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[实用新型]斩波电路-CN202020898219.9有效
发明人：焦兵;陆岩松;刘军;程威 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：斩波电路包含正端、中性点、负端、第一分立二极管、第一功率电阻、第二分立二极管、第二功率电阻及半桥模块。第一分立二极管的阴极电连接于正端，第一功率电阻并联耦接于第一分立二极管。第二分立二极管的阳极电连接于负端，第二功率电阻并联耦接于第二分立二极管。半桥模块包含串联连接的第一功率开关和第二功率开关，其中第一功率开关的第一端电连接于第一分立二极管的阳极，第一功率开关的第二端电连接于第二功率开关的第一端及中性点，第二功率开关的第二端电连接于第二分立二极管的阴极
电路

[发明专利]一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法-CN201710638940.7在审
发明人：何苗;杨思攀;王成民;周海亮;王润 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法，所述紫外LED外延芯片倒装结构包括相对设置的衬底和基板；位于衬底和基板之间的外延层结构；隔离层，隔离层垂直于衬底设置，贯穿外延层结构，并将外延层结构隔离成发光二极管结构与静电保护二极管结构；其中，发光二极管结构的第二电极和静电保护二极管结构的第一电极电连接。由于静电保护二极管结构的第一电极与发光二极管结构的第二电极电连接，使得静电保护二极管结构与发光二极管结构反向并联，直接提供了一条静电放电通道，浪涌电压或大脉冲电流可以绕过发光二极管结构而流经静电保护二极管结构，从而保证了发光二极管结构正常工作，提高了紫外LED外延芯片的成品率和可靠性。
一种紫外 led 外延芯片倒装结构及其制作方法

[发明专利]一种双极PI型PIN二极管电调衰减器-CN200910125311.X有效
发明人：赵治华;潘启军;唐健;李毅;张磊;孟进;李文禄;肖欢 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种双极PI型PIN二极管电调衰减器。该电调衰减器包括射频信号输入接口、传输线变压器、PIN二极管转换开关、单极PI型PIN二极管电调衰减器、射频信号输出接口、控制信号输入接口、开关驱动电路、绝对值变换电路、电调驱动电路、直流偏置电路；本发明通过PIN二极管转换开关和绝对值电路，实现了开关PIN二极管正向导通电流与反向截止电压的解耦控制以及单极PI型PIN二极管电调衰减双极化的自适应控制，同时降低了射频主通路的最小插入损耗，将双PI型并联电调衰减器简化为单PI型电调衰减器，减小了主要器件用量，节省了成本。
一种 pi pin 二极管衰减器

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN201210460173.2无效
发明人：朱长信;李学麟;徐智魁;陈源泽;吴浩青 -专利权人：奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含绝缘基板、数个发光二极管芯片以及数个内连线层。每一发光二极管芯片包含依序堆叠在绝缘基板的表面上的外延层以及介电层。每一发光二极管芯片设有第一电性接触孔与第二电性接触孔贯穿介电层，以及第一隔离沟槽位于外延层中且介于发光二极管芯片的第二电性接触孔与相邻的发光二极管芯片的第一电性接触孔之间。每一内连线层由每一发光二极管芯片的第二电性接触孔中经由第一隔离沟槽上方而延伸至相邻的发光二极管芯片的第一电性接触孔中，以电连接这些发光二极管芯片。
发光二极管结构及其制造方法

[实用新型]一种电解tds值提高一倍的电解器-CN201620889012.9有效
发明人：朱伯威 -专利权人：广州家贝水处理有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电解tds值提高一倍的电解器，包括基体和螺钉，所述二极管D1的负极电性连接二极管D3的负极，所述二极管D3的正极连接到二极管D4的负极，且二极管D3和二极管D4的连线连接到负极柱上，所述二极管D2的正极与二极管D4的正极相连接，且二极管D2与二极管D4的连线上连接有两个输出端，且两个输出端分别电性连接两个铁棒，其中一个铁棒与两个铝棒串联，且铁棒与铝棒串联的电路上设有电阻，所述电容、二极管D2、二极管D3、二极管D4和电阻均集成在电路板上。
一种电解 tds 提高

