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[发明专利]一种低发射率复合材料及制备方法-CN201110194335.8无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：山东帅克新能源有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：具体是采用磁控反应溅射法，溅射气体为氩气，反应气体为高纯氮气，设备使用一台双靶磁控溅射镀膜机，首先在基材上磁控反应溅射沉积一层的氮化钛（TiN），再沉积一层铜（Cu）,再沉积一层的氮化钛（TiN），如是一个周期，重复上述步骤至少在基材上反应溅射两个周期，最终形成基材/TiN/Cu（Al）/TiN/Cu（Al）/TiN。
一种发射复合材料制备方法

[发明专利]一种后硒化处理制备FeSe超导薄膜的方法-CN201010588275.3有效
发明人：柴青林;华志强;王磊;屈飞;李弢 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种后硒化处理法制备FeSe超导薄膜的方法，该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜，包括基片的表面处理；采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜；将FeS薄膜与无定形单质硒同置于石英管中，真空密封；密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生硒化反应，得到FeSe薄膜。并且这种反应溅射与改进的细化处理相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比，在成本控制上有着很大优势，并且不受尺寸限制。
一种后硒化处理制备 fese 超导薄膜方法

[发明专利]一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用-CN202110119993.4有效
发明人：宋安刚;霍方方;朱地;胡俊华;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 -专利权人：山东省科学院能源研究所
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化钛膜、铜膜和第二二氧化钛膜，其中，二氧化钛膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积是采用远源等离子体溅射技术在衬底上直流溅射沉积薄膜，通过控制反应溅射过程中的氧气流量和溅射功率，在相对较低的溅射功率和氧流量条件下，通过控制中间层铜薄膜的厚度来调控透明导电膜的光电性能。
一种多层透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件-CN201610884531.0有效
发明人：斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;斯科特·海莫尔;康斯坦尼·弗拉戈斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过脉冲DC反应溅射沉积含添加物的氮化铝膜的方法，该氮化铝膜含有选自Sc、Y、Ti、Cr、Mg和Hf中的至少一种添加元素，该方法包括以下步骤：利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及未对所述膜基底施加电偏压功率或利用施加至所述膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成
沉积方法添加物氮化包括压电器件

[发明专利]超硬纳米多层薄膜及其制作工艺-CN99124104.5无效
发明人：李戈扬;许俊华;金燕苹;戴嘉维;顾明元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 1999-11-24 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明在金属或陶瓷的基体上利用反应溅射沉积法制取NbN层和TaN层多层薄膜，根据使用求交替制取NbN层和TaN层。多层薄膜制取工艺为：首先将金属或陶瓷的基体表面作镜面抛光处理，利用反应溅射沉积法制取多层薄膜，交替制取NbN层和TaN层，各层厚度控制在1.5nm～9.0nm，且厚度比为1，交替沉积多层薄膜总厚度为1μm
纳米多层薄膜及其制作工艺

[发明专利]一种红外透过率自动调节智能玻璃的产业化制备方法-CN201410458660.4有效
发明人：李金华;谢建生 -专利权人：李金华
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：步骤如下(1)在玻璃常规清洗后，在玻璃表面用离子束溅射方法溅射沉积5～20nm厚的Ti或Si单质元素薄膜，作为结晶诱导层；(2)采用直流反应磁控溅射方法，在结晶诱导层上反应溅射沉积氧化钒薄膜；反应溅射靶材用纯度为99.96％的高纯钒与不同原子比的掺杂元素融合制成；反应溅射源气为Ar/O2混合气体，Ar/O2的流量比例为5％～10％；(3)沉积氧化钒薄膜后，采用卤素灯光加热的快速热处理技术对其进行热处理；整个热处理过程温度在
一种红外透过自动调节智能玻璃产业化制备方法

[发明专利]太阳能真空管高选择性吸收涂层的制备方法-CN201010146222.6有效
发明人：安百军;安百盈;张振涛;刘建 -专利权人：山东帅克新能源有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能真空管高选择性吸收涂层的制备方法，是采用磁控反应溅射法，溅射气体为氩气，反应气体为高纯氮气和四氟化碳气体，设备使用一台三靶磁控溅射镀膜机，首先在玻璃管内管外壁上磁控反应溅射沉积一层的氮化钛TiN红外反射膜，再沉积一层氮化铝-不锈钢AlN-SS复合吸收膜，最后沉积一层铝-碳-氟Al-C-F复合保护膜，最终形成Glass/TiN/AlN-SS/AL-C-F选择性吸收涂层。
太阳能真空管选择性吸收涂层制备方法

[发明专利]利用氮气通过反应溅射锌靶形成的薄膜半导体材料-CN201310012850.9在审
发明人：彦·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明大致包含一种半导体膜及一种用来沉积该半导体膜的反应溅射工艺。溅射靶可包含纯锌，也就是纯度为99.995%原子百分比或更高纯度的锌，锌可掺杂有铝(约1%原子百分比至约20%原子百分比)或其它掺杂金属。可利用引入氮气和氧气到腔室内来反应溅射该锌靶。可依据在没有含氮气体时沉积所测得的膜结构的转变点、膜的透射率、直流(DC)电压变化或膜传导性，来决定氧气的量。反应溅射可在室温至高达几百摄氏度的温度范围下进行。沉积后，可将半导体膜退火以进一步提高膜的迁移率。
利用氮气通过反应溅射形成薄膜半导体材料

