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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210011779.1在审
发明人：叶菁馥;钟进龙;李书玮;詹佑晨;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在一基板上设置一接触特征件；在所述基板上形成一介电层；蚀刻所述介电层以形成露出所述接触特征件的一互连通道；在所述介电层上及所述接触特征件以外区域上形成一金属层；以及在所述金属层上形成一石墨烯导电结构，所述石墨烯导电结构填入所述互连通道且与所述接触特征件电连接，所述石墨烯导电结构具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一实质垂直于所述基板的方向延伸。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法-CN201210460900.5有效
发明人：吴宪昌;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属线和互连结构之间的第二碳层本发明提供了用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法。
用于接触电阻纳米互连装置方法

[发明专利]铜蚀刻集成方法-CN201310047513.3有效
发明人：吕志伟;李忠儒;李香寰;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造互连结构的方法，其中在半导体衬底上方形成牺牲层，然后通过蚀刻牺牲层以形成第一部件。图案化和蚀刻金属层以形成第二部件，然后沉积低k介电材料。该方法允许形成互连结构而不遭遇由多孔低k介电损伤引起的各种问题。
蚀刻集成方法

[发明专利]用于车辆电池的柔性电路-CN201710172999.1在审
发明人： W·A·贝弗莉;H·特伦 -专利权人：法拉第未来公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：该柔性电路可以包括正导电路径、负导电路径、延伸穿过柔性电路的至少一个开口、能够将正路径电连接至电化学电池单元的正极端子的至少一个可伸展正互连件、以及能够将负导电路径电连接至电化学电池单元的负极端子的至少一个可伸展负互连件该正互连件和该负互连件可以至少在贯向方向上是可伸展的，并且可以从至少一个开口的边缘延伸并终止于连接垫。
用于车辆电池柔性电路

[发明专利]具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法-CN201210424567.2有效
发明人：陈硕懋;叶德强;叶炅翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种封装件包括在该封装件的第一区中形成的芯片和在邻近第一区的该封装件的第二区中形成的模塑料。在芯片和模塑料上形成第一聚合物层，在第一聚合物层上形成第二聚合物层，在第一和第二聚合物层之间形成多个互连结构。在第二聚合物层上形成金属绝缘体金属(MIM)电容器并将其电连接至多个互连结构的至少一个。在多个互连结构的至少一个的上方形成金属凸块并将其电连接至多个互连结构的至少一个。本发明提供具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法。
具有金属绝缘体电容器封装及其制造方法

[实用新型]半导体组件-CN201620778055.X有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：所述种半导体组件包括支撑件，所述支撑件具有第一器件接纳结构、第二器件接纳结构、第一引线、第二引线和第三引线；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片接合至所述第一器件接纳结构；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片电耦接至所述第一半导体芯片以及电耦接至所述第二器件接纳结构；第一电互连，所述第一电互连耦接在所述第一半导体器件的所述栅极接合焊盘与所述第一引线之间；以及第二电互连，所述第二电互连耦接在所述第一半导体芯片的所述源极接合焊盘与所述第三引线之间。
半导体组件

[发明专利]安全外设互连件-CN201980055703.5在审
发明人：罗南·巴尔齐克;安德斯·诺尔;维加德·安德瑞森 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：连接至处理器(4)的总线系统(2)；多个外设(12、14、16、17)，每个外设均被连接至总线系统(2)；硬件滤波器逻辑(24、26)；以及与总线系统(2)分开并且被连接至外设(12、14、16、17)的外设互连件系统外设互连件系统(28)提供一组一个或多个信道以用于用信号发送外设(12、14、16、17)之间的事件。至少一个信道是安全信道(34)或可配置为安全信道(34)。外设互连件系统(28)被配置为允许来自处于安全状态的外设(12、14、16、17)的事件信号通过安全信道(34)被发送，并且防止来自处于非安全状态的外设(12、14、16、17)的事件信号通过安全信道(
安全外设互连

[发明专利]互连密封件-CN201810564117.0有效
发明人： R·瓦卡罗 -专利权人：康普技术有限责任公司
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01R13/52 文献下载
摘要：一种用于电缆和连接器互连的密封件，包括一体的弹性本体，该弹性本体具有穿过所述弹性本体的孔。所述孔设置有：在电缆端处的电缆外径密封部分，与所述电缆外径密封部分相邻的连接器腔体部分，与所述连接器腔体部分相邻的联结螺母腔体部分，以及在连接器端处，与所述联结螺母腔体部分相邻的带有闷头密封件的连接器颈部密封部分所述闷头密封件具有的外径大于所述连接器颈部密封部分的外径。
互连密封件