[发明专利]发光装置-CN200610115544.8有效
发明人：叶文勇;颜玺轩;黄知澍 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种发光装置包括基板、微发光二极管、电源以及控制器。微发光二极管具有至少三个电连接点，微发光二极管是由多个微晶粒发光单元串接所组成于基板上。电源用以提供微发光二极管的电压。控制器用以控制电源的电压值以及控制电源经由其中一电连接点提供电压给微发光二极管。
发光装置

[发明专利]集成光收发器-CN201811564716.9有效
发明人： N·池提卡;J·豪恩施尔德;T·琼斯;D·尼达类斯;L·兰可韦斯特;E·凯伦;O·斯泰泽;M·查西凯;A·约翰逊;A·凯可恩 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种集成光收发器，包括：激光组件，包括形成在激光二极管衬底上的VCSEL二极管阵列；激光驱动组件，包括形成在激光驱动电路衬底上的激光二极管驱动电路；光电二极管组件，包括形成在光电二极管衬底上的光电二极管阵列；光电二极管驱动组件，包括形成在光电二极管驱动电路衬底上的光电二极管驱动电路；光收发器还包括：第一散热板，呈材料连接片的形式，被布置成将多余热量从集成光收发器输送出去，第一散热板连接至激光驱动组件和光电二极管驱动组件；电绝缘材料，将光电二极管衬底与第一散热板隔开，电绝缘材料是空气或者是具有小于10的相对介电常数ε的介电材料，电绝缘材料在光电二极管衬底与第一散热板之间提供间隙，间隙的有效电距离至少为80μm。
集成收发

[发明专利]发光二极管的自动化测试系统及方法-CN200510034935.2有效
发明人：韩金龙;罗会才;杨少辰 -专利权人：韩金龙;罗会才;杨少辰
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管电性和光学测试领域，具体地说涉及一种发光二极管的自动化测试系统及方法。包括系统主机、操作控制台、PLC，系统主机包括测试发光二极管电性和光学参数的LED测试装置、对所测试发光二极管的数据进行处理的数据处理装置、以及实现数据处理装置与PLC相互通讯的接口，其特征在于：所述LED测试装置包括测试发光二极管电流电压的电性参数测试装置、测试发光二极管闸流的闸流测试装置、以及测试发光二极管光学参数的光谱测试装置。本发明发光二极管自动化测试系统及方法对正向电压、光学参数的测试精度更高，分级更准确，而且增加了对发光二极管亮度的测试。
发光二极管自动化测试系统方法

[实用新型]发光二极管的自动化测试系统-CN200520059254.7无效
发明人：韩金龙;罗会才;杨少辰 -专利权人：韩金龙;罗会才;杨少辰
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及发光二极管电性和光学测试领域，具体地说涉及一种发光二极管的自动化测试系统。包括系统主机、操作控制台、PLC，系统主机包括测试发光二极管电性和光学参数的LED测试装置、对所测试发光二极管的数据进行处理的数据处理装置、以及实现数据处理装置与PLC相互通讯的接口，其特征在于：所述LED测试装置包括测试发光二极管电流电压的电性参数测试装置、测试发光二极管闸流的闸流测试装置、以及测试发光二极管光学参数的光谱测试装置。本实用新型发光二极管自动化测试系统及方法对正向电压、光学参数的测试精度更高，分级更准确，而且增加了对发光二极管亮度的测试。
发光二极管自动化测试系统

[实用新型]一种加热器高压互锁检测电路-CN202221768545.3有效
发明人：宋海林;李达伦;罗一博;孙雨;王玮 -专利权人：孝感华工高理电子有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加热器高压互锁检测电路，包括高压互锁回路、电源电路、MCU保护电路，高压互锁回路包括高压接插件A端、高压接插件B端、高压对插件，高压接插件A端和高压接插件B端均与高压对插件插接，电源电路包括第一电源，MCU保护电路包括第二电源、第一钳位二极管D1、第二钳位二极管D2，第一钳位二极管D1的正极和高压接插件B端均与第一电源电连接，第一钳位二极管D1的负极与第二电源电连接，第一MCU检测口与第一钳位二极管D1的正极电连接，第二钳位二极管D2的正极和高压接插件A端均接地，第二钳位二极管D2的负极与第二电源电连接，第二MCU检测口与第二钳位二极管D2的正极电连接。
一种加热器高压互锁检测电路

