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[发明专利]一种紫外交联型全有机复合电介质材料及其制备方法-CN202310597874.9在审
发明人：张云鹤;丁嘉乐;姜振华;王琦桐 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外交联型全有机复合电介质材料及其制备方法，属于介电材料制备技术领域。该方法将光敏基团作为交联单元引入含芳环的聚合物中，通过亲核取代反应，得到聚合物；将纳米级碳化聚合物点和聚合物溶液共混并制备得到有机复合薄膜；将有机复合薄膜置于紫外灯下辐照，得到紫外交联型全有机复合电介质材料本发明的全有机复合电介质薄膜在高温高电场下具有优异的介电储能性能，是一种极有潜力的电能存储材料。
一种紫外交联有机复合电介质材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途-CN201710955078.2有效
发明人：曾一;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。本发明的铁电聚合物基电介质薄膜含有偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物P(VDF‑co‑HFP)和六方氮化硼h‑BN，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100‑x)％P(VDF‑co‑HFP)–x％h‑BN，0<本发明的铁电聚合物基电介质薄膜具有高击穿场强、高储能密度以及高储能效率，且无铅环保、具有优异的储能性能，适用于高密度储能领域。
一种高储能效率聚合物电介质薄膜及其制备方法用途

[发明专利]穿心式薄膜电容器及其阵列-CN94102681.7无效
发明人：山手万典;渡辺力;石桥洋一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1994-03-04 - 公布日： 1999-04-14 - 主分类号： H01G4/35 文献下载
摘要：一种穿心式薄膜电容器及其阵列，其特征在于，该电容器通过结构为从陶瓷底板上的第一接地电极层开始，依次在前一部分上形成第一电介质层、信号电极（至少从第一电介质层一端面伸至另一端面地形成于部分第一电介质层上）、第二电介质层（与第一电介质层一起包围信号电极并形成于第一电介质层上）以及与第一接地电极层电气连接并一起包围第一和第二电介质层的第二接地电极层，从而去除干扰信号的性能优于以往的印刷电容器。
穿心式薄膜电容器及其阵列

[发明专利]基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法-CN201810774072.X在审
发明人：唐玉乐 -专利权人：厦门市诚安毅科技有限公司
申请日： 2018-07-15 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法。包括以下步骤：采用蒸发镀膜制备薄膜电容底部纳米铝层薄膜，形成底部导电层；利用反应溅射沉积SiO_xN_y薄膜层，再通过射频磁控溅射沉积TiO₂层，制备高k TiO₂/SiO_xN_y中间绝缘层TiO₂薄膜，形成中间介电层；制备顶部纳米铝层薄膜，形成顶部导电层；最后，通过退火处理，即可制得高k电介质基薄膜电容。本发明的高k电介质基薄膜电容制备过程简单，成本低廉，且无需特定的模板；中间介电层k值的大小可通过沉积工艺进行调控，薄膜电容频率特性与介电性能优良，稳定性高，且一致性好，可适用于高频率段。
制备薄膜电容高k电介质材料中间介电层高k电介质纳米铝层基薄膜电容沉积薄膜反应溅射沉积射频磁控溅射底部导电层顶部导电层中间绝缘层介电性能频率特性退火处理一致性好蒸发镀膜制备过程薄膜层频率段调控

[发明专利]一种三层结构聚醚砜基高温电介质复合薄膜的制备方法-CN202211062667.5在审
发明人：沈洋;南策文;孙滨洲;江建勇;潘家雨;胡澎浩 -专利权人：乌镇实验室
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种三层结构聚醚砜基高温电介质复合薄膜的制备方法，采用涂覆工艺制备聚醚砜基三层膜，包括以下步骤：S1、氮化硼纳米片和二氧化钛纳米纤维的制备；S2、混合溶液的制备；S3、聚醚砜基三层薄膜的制备本发明的三层结构聚醚砜基高温电介质复合薄膜的制备方法，用上述方法制得的三层结构聚醚砜基高温电介质复合薄膜具备下述有益效果：不仅仅纳米片在聚醚砜基体中的有效分散、而且具有高温度稳定性、高介电常数、高储能密度
一种三层结构聚醚砜基高温电介质复合薄膜制备方法

[发明专利]天线和通信装置-CN201010502832.5无效
发明人：外间尚记;下田秀昭;津留寿弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01Q1/14 文献下载
摘要：电介质基体(3)在外表面具有记号(30)，该记号(30)具有比电介质基体(3)的相对介电常数低的相对介电常数。天线元件(2)由FPC薄膜构成。FPC薄膜在一面侧具有天线电极(21、22)，在另一面侧包含具有粘接层的可挠性绝缘薄膜(20)，由FPC薄膜构成的天线元件(2)在使天线电极(21、22)的端部或弯曲部对准记号(30)的情况下被粘贴到电介质基体
天线通信装置

[发明专利]作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法-CN201180074631.2有效
发明人： J·B·斯切赫;P·范凯塞尔 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：电介质薄膜布置在所述多个金属层中选择的其他一些金属层之间。端口贯穿金属层和内芯板层，但是不贯穿电介质薄膜。所述电介质薄膜具有压紧部分和未压紧部分。薄膜的所述压紧部分有效地用作无源电子元件，并且所述未压紧部分有效地用作防止至少某些外部碎屑来回穿过所述端口的屏障。
作为声学设备中的屏障嵌入式电介质制造方法

