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[发明专利]一种交替镀膜式电容器及其生产方法-CN201710059885.6有效
发明人：庞业山 -专利权人：庞业山
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种交替镀膜式电容器及其生产方法，该电容器包括：绝缘层，所述绝缘层的内侧表面上设置有一片第一电极薄膜片，所述第一电极薄膜片的下方设有一片第二电极薄膜片；所述第一、第二电极薄膜片的数量均为两片以上，且第一电极薄膜片与第二电极薄膜片之间采用从上到下相互交替的方式排列设置；所述第一电极薄膜片与第二电极薄膜片之间填充有电介质层，且所有的第一电极薄膜片均与第一引线相连接，所有的第二电极薄膜片均与第二引线相连接；本发明的电介质薄膜和电极薄膜交替排列，粘贴在一起，内电极的厚度远小于电介质的厚度，大幅提高电介质在电容器中的质量比，有效地提高了电容器的储能密度。
一种交替镀膜电容器及其生产方法

[实用新型]一种交替镀膜式电容器-CN201720100938.X有效
发明人：庞业山 -专利权人：庞业山
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件技术领域，具体涉及一种交替镀膜式电容器，该电容器包括绝缘层，所述绝缘层的内侧表面上设置有一片第一电极薄膜片，所述第一电极薄膜片的下方设有一片第二电极薄膜片；所述第一、第二电极薄膜片的数量均为两片以上，且第一电极薄膜片与第二电极薄膜片之间采用从上到下相互交替的方式排列设置；所述第一电极薄膜片与第二电极薄膜片之间填充有电介质层，且所有的第一电极薄膜片均与第一引线相连接，所有的第二电极薄膜片均与第二引线相连接；本实用新型的电介质薄膜和电极薄膜交替排列，粘贴在一起，内电极的厚度远小于电介质的厚度，大幅提高电介质在电容器中的质量比，有效地提高了电容器的储能密度。
一种交替镀膜电容器

[发明专利]高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法-CN202110202386.4有效
发明人：余萍;刘运;丁明建;庄彤;黄彬彬;陈潇洋 -专利权人：四川大学;广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器，从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑电介质薄膜‑上电极组成并结合成一体，或者从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑下电极组成并结合成一体，所述电介质薄膜为Ca1‑xSrxZr1‑y‑zTiyMzO3薄膜。本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器的制备方法，首先在清洁后的低阻硅衬底顶面进行凹槽切割，使该被切割面形成由横向凹槽和纵向凹槽分隔成的多个方格状低阻硅平面，然后采用射频磁控溅射法在被切割面制备电介质薄膜，或者依次制备LaNiO3过渡层和电介质薄膜，经退火处理后采用射频磁控溅射法与电镀法制备上电极层并将上电极层图形化，再用射频磁控溅射法制备下电极层，然后经划片得到硅基薄膜电容器
高耐电压低损耗薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法-CN202210119192.2在审
发明人：蔡武卫;陈海清;杨世海;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源极电极和漏极电极，接触有源层的顶表面的相应部分电介质扩散阻挡材料不同于栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物，并且抑制随后的退火工艺中金属元素的损失。
包括电介质扩散阻挡薄膜晶体管及其形成方法

[发明专利]薄膜天线组合结构-CN200810134686.8有效
发明人：廖嘉郁;张元铭 -专利权人：柏腾科技股份有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜天线组合结构，能够解决现有技术在薄膜天线与同轴缆线的焊接中容易造成薄膜天线损坏的问题。本发明薄膜天线组合结构，包括：基材；天线主体，为设于该基材上的导电薄层结构，所述天线主体具有讯号连接部；馈入线；导电介质，所述导电介质的一侧与所述馈入线结合，所述导电介质的另一侧则定位组合于所述天线主体的讯号连接部；以及锚部，凸设于所述导电介质一侧，且所述锚部是通过热压方式直接嵌入所述天线主体与基材中呈固定状态。
薄膜天线组合结构

[实用新型]一种低衰减高承载的新型薄膜电容器-CN201621139308.5有效
发明人：张旭东 -专利权人：江苏图博莱德电子科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低衰减高承载的新型薄膜电容器，包括电容器本体＝和铝导线，所述铝导线通过爆炸压接的手段连接在电容器本体上，电容器本体包裹在酸酐类固化剂内，电容器本体上下两个面上设置有喷金端面，电容器本体由电容器芯子构成，电容器芯子包括双层金属化膜和电介质薄膜，双层金属化膜真空蒸镀在电介质薄膜正反两侧上，双层金属化膜前后错位各露出电介质薄膜一端并与镀金层相接，镀金层与电介质薄膜相接并卷绕形成喷金端面。本实用新型有效改善了金属化电容器电容量衰减的现象，接触电阻小、电流承载能力大，具有良好的绝缘防水性能，介质损耗小。
一种衰减承载新型薄膜电容器