[发明专利]晶圆级发光二极管阵列-CN201810244405.8在审
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;卢元英;姜珉佑;金贤儿 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：公开了一种晶圆级发光二极管阵列以及一种用于制造该晶圆级发光二极管阵列的方法。该发光二极管阵列包括：生长基板；多个发光二极管，排列在基板上，其中，多个发光二极管中的每个发光二极管包括第一半导体层、有源层、第二半导体层；以及多个上电极，排列在多个发光二极管上并且由彼此相同的材料形成，其中，多个上电极电连接到对应的发光二极管的第一半导体层。另外，至少一个上电极电连接到与其相邻的发光二极管的第二半导体层，并且另一个上电极同与其相邻的发光二极管的第二半导体层绝缘。因此，提供了一种能够在高电压下运作并具有简化的制造工艺的发光二极管阵列。
发光二极管发光二极管阵列半导体层电极电连接晶圆级电极材料形成生长基板制造工艺高电压基板源层种晶绝缘运作制造

[发明专利]晶圆级发光二极管阵列及其制造方法-CN201380042047.8在审
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;卢元英;姜珉佑;金贤儿 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：公开了一种晶圆级发光二极管阵列以及一种用于制造该晶圆级发光二极管阵列的方法。该发光二极管阵列包括：生长基板；多个发光二极管，排列在基板上，其中，多个发光二极管中的每个发光二极管包括第一半导体层、有源层、第二半导体层；以及多个上电极，排列在多个发光二极管上并且由彼此相同的材料形成，其中，多个上电极电连接到对应的发光二极管的第一半导体层。另外，至少一个上电极电连接到与其相邻的发光二极管的第二半导体层，并且另一个上电极同与其相邻的发光二极管的第二半导体层绝缘。因此，提供了一种能够在高电压下运作并具有简化的制造工艺的发光二极管阵列。
晶圆级发光二极管阵列及其制造方法

[实用新型]发光二极管调光电路及其负载放电电路-CN201420604263.9有效
发明人：汪清汾;许峻豪 -专利权人：汪清汾
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管调光电路及其负载放电电路。该发光二极管调光电路，包括发光二极管驱动电路、交流硅控闸流体(TRIAC)调光器、整流电路以及负载放电电路。整流电路电性连接交流硅控闸流体调光器，整流电路与发光二极管驱动电路电性连接以提供整流后的调光信号。负载放电电路电性连接于整流电路与发光二极管驱动电路，负载放电电路包括串联电阻电容、有源泄放电阻、晶体管开关、延时电路以及偏压二极管。可增加交流硅控闸流体导通时所需要的维持电流，因此可解决发光二极管连接交流硅控闸流体调光器时造成发光二极管调光闪烁的问题。
发光二极管调光电路及其负载放电

[实用新型]航空插头检测装置-CN201820615425.7有效
发明人：李建军;王哲;辉英;张现锋 -专利权人：中国石油集团西部钻探工程有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G01R31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及插头检测技术领域，是一种航空插头检测装置，其包括串联在一起的五组检测电路，每组检测电路均包括并联的220V检测电路和380V检测电路，220V检测电路包括第一整流二极管、200V稳压二极管、第一电阻和第一发光二极管，380V检测电路包括第二整流二极管、300V稳压二极管、第二电阻和第二发光二极管，第二整流二极管的负极与300V稳压二极管的负极电连接，300V稳压二极管的正极与第二电阻电连接，第二电阻和第二发光二极管的正极电连接。
检测电路稳压二极管航空插头电阻发光二极管整流二极管本实用新型检测装置正极负极电连接插头检测工作效率快速检测负极出错率电连接正极电并联插针接线串联

[发明专利]微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法-CN202010085024.7有效
发明人：王质武 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供一种微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法，该微型发光二极管显示面板包括：驱动基板，其包括层叠的薄膜晶体管阵列层和底部电极；微型发光二极管带间隔的设置于驱动基板上，每个微型发光二极管带上包括至少两个微型发光二极管；微型发光二极管与底部电极一一对应电连接，且微型发光二极管通过底部电极与薄膜晶体管阵列层中的薄膜晶体管电连接；相邻两行底部电极之间和/或相邻两列底部电极之间设置有遮光层，微型发光二极管带或微型发光二极管位于相邻两个遮光层之间本申请通过在驱动基板上设置遮光层，从而解决采用传统转印方法制备的微型发光二极管显示面板产生漏光，进而导致混色的问题。
微型发光二极管显示面板方法