[发明专利]无机薄膜电致发光显示器元件及制造-CN201780053320.5在审
发明人：赫莉·塞佩宁;汤米·图尔库莱宁;卡利·海尔克宁 -专利权人：倍耐克有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：用于制造无机薄膜电致发光显示器元件的方法包括形成层结构，所述形成层结构包括：形成第一电介质层(11)；在第一电介质层上形成包括掺杂锰的硫化锌(ZnS:Mn)的发光层(12)；以及在发光层上形成第二电介质层第一电介质层和第二电介质层中的每一个形成为包括具有交替的氧化铝Al₂O₃子层和氧化锆ZrO₂子层的纳米层叠件。
电介质层无机薄膜电致发光显示器发光层子层层叠件交替的硫化锌氧化锆氧化铝制造掺杂

[发明专利]包含有机半导体材料的薄膜晶体管-CN201980077094.3在审
发明人： A·菲奇提;夏禹;陈志华;T·邱;吕少峰 -专利权人：飞利斯有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：电介质层，所述电介质层具有第一侧和相对的第二侧；源电极、与所述源电极分开的漏电极以及设置在所述源电极和所述漏电极之间并与所述源电极和所述漏电极接触的半导体部件，所述源电极、所述漏电极和所述半导体部件设置为邻近所述电介质层的所述第一侧；以及栅电极，所述栅电极设置为邻近所述电介质层的与所述半导体部件相对的所述第二侧；其中所述半导体部件包含基于芳烃‑双(二甲酰亚胺)的一种或多种n型有机半导体材料，并且其中所述薄膜晶体管具有测量为从所述源电极到所述漏电极的最短路径的不超过20μm的沟道长度。
包含有机半导体材料薄膜晶体管

[发明专利]化合物半导体晶体管与高密度电容器的集成-CN201880024649.3在审
发明人：杨斌;李夏;陶耿名 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：MIM电容器包括化合物半导体衬底上的集电极接触层、集电极接触层上的第一电介质层、第一电介质层上的导电电极层以及导电电极层上的第二电介质层。MIM电容器包括第二电介质层上的第一导电互连、第一导电互连上的第三电介质层以及第三电介质层上的第二导电互连。第一电容组件包括集电极接触层、导电电极层和第一电介质层。第二电容组件包括第一导电互连、导电电极层和第二电介质层。第三电容组件包括第二导电互连、第一导电互连和第三电介质层。第一电容组件、第二电容组件和第三电容组件彼此并联布置。
电介质层导电互连电容组件导电电极层集电极接触层化合物半导体衬底绝缘体电容器金属并联布置

[发明专利]OFET用的可光图案化的栅极电介质-CN201680025636.9有效
发明人：罗伯特·艾伦·贝尔曼;明倩·何;蒂莫西·爱德华·梅尔斯;钮渭钧;大卫·尼尔·施伊瑟尔;克莉丝蒂·林恩·西蒙顿;亚瑟·劳伦斯·华莱士 -专利权人：康宁公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本案提供利用聚合物电介质材料用于栅极电介质和绝缘体材料的制品，以及制造所述制品的方法。所述制品适用于利用有机薄膜晶体管的基于电子器件的装置。
ofet 图案栅极电介质

[发明专利]OFET用的可光图案化的栅极电介质-CN201811594872.X有效
发明人：罗伯特·艾伦·贝尔曼;明倩·何;蒂莫西·爱德华·梅尔斯;钮渭钧;大卫·尼尔·施伊瑟尔;克莉丝蒂·林恩·西蒙顿;亚瑟·劳伦斯·华莱士 -专利权人：康宁公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K85/10 文献下载
摘要：本案提供利用聚合物电介质材料用于栅极电介质和绝缘体材料的制品，以及制造所述制品的方法。所述制品适用于利用有机薄膜晶体管的基于电子器件的装置。
ofet 图案栅极电介质

[发明专利]利用电介质与金属层对的加强型滤光片-CN200880129487.6有效
发明人： C·H·斯托塞尔;A·沃尔;R·蒂尔斯奇;M·科达;J·科扎克;R·T·凡波勒;L·博曼 -专利权人：南壁技术股份有限公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：当较厚的锌基薄膜(30，32和34)作用为在后形成的银基薄膜(18，20和22)的种子层时，滤光片的“腐蚀”生能得以增强。滤光片内包括至少两对电介质与金属迭层对(12，14和16)，其中，锌基薄膜为电介质层的第二薄膜，而银基薄膜为金属层。锌基薄膜的锌含量至少为80％且厚度至少为15nm。为了进一步提高抗腐蚀性能，可将金加入银基薄膜中。
利用电介质金属加强型滤光

[发明专利]薄膜电容器、及薄膜电容器用的电介质树脂膜-CN202080013808.7有效
发明人：古桥拓未 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本发明的薄膜电容器具备电介质树脂膜、和设置于上述电介质树脂膜的至少一面的金属层，上述电介质树脂膜包含选自由联苯骨架、双酚苯乙酮骨架、双酚芴骨架、双酚S骨架、双酚环己酮骨架及环氧改性双酚A骨架组成的组中的至少
薄膜电容器电容器用电介质树脂

[发明专利]一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法-CN201110101584.8有效
发明人：赵宁;王惠娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性
一种基于欧姆接触薄膜电容及其制备方法