[实用新型]一种可降温的薄膜电容器-CN201621138670.0有效
发明人：张旭东 -专利权人：江苏图博莱德电子科技有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可降温的薄膜电容器，包括环氧树脂层、聚丙烯酸钠层、电介质薄膜、金属箔、金属蒸镀膜和喷漆金属，所述喷漆金属内部设有连接槽，所述喷漆金属通过连接槽固定电介质薄膜和金属箔，所述金属箔外侧固定设有金属蒸镀膜，所述连接槽内设置单个金属箔和单个电介质薄膜，所述连接槽在喷漆金属内壁上左右分布，所述喷漆金属左右两侧各设置一根导线穿过喷漆金属连接电介质薄膜，所述喷漆金属外侧设有聚丙烯酸钠层，所述聚丙烯酸钠层内充满聚丙烯酸钠该种可降温的薄膜电容器具有良好的降温作用，吸附性能高、热稳定性好、化学性质稳定、有较高的机械强度。
一种降温薄膜电容器

[发明专利]温度补偿用薄膜电容器-CN01123967.0无效
发明人：北川均;佐佐木真 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2001-08-09 - 公布日： 2002-03-20 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供出一种可以容易地实现小型化、薄型化、轻型化且可以实施温度补偿的薄膜电容器,本发明的另一目的在于提供出一种可以满足上述条件且在高频频带处具有良好Q值的薄膜电容器。本发明提供的一种薄膜电容器的特征在于在一对电极3、7之间,夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜4、6和第二电介质材料薄膜5。而且,本发明提供的一种薄膜电容器还可以进一步使所述第一电介质材料薄膜的容量温度系数绝对值为50ppm/℃以下,使所述第二电介质材料薄膜的容量温度系数为负值且使其绝对值为500ppm/℃以上。
温度补偿薄膜电容器

[发明专利]薄膜电容器元件及薄膜电容器-CN202080088036.3在审
发明人：妹尾裕贵 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：包括：由电介质薄膜、第一电极膜以及第二电极膜多层地层叠或卷绕而成的主体；和，设置于主体的两端、与第一电极膜电连接的第一外部电极以及与第二电极膜电连接的第二外部电极。主体具有：隔着电介质薄膜而与第一电极膜和第二电极膜相对的电容部；电容部中，电介质薄膜与第一电极膜或者第二电极膜之间具有空隙。
薄膜电容器元件

[发明专利]包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法-CN03143451.7无效
发明人：松原直辉;藤田和范 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-09-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法，在把形成在下层内连线1上的层间电介质薄膜4腐蚀成具有小孔的形状之后，利用腐蚀抑制层5，把上层电介质薄膜6腐蚀成具有沟槽的形状。通过附加的腐蚀除去暴露在沟槽底部的腐蚀抑制层5，然后，把暴露在沟槽底部的层间电介质薄膜4向后腐蚀到预定的厚度。接着，用内连金属10填塞该小孔和沟槽。
包括镶嵌工艺形成连线半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种环保型碳系聚氨酯基导电薄膜-CN201310347017.X有效
发明人：葛慧宪;李鹏;杨沛;胡国银 -专利权人：中纺新材料科技有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种环保型碳系聚氨酯基导电薄膜，其配方为：水性聚氨酯，50-100份；导电介质1，5-15份；导电介质2，2-10份；助剂1，0.2-2份；助剂2，0.1-1份；其中，所述导电介质1为炭黑，所述导电介质2为石墨，所述助剂1为分散剂，所述助剂2为消泡剂。本发明获得的导电薄膜具有环境友好、综合性能高、成品率高、工艺简单的优点。
一种环保型碳系聚氨酯导电薄膜

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN200510087909.6无效
发明人：小岩一郎;足利欣哉 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：一种薄膜电容器，在下部电极、高电介质膜、上部电极各层之间有紧密接合性、与其他层之间有高紧密接合性、且有优异的高频特性。在具有下部电极、在下部电极上设置的高电介质膜、以及在高电介质膜上设置的上部电极的薄膜电容器中，对上部电极、高电介质膜以及下部电极中的至少一者设有多个开口部。
薄膜电容器及其制造方法

[发明专利]电容器和包括该电容器的电子装置-CN202210890086.4在审
发明人：金真弘;李昌洙;金容诚;都垠彻;李周浩;赵龙僖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容器包括：下电极；与下电极分开的上电极；以及在下电极和上电极之间的电介质，电介质包括包含TiO2的电介质层以及在电介质层中包含GeO2由于漏电流减小层，有效地减小了漏电流，同时电介质薄膜的介电常数的降低很小。
电容器包括电子装置

[发明专利]利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线-CN200480005652.9有效
发明人： P·K·纳万卡;G·迈纳;A·莱波特 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成包括氮的电介质薄膜的方法。该方法包括利用氮化气体和快速热退火处理将氮加入到电介质薄膜中，其中用于快速热退火处理的超低压等于或小于10Torr。
利用具有低压快速退火调节氮化分布曲线

[发明专利]电介质薄膜的形成方法和具有该电介质薄膜的薄膜电容器-CN201080038913.2无效
发明人：樱井英章;渡边敏昭;曾山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明的电介质薄膜的形成方法中，通过溶胶-凝胶法来形成Ba1-xSrxTiyO3（0.2＜x＜0.6、0.9＜y＜1.1）的电介质薄膜时，从涂布至烧成的工序进行2～9次，使初次烧成后形成的薄膜的厚度为20～80nm、使第2次以后的烧成后形成的各薄膜的厚度为20～小于200nm、初次至2～9次的各烧成通过在大气压气氛下、以升温速度1～50℃/分升温至500～800℃范围内的规定温度来进行，使电介质薄膜的总厚为
电介质薄膜形成方法具有电容器

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