[发明专利]钴互连件技术-CN201510849444.7有效
发明人：李雅玲;杨文成;卢一斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在该方法中，在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。本发明实施例涉及钴互连件技术。
互连技术

[发明专利]柔性光学互连件-CN200880128442.7有效
发明人： P·罗森伯格;M·谭;S·马塔伊 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：披露一种柔性光学互连件以及形成该互连件的方法。该光学互连件包括由柔性介电材料形成的波导基底。在柔性材料中形成三侧面沟道。沟道的每一侧涂有反射性金属涂层。覆盖件由柔性材料形成并在下侧涂有反射性金属涂层。覆盖件耦合于波导基底以形成具有至少一个中空金属波导的柔性光学总线。中空金属波导配置成承载光信号。横向狭缝形成在覆盖件和波导基底中以形成将中空金属波导对半分的孔腔，从而允许检测和/或再引导光信号。
柔性光学互连

[发明专利]互连密封件-CN201480021325.6有效
发明人： R·瓦卡罗 -专利权人：康普技术有限责任公司
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01R13/52 文献下载
摘要：一种用于电缆和连接器互连的密封件，包括一体的弹性本体，该弹性本体具有穿过所述弹性本体的孔。所述孔设置有：在电缆端处的电缆外径密封部分，与所述电缆外径密封部分相邻的连接器腔体部分，与所述连接器腔体部分相邻的联结螺母腔体部分，以及在连接器端处，与所述联结螺母腔体部分相邻的带有闷头密封件的连接器颈部密封部分所述闷头密封件具有的外径大于所述连接器颈部密封部分的外径。
连接器联结螺母密封件弹性本体颈部密封外径密封腔体电缆连接器腔互连闷头电缆和连接器连接器端纵向对准电缆端孔设置穿过

[发明专利]锚固的互连件-CN201480076362.7有效
发明人： J·康;H·科塔里;C·C·蒙塔鲁;A·W·杨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：实施例包括一种半导体结构，包括：后端部分，该后端部分包括位于底部金属层与顶部金属层之间的多个金属层；顶部金属层包括具有第一侧壁表面和第二侧壁表面以及使侧壁表面彼此耦合的顶部表面的顶部金属层部分，其中，第一侧壁表面与第二侧壁表面相对；绝缘体层，该绝缘体层直接接触顶部表面；以及过孔，该过孔将接触凸块耦合至顶部金属层部分；其中，与耦合至后端部分的衬底正交的第一垂直轴与接触凸块、氮化物层、过孔、和顶部金属层部分相交。本文中描述了其它实施例。
锚固互连

[发明专利]具有应力调节件的互连基板、其覆晶组件及其制作方法-CN201811328294.5在审
发明人：林文强;王家忠 -专利权人：钰桥半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应力调节件的互连基板、其覆晶组件及其制作方法。本发明的互连基板主要包含第一线路层、垂直连接件、应力调节件、缓冲层及树脂层。该树脂层接合应力调节件的侧壁及垂直连接件的侧面，且垂直连接件侧向环绕应力调节件。第一线路层包括位于缓冲层中的互连垫及位于树脂层中的路由线。路由线与互连垫一体成型，且路由线电性耦接至垂直连接件。互连垫重叠于应力调节件上方，并通过缓冲层与应力调节件保持距离，据此，用于连接组件的凸块可接置于应力调节件所覆盖的区域，以避免凸块裂损。
具有应力调节互连组件及其制作方法

[发明专利]RRAM的后端金属互连结构及其制备方法-CN202210510007.2在审
发明人：李晓波;陈亮 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接面上设置有金属盖帽薄层，所述第一金属件通过所述金属盖帽薄层与所述第二金属件电性连接；并且，所述金属盖帽薄层的面积≥所述第一金属件的上表面的面积，所述金属盖帽薄层全覆盖所述第一金属件。本发明提供的RRAM的后端金属互连结构及其制备方法能够解决现有技术中为防止下层金属出现电迁移和应力迁移而引入新的器件稳定性弊端以及增阻弊端的问题。
rram 后端金属互连结构及其制备方法

[发明专利]RRAM的后端金属互连结构及其制备方法-CN202210508910.5在审
发明人：李晓波;杨芸 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接面上设置有金属盖帽薄层，所述第一金属件通过所述金属盖帽薄层与所述第二金属件电性连接；并且，所述金属盖帽薄层的面积≥所述第一金属件的上表面的面积，所述金属盖帽薄层全覆盖所述第一金属件。本发明提供的RRAM的后端金属互连结构及其制备方法能够解决现有技术中为防止下层金属出现电迁移和应力迁移而引入新的器件稳定性弊端以及增阻弊端的问题。
rram 后端金属互连结构及其制备方法

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