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[发明专利]垂直堆叠式鳍部半导体器件-CN202080031546.7在审
发明人： P.约瑟夫;李桃;I.塞沙德里;E.A.德席尔瓦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件和形成半导体器件的方法包括在半导体鳍部周围形成由第一电介质材料形成的第一电介质层，该第一电介质层达到低于半导体鳍部的高度的目标高度。在第一电介质层上沉积第二电介质层，该第二电介质层由第二电介质材料形成。在所述第二电介质层上形成由该第一电介质材料形成的第三电介质层。蚀刻掉该第二电介质层以暴露该半导体鳍部上的间隙。氧化半导体鳍部的在间隙中暴露的部分以形成隔离层。
垂直堆叠式鳍部半导体器件

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000872.4有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：公开了形成用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的方法的实施例。在一个示例中，在衬底上形成第一电介质层，并且在第一电介质层上形成第一光刻胶层。通过修整蚀刻第一电介质层的循环将凹槽穿过第一电介质层图案化到衬底。将电介质/牺牲层对形成在第一电介质层上并填充在凹槽中。在电介质/牺牲层对上形成第二光刻胶层。通过修整蚀刻电介质/牺牲层对的循环来图案化电介质/牺牲层对。将第二电介质层形成在第一电介质层上，并覆盖图案化的电介质/牺牲层对。通过用导体层替换图案化的电介质/牺牲层对和凹槽中的电介质/牺牲层对中的牺牲层来形成包括导体/电介质层对的存储堆叠层。
牺牲层电介质层电介质蚀刻光刻胶层阶梯结构图案化侧布衬底修整电介质层图案三维存储器件图案化电介质导体存储器件导体层堆叠层填充三维替换存储穿过覆盖

[发明专利]用于形成没有由凹陷引起的导体残留物的三维存储设备的方法-CN201980000361.7有效
发明人：汤召辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储设备及其形成方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储设备的方法。在衬底上方形成垂直延伸穿过包括交错的牺牲层和电介质层的电介质叠层的沟道结构。形成垂直延伸穿过电介质叠层的虚设沟道结构。在虚设电介质层上形成升高电介质层。形成垂直延伸穿过升高电介质层、虚设电介质层和电介质叠层的缝隙开口。通栅极替换在衬底上方形成包括交错的导体层和电介质层的存储器叠层。通过在升高电介质层上和缝隙开口中沉积源极导体层，在缝隙开口中形成源极接触部。去除升高电介质层上的源极导体层和升高电介质层的至少一部分。
用于形成没有凹陷引起导体残留物三维存储设备方法

[发明专利]电容器的制造方法-CN201910397664.9在审
发明人：小松嘉英;五十岚武司;小栗裕之 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及电容器的制造方法，具有MIM构造的电容器的制造方法包括：在下部电极的上表面通过多次层叠来形成电介质的步骤；及在电介质的上表面形成上部电极的步骤。电介质包括：在下部电极的上表面形成的第一电介质层；及在第一电介质层的上表面形成且与上部电极相接的第二电介质层。形成电介质的步骤包括：在下部电极的上表面形成第一电介质层的步骤；通过喷射清洗及二流体清洗中的至少一者对第一电介质层(31)的上表面进行清洗的步骤；及在清洗后的第一电介质层的上表面形成第二电介质层的步骤。
电介质层上表面电介质下部电极电容器清洗上部电极喷射清洗流体制造

[发明专利]天线模块和搭载天线模块的通信装置-CN202180020616.3在审
发明人：荒井航大;小村良;须藤薫;早藤久夫;森弘嗣 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01Q23/00 文献下载
摘要：天线模块(100)具备：电介质基板(130)，馈电元件(121)形成于电介质基板(130)；电介质基板(140)，接地电极(GND)形成于电介质基板(140)；以及导电构件(170)。电介质基板(140)配置为与电介质基板(130)相向。在从馈电元件(121)的法线方向俯视的情况下，导电构件(170)配置于馈电元件(121)的周围。在电介质基板(130)与电介质基板(140)之间形成有空气层(185)，导电构件(170)形成于该空气层(185)。
天线模块搭载通信装置

[发明专利]多层绝缘膜堆叠-CN202011403467.2在审
发明人：王捷平;陈亭纲;卢柏全;黄泰钧;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成栅极结构，其中，鳍突出高于衬底；在栅极结构中形成开口；沿着开口的侧壁和底部形成第一电介质层，其中，第一电介质层是非共形的，其中，第一电介质层在栅极结构的远离衬底的上表面附近具有第一厚度，并且在开口的底部附近具有第二厚度，其中，第一厚度大于第二厚度；以及在第一电介质层之上形成第二电介质层以填充开口，其中，第一电介质层由第一电介质材料形成，并且第二电介质层由与第一电介质材料不同的第二电介质材料形成
多层绝缘堆叠

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000948.3有效
发明人：肖莉红;胡禺石 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了用于形成用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的方法的实施例。在示例中，第一电介质层形成在衬底上，并且第一光刻胶层形成在第一电介质层上。通过由修整‑刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷。形成填充所述凹陷的多个电介质/牺牲层对。在所述电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层。通过由修整‑刻蚀所述电介质/牺牲层对构成的周期来使所述电介质/牺牲层对图案化。形成覆盖图案化的电介质/牺牲层对的第二电介质层。通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。
电介质牺牲层电介质层图案化衬底光刻胶层阶梯结构凹陷侧布刻蚀修整三维存储器件存储器件存储器导体导体层顶表面堆叠层填充三维替换穿过覆盖