[发明专利]利用氮气通过反应溅射锌靶形成的薄膜半导体材料-CN200880015621.X有效
发明人：彦·叶 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明大致包含一种半导体膜及一种用来沉积该半导体膜的反应溅射工艺。溅射靶可包含纯锌，也就是纯度为99.995％原子百分比或更高纯度的锌，可掺杂有铝(约1％原子百分比至约20％原子百分比)或其它掺杂金属。可利用引入氮气和氧气到腔室内来反应溅射该锌靶。可依据在没有含氮气体时沉积所测得的膜结构的转变点、膜的透射率、直流(DC)电压变化或膜传导性，来决定氧气的量。反应溅射可在室温至高达几百摄氏度的温度范围下进行。沉积后，可将半导体膜退火以进一步提高膜的迁移率。
利用氮气通过反应溅射形成薄膜半导体材料

[发明专利]一种反应溅射沉积速率稳定控制系统及方法-CN201711036339.7在审
发明人：曹一鸣;卫红;刘志宇 -专利权人：广州市光机电技术研究院
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应溅射沉积速率稳定控制系统，包括控制器、溅射电源、气体流量压电阀、镀膜室和多路传感反馈电路；所述控制器，通过控制信号控制溅射电源输出电流电压和工作气体、反应气体流量压电阀；多路传感反馈电路本发明通过监控等离子反应溅射光谱、控制工作气体和反应气体精确含量、靶电流电压等来实现溅射过程的快速反馈实时控制，实现溅射沉积速率的稳定和保证溅射薄膜成分的稳定，该发明不仅适用于较小基片、单一溅射材料，对大面积基片、复合掺杂溅射材料都有较好效果。
一种反应溅射沉积速率稳定控制系统方法

[发明专利]一种制备Er₂O₃涂层的方法-CN200910243034.2有效
发明人：屈飞;李弢;王磊;蒋文文 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于反应溅射技术领域，特别涉及一种制备Er2O3涂层的方法。将石英基底放置在加热器上，安装靶材，调节靶基距；抽真空至真空度不大于3.0×10-3Pa，将基底加热至700～800℃；通入氩气和水蒸气，将气压调至0.1～0.8Pa，其中水分压为0.04～0.08Pa，开溅射，将溅射功率增加至80～100W，辉光稳定后，移开挡板，开始沉积；沉积20～40分钟后，关挡板，关溅射，断开氩气和水蒸气，切断加热电源，关真空系统，得Er2O3涂层。本发明反应溅射提高了溅射效率，水蒸气作为反应气体，同时防止了靶材表面的氧化，提高了沉积速率的可控性。本发明是一种沉积速率既快又可控的Er2O3涂层制备方法。
一种制备 er sub 涂层方法

[发明专利]沉积方法-CN202010378350.7在审
发明人： A·托马斯;S·伯吉斯;A·拉斯托吉;T·威尔比;S·海默尔 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及沉积方法。本公开的一些实施例公开了一种溅射沉积含添加剂的氮化铝薄膜的方法，所述含添加剂的氮化铝薄膜含有选自钪或钇的添加剂元素，所述方法包括以下步骤：通过脉冲DC反应溅射将含添加剂的氮化铝薄膜的第一层沉积到设置在腔室内的衬底上；以及通过脉冲DC反应溅射在第一层上沉积含添加剂的氮化铝薄膜的第二层，第二层具有与第一层相同的成分。
沉积方法

[发明专利]柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法-CN201210550894.2有效
发明人：张俊彦;张斌 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种在柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法，多层多组分类金刚石薄膜组成Cr+CrTi+CrTiN+CrTi/CrTiC+CrTiC/DLC；采用多靶脉冲磁控溅射方法，经过超声波清洗和真空系统中氩等离子体溅射清洗柱塞；溅射沉积Cr+CrTi层；反应磁控溅射沉积CrTiN+CrTi/CrTiC梯度层层；反应溅射溅射CrTiC/DLC功能层，最后在柱塞表面形成类金刚石薄膜。
柱塞表面金刚石薄膜批量沉积方法

[发明专利]一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法-CN201910716179.3在审
发明人：朱红兵;麦耀华;万梅秀 -专利权人：暨南大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法，包括如下步骤：将安装有过渡金属靶的阴极连接到外部直流电源，设定合适的沉积条件，开启直流电源产生等离子体；逐步增加或者减少进入真空溅射腔室内的反应气体流量，获得一条关于靶电压和反应气体流量的特定关系曲线；根据所述关系曲线将反应气体零点至靶电压最高点的反应溅射区域划分为金属区，将靶电压最高点之后的反应溅射区域划分为金属氧化物区，靶电压最高点对应的反应气体流量为拐点反应气体流量，在拐点反应气体流量附近获得由多个工艺参数共同决定的工作点；在该工作点下进行反应磁控溅射沉积从而制备获得性能优异的过渡金属氧化物材料。
反应气体流量过渡金属氧化物沉积直流反应磁控溅射反应溅射关系曲线工作点拐点薄膜等离子体阴极薄膜制备技术反应磁控溅射外部直流电源金属氧化物真空溅射腔沉积条件反应气体过渡金属直流电源逐步增加金属区制备室内

[发明专利]一种塑料表面金属化反应溅射等离子体控制系统及方法-CN202111033753.9在审
发明人：毕君;高原;田先亮;郭大伊;黄安琪 -专利权人：广东轻工职业技术学院
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑料表面金属化反应溅射等离子体控制系统及方法，涉及塑料表面金属化真空反应溅射镀膜技术。针对现有技术中闭环反馈单一的问题提出本方案，在靶材反应溅射在基片表面形成薄膜的步骤中，实时获取靶电流电压信息、等离子体光谱信息以及气体分压信息并输入控制器，所述控制器调整混合气体的流量和/或调整靶电流电压，令溅射沉积速率稳定和溅射薄膜成分稳定。
一种塑料表面金属化反应溅射等离子体控制系统方法

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