集流体的电极活性材料层中的硅基材料的含量大于位置相对靠近电极集流体的电极活性材料层中的硅基材料的含量
电极活性材料层电极集流体位置相对粘合剂多层电极硅基材料碳基材料邻接制造

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200910165178.0有效
发明人：徐俊成 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：此方法包括于基底上形成含铝与铜的下电极材料层。接着，在下电极材料层表面依序形成绝缘材料层与上电极材料层。之后，在上电极材料层上形成图案化的光致抗蚀剂层，并以其为掩模，图案化上电极材料层，以形成图案化的上电极层。其后，以等离子体灰化移除图案化的光致抗蚀剂层，再对图案化的下电极材料层进行融合工艺。之后，图案化绝缘材料层与下电极材料层，以形成图案化的绝缘层与图案化的下电极层。
半导体元件制造方法

[发明专利]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法-CN201610527363.X在审
发明人：唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
一种垂直沟道柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管-CN201620706248.4有效
发明人：唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
一种垂直沟道柔性有机发光场效应晶体管

[发明专利]用于电极的间隔物、电极堆叠及电池与其系统及方法-CN202180090898.4在审
发明人： J·J·多尔顿;R·S·布萨卡;A·拉希里;M·拉马苏布拉马尼安;B·A·瓦尔德斯;K·H·李;A·卡尔卡泰拉;B·L·卡多佐 -专利权人：艾诺维克斯公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：一种电池包含电极组合件。所述电极组合件具有单位晶胞群，每一单位晶胞包含处于堆叠连续中的电极集电器层、电极层、隔板层、对电极层和对电极集电器层。所述电极层具有电极活性材料，且所述对电极层具有对电极活性材料。所述电极活性材料和所述对电极材料中的一个为阴极活性材料，且所述电极活性材料和所述对电极材料中的另一个为阳极活性材料。所述单位晶胞群的子集包含位于所述电极集电器层与所述对电极集电器层之间的一对间隔物部件。所述对电极活性材料的至少一部分在由x轴和z轴界定的共同平面中位于所述间隔物部件之间。
用于电极间隔堆叠电池与其系统方法

[实用新型]一种新型柔性电极片-CN201721262551.0有效
发明人：韩建涛;别传玉;林亚庆;王洪生;郑峻;黄晓宏 -专利权人：武汉新能源研究院有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型柔性电极片，包括集流体、导电薄膜和多层电极材料层，所述多层电极材料层设置在所述导电薄膜的顶端，所述集流体固定设置在所述导电薄膜的底端；所述多层电极材料层包括上电极材料层和下电极材料层，所述上电极材料层设置在所述下电极材料层的上方；在所述上电极材料层与所述下电极材料层之间贴覆设有下包覆层，在所述上电极材料层的外侧表面贴覆设有上包覆层；所述上包覆层和所述下包覆层均为硫碳涂覆层。本实用新型的有益效果是：通过将多层电极材料层和上包覆层、下包覆层逐层叠加，形成类似汉堡结构的电极片，从而实现大尺度的包覆，简化工艺流程，提高电池的电化学性能参数。
一种新型柔性电极

[发明专利]一种多值相变存储器单元-CN201410188538.X在审
发明人：胡晓程;魏益群;楼海君;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多值相变存储器单元，包括相变材料层、加热电极、顶电极、底电极和隔热材料层，相变材料层包括第一相变材料层和第二相变材料层，加热电极包括第一加热电极和第二加热电极；顶电极位于第一加热电极的顶部，第一加热电极的底部接第一相变材料层的顶部，第一相变材料层的底部接第二相变材料层的顶部，第二相变材料层的底部接第二加热电极，底电极位于第二加热电极的底部，隔热材料层包裹相变材料层和加热电极。本发明提出新型多值相变存储器单元，其通过堆垛结构及两个加热电极，使得在电流脉冲作用下，第一相变材料层和第二相变材料层依次发生相变，产生晶态\晶态、晶态\非晶态、非晶态\非晶态等相态，为实现多值存储提供可能
一种相变存储器单元

[发明专利]一种基于层状材料场效应的生物物质传感器和生物物质探测系统-CN201610018192.8有效
发明人：缪峰;崔昕怡;王晨宇;曹毅;李英 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：一种基于层状材料的生物物质传感器，包括：绝缘层(2)、金属电极层(3)、二维材料薄膜层(4)、特异性吸附层(5)及介质层(6)；绝缘层(2)上为二维材料薄膜层(4)，特异性吸附层(5)位于二维材料薄膜层的上表面，吸附特异性的物质，改变二维材料薄膜层的表面掺杂状态；金属电极层，包括源电极层(31)，漏电极层(32)及顶栅电极层(33)；源电极层(31)和漏电极层覆盖在二维材料薄膜层的两端上，顶栅电极层位于二维材料薄膜层和特异性吸附层的旁边并与漏电极层保持一定距离，源电极层和漏电极层的表面覆盖有绝缘层进行保护；介质层覆盖在二维材料薄膜层，特异性附着层(5)和金属电极层表面。
一种基于层状材料场效应生物物质传感器探测系统

[发明专利]锂离子电池电极-CN201610584020.7有效
发明人：闫凌加;王佳平;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池电极，包括一集流体以及至少一层电极材料层，所述至少一层电极材料层层叠设置在所述集流体的表面；每一层电极材料层包括一电极活性材料层以及一碳纳米管层状结构，所述电极活性材料层与所述碳纳米管层状结构相互层叠设置，电极活性材料层设置于集流体和碳纳米管层状结构之间，至少部分所述碳纳米管层状结构嵌入到所述电极活性材料层中，所述电极活性材料层中分布有导电剂。
锂离子电池电极

[发明专利]相变存储器及其制备方法-CN202111022550.X在审
发明人：黄家恩;陈彬;丁科元;饶峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种相变存储器及其制备方法，相变存储器包括衬底、底电极层、介电材料层、顶电极层以及呈层叠设置的选通材料层和相变材料层，底电极层设于衬底的上侧，底电极层包括本体和自本体的上侧向上延伸的凸起部；介电材料层设于底电极层的本体的上侧且环绕凸起部的周向设置；顶电极层设于介电材料层的上侧；呈层叠设置的选通材料层和相变材料层设于介电材料层和顶电极层之间，选通材料层和相变材料层其中之一与介电材料层邻接，且与凸起部的上表面接触，另一与顶电极层邻接，选通材料层的材质包括六方相氮化硼；底电极层和顶电极层中与选通材料层接触的一个的材质包括银。
相变存储器及其制备方法

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