[发明专利]高频电路板及使用它的高频用天线开关模块-CN02106409.1无效
发明人：早川俊高;加藤大典 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2002-02-27 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H04Q7/32 文献下载
摘要：一种高频电路板,包括高频开关电路的扼流圈电路元件;包含多个电介质层的介电层叠结构体,其中有第一电介质层和第二电介质层;在第一电介质层上形成的接触区;以及在第二电介质层上形成的电路图形,其中上述扼流圈电路元件作为芯片电感器安装在接触区上;第一电介质层位于结构体的端部;在其上形成了电路图形的至少一个电介质层中,第二电介质层最接近上述第一电介质层;接触区位于在多个电介质层层叠的方向上把在第二电介质层上形成的电路图形伸出而形成的区域之外。
高频电路板使用天线开关模块

[发明专利]弹性表面波装置-CN201180059055.4有效
发明人：玉崎大辅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：弹性表面波装置（1）具备：压电基板（21）、形成于压电基板（21）上的IDT电极（22）、第1电介质层（23）、和第2电介质层24。第1电介质层（23）形成于压电基板（21）上。第1电介质层（23）由氧化硅构成。第2电介质层（24）形成于第1电介质层（23）上。第2电介质层（24）具有高于第1电介质层（23）的声速。弹性表面波装置（1）还具备第3电介质层（25）。第3电介质层（25）形成于第1电介质层（23）和压电基板（21）之间。第3电介质层（25）覆盖压电基板（21）的表面（21a）和IDT电极（22）的上表面（22a）以及侧面（22b、22c）。
弹性表面波装置

[发明专利]制造软件控制的天线的方法-CN201780020915.0有效
发明人： D·D·哈兹扎 -专利权人：韦弗有限责任公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01Q3/26 文献下载
摘要：通过以下步骤来制造天线：使第一电介质条带穿过金属化台，并且在第一电介质条带的顶表面上形成多个辐射贴片并在第一电介质条带的底表面上形成多条延迟线；使第二电介质条带穿过金属化台，并且在第二电介质条带的顶表面上形成公共接地并在第二电介质条带的底表面上形成多条馈电线；使第一电介质条带和第二电介质条带穿过对准材料沉积台，并且沉积对准层；沉积间隔件；在第二电介质条带的顶表面上方或第一电介质条带的底表面上方沉积液晶材料；将第一电介质条带和第二电介质条带粘附在一起以形成多层条带
制造软件控制天线方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201910253134.7有效
发明人：张书维;蔡雅怡;陈嘉仁;魏安祺;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法包括：刻蚀栅极堆叠以形成延伸到栅极堆叠中的沟槽；在栅极堆叠的侧壁上形成电介质层，并且侧壁暴露于沟槽；以及刻蚀电介质层以移除沟槽的底部的电介质层的第一部分。在刻蚀电介质层之后，栅极堆叠的侧壁上的电介质层的第二部分保留。在移除电介质层的第一部分之后，移除电介质层的第二部分以露出栅极堆叠的侧壁。用电介质区域填充沟槽以形成电介质区域，其中，电介质区域接触栅极堆叠的侧壁。
形成半导体器件方法

[发明专利]受限源极/漏极外延区域及其形成方法-CN201911023286.4在审
发明人：游政卫;郭紫微;杨宗熺;周立维;游明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及受限源极/漏极外延区域及其形成方法。一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域，使隔离区域凹陷，其中，隔离区域之间的半导体区域形成半导体鳍，在隔离区域和半导体鳍上形成第一电介质层，在第一电介质层上方形成第二电介质层，对第二电介质层和第一电介质层进行平坦化，以及使第一电介质层凹陷。第二电介质层的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的电介质鳍。半导体鳍的一部分突出高于第一电介质层的剩余部分以形成突出的半导体鳍。使突出的半导体鳍的一部分凹陷以形成凹槽，从凹槽外延生长外延半导体区域。外延半导体区域横向扩展以与突出的电介质鳍的侧壁接触。
受限外延区域及其形成方法

[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201910114397.X有效
发明人：戴维·D·史密斯 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池-CN201580007956.7有效
发明人：戴维·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可具有第一电介质，所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质，所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方，其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。
具有隧道电介质太阳能电池

[发明专利]绝缘体上半导体沟道结构-CN200410080111.4有效
发明人：贝恩－叶海·吉恩;布雷恩·S·多伊;斯科特·A·黑尔兰德;马克·L·多齐;马修·V·梅斯;博扬·I·博亚诺夫;休曼·达塔;杰克·T·卡瓦列尔罗斯;罗伯特·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：该方法包括：在一种半导体器件衬底上形成过孔电介质层；在所述过孔电介质层上形成沟槽电介质层；形成贯穿所述沟槽电介质层的沟槽，以暴露所述过孔电介质层；在所述沟槽中的所述过孔电介质层中形成过孔，以暴露所述衬底；以及在所述过孔和在所述沟槽中形成半导体材料。该装置包括：器件衬底；形成在所述器件衬底的表面上的电介质层；以及在所述电介质层上形成的器件基底，所述器件基底包括从所述器件衬底衍生的晶体结构。
绝缘体上半导体沟道结构

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